提高导线允许温度的可行性研究和工程实施 被引量：51

1

作者 叶鸿声 龚大卫 +5 位作者 黄伟中 赵君虎 周丹羽 沈潜 周康 袁志磊 《电力建设》 北大核心 2004年第9期1-7,28,共8页

导线的允许温度由现行规范规定的 70℃提高到 80℃ ,可提高原有线路输送容量 2 0 % ,降低新建线路投资10 % ,具有显著的经济意义。国内外大量试验数据表明 :(1)导线允许温度提高到 80℃对线材强度无影响 ;(2 ) 80℃时的钢芯铝绞线强度... 导线的允许温度由现行规范规定的 70℃提高到 80℃ ,可提高原有线路输送容量 2 0 % ,降低新建线路投资10 % ,具有显著的经济意义。国内外大量试验数据表明 :(1)导线允许温度提高到 80℃对线材强度无影响 ;(2 ) 80℃时的钢芯铝绞线强度基本上不低于计算拉断力 ;(3)导线温度 80℃时 ,金具温度不超过 6 7℃ ,金具电阻为等长导线电阻的 35 %～ 6 6 % ;金具温度在 80℃以下时 ,对握力没有影响。因此提高钢芯铝绞线 (LGJ或ACSR)导线允许温度到 80℃是可行的。导线允许温度从 70℃提高到 80℃ ,功率损耗和电能损耗增加甚微 ,一般档距增加弧垂 0 .5m左右 ,经论证和 5 0 0kV斗南、斗牌改造工程实践 ,证明采用 5 0℃定位。 展开更多

关键词 导线 允许温度 输送容量 线路设计

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特高塔绝缘子串用招弧角的试验研究 被引量：27

2

作者 林福昌 詹花茂 +3 位作者 龚大卫 黄伟中 丁一正 陈勇 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期21-22,共2页

招弧角保护性能验证性试验的结果表明,长度约为绝缘子串长75%的招弧角间隙能有效地保护绝缘子串。虽然招弧角的应用将降低线路的耐雷水平,但对特高塔而言,由于绝缘子串长的裕度很大,故对线路的跳闸率没有明显的影响。

关键词 特高塔 绝缘子串 招弧角 试验 输电线路 大跨越工程

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提高导线允许温度增加线路输送容量的研究及在500kV线路上的应用 被引量：20

3

作者 叶鸿声 龚大卫 黄伟中 《华东电力》 北大核心 2006年第8期43-46,共4页

将钢芯铝绞线允许温度由现行规范规定的70℃提高到80℃，可提高线路输送容量23％～27％。研究证明，按允许温度80℃运行，导线强度和配套金具握力仍在允许范围内。经过大量计算，提出一般新建线路按50℃弧垂定位，已建线路按80℃弧垂校... 将钢芯铝绞线允许温度由现行规范规定的70℃提高到80℃，可提高线路输送容量23％～27％。研究证明，按允许温度80℃运行，导线强度和配套金具握力仍在允许范围内。经过大量计算，提出一般新建线路按50℃弧垂定位，已建线路按80℃弧垂校验以保证对地和交叉跨越的必要间距，以及确保耐张线夹引流等有效连接的措施，来保证提温增荷线路的安全运行。 展开更多

关键词 导线 允许温度 输电容量

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BCD工艺概述 被引量：7

4

作者 陈志勇 黄其煜 龚大卫 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期641-644,659,共5页

介绍了BCD(bipolarCMOSDMOS)的工艺原理、特点和发展前景。对BCD工艺兼容性进行了说明,着重阐述了LDMOS的工艺原理和关键工艺设计考虑。文章结合应用,指出BCD工艺朝着高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展,并对BCD工艺的最新进展... 介绍了BCD(bipolarCMOSDMOS)的工艺原理、特点和发展前景。对BCD工艺兼容性进行了说明,着重阐述了LDMOS的工艺原理和关键工艺设计考虑。文章结合应用,指出BCD工艺朝着高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展,并对BCD工艺的最新进展作了概述。对电源管理和显示驱动这两大市场驱动进行了分析,并对国内企业进入该领域所面临的机会与挑战作了阐述与展望。 展开更多

