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极薄钨单质种子层制备形貌疏松的三氧化钨薄膜的电致变色性能研究 被引量：1
1
作者 高嘉豪 陈浩霖 +4 位作者 黎泽锐 李华 张泽辉 温启峰 唐秀凤 《五邑大学学报（自然科学版）》 CAS 2022年第1期14-20,共7页
氧化钨薄膜(WO_(3))具有出色的电致变色性能,但是目前物理法制得的WO_(3)薄膜形貌往往比较致密,从而影响其变色性能和循环寿命.本文采用磁控溅射方法,首先在ITO透明导电基底上制备一层极薄的钨(W)单质薄膜,之后在W薄膜上方制备WO_(3)薄... 氧化钨薄膜(WO_(3))具有出色的电致变色性能,但是目前物理法制得的WO_(3)薄膜形貌往往比较致密,从而影响其变色性能和循环寿命.本文采用磁控溅射方法,首先在ITO透明导电基底上制备一层极薄的钨(W)单质薄膜,之后在W薄膜上方制备WO_(3)薄膜,通过调控W单质薄膜的疏松形貌对WO_(3)薄膜形貌进行调控以提高其电致变色性能.为了保证薄膜在透明态时具有较高的透过率,钨单质薄膜的厚度选择1 nm,WO_(3)薄膜的厚度选择350 nm,得到WO_(3)/W复合薄膜,通过与单一WO_(3)薄膜对比,探索极薄单质W薄膜对WO_(3)薄膜形貌、晶体结构及电致变色性能的影响.结果表明,WO_(3)/W复合薄膜表现出更短的着色响应时间(23.5 s);且着色断电48 h后,其透射率在550 nm处仅增加了18%,表现出更好的记忆效应.极薄W单质薄膜的引入实现了对WO_(3)薄膜的形貌调控,提高了其部分电致变色性能. 展开更多
关键词 WO_(3)/W复合薄膜 磁控溅射 形貌调控 电致变色
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