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基于微系统IPD工艺的功分网络制造技术 被引量:1
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作者 崔凯 李浩 +3 位作者 谢迪 张兆华 昆仑 孙毅鹏 《电子机械工程》 2021年第4期40-43,共4页
集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)具有高集成度、高精度、高可靠性的优势,在射频微波领域极具应用前景,但薄膜多层电路及高精度电阻制作是限制其广泛应用的关键问题。文中基于IPD技术设计制作了毫米波Wilkinson带状线功率分... 集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)具有高集成度、高精度、高可靠性的优势,在射频微波领域极具应用前景,但薄膜多层电路及高精度电阻制作是限制其广泛应用的关键问题。文中基于IPD技术设计制作了毫米波Wilkinson带状线功率分配/合成器,通过薄膜多层技术实现了2层苯并环丁烯(BCB)介质、3层布线的多层结构,最小线宽和线距皆为20μm。通过反应磁控溅射方法在BCB介质表面制备了50Ω/□和100Ω/□的TaN高精度薄膜电阻。片上集成的功分网络的工作频率为30-40 GHz,频带内各个端口的回波损耗为-15dB,插入损耗为(4.6±0.2)dB。该研究突破了硅基薄膜多层高密度布线技术,制作了功分器并对其进行了测试,为射频微系统无源网络一体化集成提供了有效的解决方案。 展开更多
关键词 射频微系统 集成无源器件 功分器 多层薄膜 氮化钽薄膜电阻
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