关键词 BCD工艺 双扩散金属氧化物半导体管 模块化 高压 高密度

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三峡至常州±500kV高压直流输电工程简介 被引量：16

5

作者 龚大卫 俞敦耀 《中国电力》 CSCD 北大核心 2000年第2期42-44,53,共4页

三峡向华东地区送电采用Ｌ５００ ｋＶ直流输电方式，第１回路由宜昌龙泉换流站至常州政平换流站，本工程还实现了华东电网与华中电网的联合，调节水、火电量，挥时差错峰效益，并有力地促进了全国联网的进程。文中简介该回路直流输电... 三峡向华东地区送电采用Ｌ５００ ｋＶ直流输电方式，第１回路由宜昌龙泉换流站至常州政平换流站，本工程还实现了华东电网与华中电网的联合，调节水、火电量，挥时差错峰效益，并有力地促进了全国联网的进程。文中简介该回路直流输电工程的初步设计预备阶段的情况、取得的初步成果和发展趋向。 展开更多

关键词 直流输电工程 换流站 高压 水电站

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掺铒SiO_x的光致发光特性 被引量：7

6

作者 万钧 盛篪 +4 位作者 陆肪 龚大卫 樊永良 林峰 王迅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期1741-1746,共6页

利用分子束外延设备生长了掺铒ＳｉＯｘ，观察到铒掺入的同时Ｏ的掺入效率也得到提高．铒可以促进氧的掺入的原因是铒与氧在硅衬底表面反应，以络合物形式掺入硅中，从而提高了硅中氧的浓度．测量了铒在ＳｉＯｘ中的光致发光特性，结果... 利用分子束外延设备生长了掺铒ＳｉＯｘ，观察到铒掺入的同时Ｏ的掺入效率也得到提高．铒可以促进氧的掺入的原因是铒与氧在硅衬底表面反应，以络合物形式掺入硅中，从而提高了硅中氧的浓度．测量了铒在ＳｉＯｘ中的光致发光特性，结果表明掺铒的ＳｉＯｘ的发光强度从１８Ｋ到３００Ｋ仅下降了约１／２，这说明Ｅｒ掺在ＳｉＯｘ中是一种降低发光强度的温度淬灭效应的途径，最后讨论了温度淬灭的机制． 展开更多

关键词 半导体 光致发光特性 氧化硅 掺饵 硅基发光

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绿色低碳理念下现代城市交通规划策略 被引量：8

7

作者 龚昌游 龚大卫 《城市住宅》 2020年第12期130-131,共2页

可持续发展理念下,绿色低碳环保理念开始走进各行各业,城市交通也开始与绿色低碳理念相结合,保证人们出行的环保性和绿色性,在保障交通顺利运行的同时实现对环境的保护。从绿色低碳的视角分析我国城市交通规划现状,其中仍然存在很多问题... 可持续发展理念下,绿色低碳环保理念开始走进各行各业,城市交通也开始与绿色低碳理念相结合,保证人们出行的环保性和绿色性,在保障交通顺利运行的同时实现对环境的保护。从绿色低碳的视角分析我国城市交通规划现状,其中仍然存在很多问题,针对这些问题,分析绿色低碳理念下现代城市交通的具体规划策略。 展开更多

关键词 绿色低碳理念 现代城市 城市交通 交通规划

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硅-二氧化硅超晶格——探索硅基发光材料的一条新途径 被引量：6

8

作者 林峰 盛篪 +1 位作者 龚大卫 王迅 《物理》 CAS 1998年第8期467-471,共5页

理论上认为，由于Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格中硅层（阱层）的电子和空穴都受到极强的量子限制效应，硅层能带有可能从体硅的间接带隙转变为直接带隙，从而发光效率大大提高．实验上，在非晶Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格中观察到在可见光波段的室温... 理论上认为，由于Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格中硅层（阱层）的电子和空穴都受到极强的量子限制效应，硅层能带有可能从体硅的间接带隙转变为直接带隙，从而发光效率大大提高．实验上，在非晶Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格中观察到在可见光波段的室温光致发光和明显的量子限制效应现象．晶体Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格研究也取得了初步的结果． 展开更多

