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晶体管级异质集成技术及其典型应用
1
作者
陈堂胜
戴家赟
+5 位作者
吴立枢
孔月婵
周书同
齐
志
央
钟世昌
凌
志
健
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第2期95-100,共6页
晶体管级异质集成是后摩尔时代半导体微波器件技术发展的重点方向。介绍了针对平面和纵向两类不同结构器件分别开发的介质键合和金属键合两套外延层转移晶体管级异质集成工艺,研制出基于介质键合工艺的金刚石衬底GaN HEMT微波功率器件...
晶体管级异质集成是后摩尔时代半导体微波器件技术发展的重点方向。介绍了针对平面和纵向两类不同结构器件分别开发的介质键合和金属键合两套外延层转移晶体管级异质集成工艺,研制出基于介质键合工艺的金刚石衬底GaN HEMT微波功率器件和基于金属键合工艺的SiC衬底GaAs PIN限幅器电路。测试结果表明,与常规的SiC衬底GaN HEMT器件相比,金刚石衬底GaN HEMT器件在高热耗工作下器件热阻减小超过50%,连续波工作输出功率和功率附加效率分别提高0.77 dB和5.6个百分点;与常规工艺的GaAs衬底限幅器相比,18~40 GHz SiC衬底GaAs PIN限幅器单片电路限幅电平基本一致,插入损耗改善约0.2 dB,耐功率能力提高3 dB以上。
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关键词
半导体微波晶体管
晶体管级异质集成
外延层转移
低温键合
微波功率器件
限幅器
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职称材料
船舶尾流气泡幕探测技术进展与应用
被引量:
3
2
作者
郭露萍
翟雨生
+1 位作者
王琦龙
齐
志
央
《舰船科学技术》
北大核心
2016年第4期1-6,共6页
本文介绍并比较船舶尾流气泡幕的声学探测和光学探测的异同。以检测参量为主线,讨论光学探测中气泡对散射光强度、频率和偏振特性的影响,重点阐述基于脉冲回波、激光拉曼散射和光学成像等探测方式的应用原理、发展状况和存在的问题。以...
本文介绍并比较船舶尾流气泡幕的声学探测和光学探测的异同。以检测参量为主线,讨论光学探测中气泡对散射光强度、频率和偏振特性的影响,重点阐述基于脉冲回波、激光拉曼散射和光学成像等探测方式的应用原理、发展状况和存在的问题。以提高回波信号信噪比为目的,提出一种基于表面等离子激元的气泡尾流探测新思路,并进行相关模拟论证。气泡尾流光学探测法及其应用系统具有实时性好、灵敏度高、探测区域广等优点,在船舶监控、海洋水体污染检测和海洋生物环境监测等方面应用广泛。
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关键词
尾流探测
气泡
光学散射
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职称材料
AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关
3
作者
章军云
齐
志
央
+5 位作者
凌
志
健
尹
志
军
王溯源
李信
王学鹏
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022年第5期357-362,共6页
研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开...
研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开关。测试结果表明:该微波毫米波开关在0.05~18 GHz频带内插入损耗为0.5~0.75 dB,隔离度大于41 dB;18~50 GHz频带内插入损耗为0.75~1.2 dB,隔离度大于27 dB;具有低插入损耗和高隔离度的开关切换特性。
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关键词
铝镓砷
砷化镓
异质结
PIN二极管
毫米波
单刀三掷开关
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职称材料
题名
晶体管级异质集成技术及其典型应用
1
作者
陈堂胜
戴家赟
吴立枢
孔月婵
周书同
齐
志
央
钟世昌
凌
志
健
机构
南京电子器件研究所
固态微波器件与电路全国重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第2期95-100,共6页
基金
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3404300)。
文摘
晶体管级异质集成是后摩尔时代半导体微波器件技术发展的重点方向。介绍了针对平面和纵向两类不同结构器件分别开发的介质键合和金属键合两套外延层转移晶体管级异质集成工艺,研制出基于介质键合工艺的金刚石衬底GaN HEMT微波功率器件和基于金属键合工艺的SiC衬底GaAs PIN限幅器电路。测试结果表明,与常规的SiC衬底GaN HEMT器件相比,金刚石衬底GaN HEMT器件在高热耗工作下器件热阻减小超过50%,连续波工作输出功率和功率附加效率分别提高0.77 dB和5.6个百分点;与常规工艺的GaAs衬底限幅器相比,18~40 GHz SiC衬底GaAs PIN限幅器单片电路限幅电平基本一致,插入损耗改善约0.2 dB,耐功率能力提高3 dB以上。
关键词
半导体微波晶体管
晶体管级异质集成
外延层转移
低温键合
微波功率器件
限幅器
Keywords
semiconductor microwave transistor
heterogeneous integration in transistors level
epilayer transfer
low temperature bonding
microwave power device
limiter
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN325.3
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职称材料
题名
船舶尾流气泡幕探测技术进展与应用
被引量:
3
2
作者
郭露萍
翟雨生
王琦龙
齐
志
央
机构
东南大学电子科学与工程学院
出处
《舰船科学技术》
北大核心
2016年第4期1-6,共6页
文摘
本文介绍并比较船舶尾流气泡幕的声学探测和光学探测的异同。以检测参量为主线,讨论光学探测中气泡对散射光强度、频率和偏振特性的影响,重点阐述基于脉冲回波、激光拉曼散射和光学成像等探测方式的应用原理、发展状况和存在的问题。以提高回波信号信噪比为目的,提出一种基于表面等离子激元的气泡尾流探测新思路,并进行相关模拟论证。气泡尾流光学探测法及其应用系统具有实时性好、灵敏度高、探测区域广等优点,在船舶监控、海洋水体污染检测和海洋生物环境监测等方面应用广泛。
关键词
尾流探测
气泡
光学散射
Keywords
wake detection
bubbles
optical scattering
分类号
U661 [交通运输工程—船舶及航道工程]
TN29 [交通运输工程—船舶与海洋工程]
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职称材料
题名
AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关
3
作者
章军云
齐
志
央
凌
志
健
尹
志
军
王溯源
李信
王学鹏
陈堂胜
机构
南京电子器件研究所
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022年第5期357-362,共6页
文摘
研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开关。测试结果表明:该微波毫米波开关在0.05~18 GHz频带内插入损耗为0.5~0.75 dB,隔离度大于41 dB;18~50 GHz频带内插入损耗为0.75~1.2 dB,隔离度大于27 dB;具有低插入损耗和高隔离度的开关切换特性。
关键词
铝镓砷
砷化镓
异质结
PIN二极管
毫米波
单刀三掷开关
Keywords
AlGaAs
GaAs
heterojunction
PIN diode
millimeter-wave
SP3T switch
分类号
TN312.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
晶体管级异质集成技术及其典型应用
陈堂胜
戴家赟
吴立枢
孔月婵
周书同
齐
志
央
钟世昌
凌
志
健
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
船舶尾流气泡幕探测技术进展与应用
郭露萍
翟雨生
王琦龙
齐
志
央
《舰船科学技术》
北大核心
2016
3
下载PDF
职称材料
3
AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关
章军云
齐
志
央
凌
志
健
尹
志
军
王溯源
李信
王学鹏
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022
0
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