关键词 超晶格 光致发光 量子限制效应 硅-二氧化硅

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Si_(1-x)Ce_x/Si量子阱发光材料制备及特性研究 被引量：2

9

作者 杨宇 卢学坤 +8 位作者 黄大鸣 蒋最敏 杨敏 章怡 龚大卫 陈祥君 胡际璜 张翔九 赵国庆 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第6期995-1002,共8页

在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对... 在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。 展开更多

关键词 硅锗合金 量子阱 发光材料 特性 分子束外延

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SiGe／Si量子阱结构材料的激子发光谱 被引量：4

10

作者 黄大鸣 杨敏 +4 位作者 盛篪 卢学坤 龚大卫 张翔九 王迅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期213-216,共4页

在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利... 在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利用激子发光峰位能量确定合金组份比利用Ｘ－射线衍射谱更为方便和精确． 展开更多

关键词 SIGE/SI 量子阱 激子 发光谱

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硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响 被引量：4

11

作者 周星飞 施斌 +5 位作者 蒋伟荣 胡冬枝 樊永良 龚大卫 张翔九 蒋最敏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期765-769,共5页

研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原... 研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原子层时 ,获得了底部直径为 60± 5nm,面密度为 6× 1 0 9cm- 2 ,且均匀性很好的 Ge量子点 .另外 ,还简单讨论了硼原子对 Ge量子点自组织生长影响的机制 . 展开更多

关键词 量子点 生长 硅衬底 硼原子 锗

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p型Ge_xSi_(1-x)/Si多量子阱的红外吸收及其分析 被引量：3

12

作者 俞敏峰 杨宇 +4 位作者 沈文忠 朱海军 龚大卫 盛篪 王迅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期740-746,共7页

通过测量ＧｅＳｉ多量子阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态ＨＨ０到重空穴激发态ＨＨ１、轻空穴激发态ＬＨ１和自旋分裂带ＳＯ及连续态间的跃迁吸收．测量了ＧｅＳｉ多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响... 通过测量ＧｅＳｉ多量子阱的红外谱，同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态ＨＨ０到重空穴激发态ＨＨ１、轻空穴激发态ＬＨ１和自旋分裂带ＳＯ及连续态间的跃迁吸收．测量了ＧｅＳｉ多量子阱探测器的正入射光电流谱，看到了明显的光响应峰．理论计算中计及了轻、重和自旋分裂带间的耦合及能带的非抛物性，并自洽考虑了哈特里势和交换相关势．与实验结果比较，认为带之间的耦合，使子带间的跃迁情况变得复杂。 展开更多

关键词 多量子阱 GESI 红外吸收

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同质硅分子束外延层的界面缺陷的研究 被引量：2

13

作者 陆 昉 龚大卫 孙恒慧 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期1129-1136,共8页

对同质硅分子束外延层的界面缺陷进行了测试与分析．对存在高浓度施主型界面缺陷的Ｐ型材料，通过解泊松方程计算了该材料的肖特基势垒的能带图，得到了该缺陷能级上电子的填充与发射随外加反向偏压变化的情况．并分析了用深能级瞬态谱... 对同质硅分子束外延层的界面缺陷进行了测试与分析．对存在高浓度施主型界面缺陷的Ｐ型材料，通过解泊松方程计算了该材料的肖特基势垒的能带图，得到了该缺陷能级上电子的填充与发射随外加反向偏压变化的情况．并分析了用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对其进行测试所需的条件，以及与常规的ＤＬＴＳ测试结果的不同之处．提出了可同时对该缺陷上电子的发射和俘获过程进行ＤＬＴＳ测量的方法．实验测量结果表明，该高密度的界面缺陷的能级位置位于Ｅ＿ｃ－０．３０ｅＶ． 展开更多

关键词 硅 分子束外延 界面 缺陷 外延层

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在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格 被引量：3

14

作者 盛篪 周铁城 +4 位作者 龚大卫 樊永良 王建宝 张翔九 王迅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期1-5,共5页

利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是... 利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的． 展开更多

关键词 元素半导体 锗 SIGE合金 硅 超晶格 外延生长

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SiO薄膜的光致发光研究 被引量：2

15

作者 林峰 盛篪 +4 位作者 袁帅 刘晓晗 龚大卫 万钧 樊永良 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1999年第A12期1193-1197,共5页

通过对SiO薄膜经退火后的室温光致发光研究,发现SiO薄膜的发光谱中存在绿光和红光两个发光带,绿光带是起源于与氧有关的缺陷发光,而红光带则是纳米尺寸的微晶Si的量子限制效应引起的发光。

关键词 光致发光 量子尺寸效应 一氧化硅 薄膜

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用氢钝化Si(100)面抑制分子束处延界面的硼尖峰 被引量：2

16

作者 卫星 龚大卫 +8 位作者 杨小平 吕宏强 崔堑 盛篪 张翔九 王迅 王勤华 陆昉 孙恒慧 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第12期1968-1973,共6页

采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬... 采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。 展开更多

关键词 氢钝化 分子束外延 硼尖峰 钝化

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光电流瞬态谱中半绝缘砷化镓的EL2峰的研究 被引量：2

17

作者 龚大卫 孙恒慧 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第11期659-663,共5页

本文用加栅的光电流瞬态谱(PICTS)方法研究了半绝缘砷化镓材料中的深能级缺陷,发现加栅后可使PICTS对EL2等靠近禁带中央的缺陷变得灵敏,并分析了其中原因,认为材料中费米能级位置对PICTS结果有影响。

关键词 砷化镓 光电流 瞬态谱

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分子束外延系统中生长Si/SiO_2超晶格及其发光

18

作者 林峰 盛篪 +1 位作者 龚大卫 刘晓晗 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期561-564,共4页

在硅分子束外延（ＭＢＥ）系统中，利用Ｓｉ和Ｏ２共淀积的方法生长出化学配比理想的ＳｉＯ２。

关键词 分子束外延 硅 外延生长 二氧化硅 超晶格

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硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究 被引量：2

19

作者 陈祥君 杨宇 +5 位作者 龚大卫 陆昉 王建宝 樊永良 盛篪 孙恒慧 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期826-830,共5页

利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４×１０１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１... 利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４×１０１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１００）表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究，发现在ＮＢ＜３．４×１０１４ｃｍ－２时，硼δ掺杂面密度与时间成正比，衬底温度６５０℃，掺杂源温度９０００℃时，粘附速率为４．４×１０１３ｃｍ－２／ｍｉｎ；在ＮＢ＞３．４×１０１４ｃｍ－２时，粘附有饱和趋势，测量表明在硼δ掺杂面密度ＮＢ高达４．４×１０１４ｃｍ－２，都未观察到氧．我们还用反射式高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）和Ｃ－Ｖ测试对硼δ掺杂样品进行了观察． 展开更多

关键词 硅 分子束外延 硼 掺杂 外延生长

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中美会计准则差异研究 被引量：3

20

作者 龚大卫 《时代经贸》 2017年第25期17-18,共2页

近年来,中美两国之间双边贸易关系加深,跨国公司的数量和规模一年大于一年,会计作为企业通用的商业语言发挥着越来越大的作用,所以中美两国之间会计的差异应该引起重视。美国是当今世界最发达的国家,其会计准则也比我国更加完善。所以... 近年来,中美两国之间双边贸易关系加深,跨国公司的数量和规模一年大于一年,会计作为企业通用的商业语言发挥着越来越大的作用,所以中美两国之间会计的差异应该引起重视。美国是当今世界最发达的国家,其会计准则也比我国更加完善。所以本文分析两国差异之所以存在的原因,差异具体体现在哪些准则方面,以及差异对我国未来会计发展的借鉴和启示。 展开更多

关键词 中美会计准则差异 会计目标 会计监督

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