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题名一种宽带CMOS低噪声放大器
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作者
黄未霖
蔡孟冶
姜岩峰
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机构
江南大学物联网工程学院电子工程系先进技术研究院
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期493-499,共7页
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基金
江苏省自然科学基金资助项目(BK20210453)。
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文摘
基于130 nm CMOS工艺设计了一款宽带低噪声放大器(LNA),适用于Ka波段的5G应用。通过降低输入阻抗与最佳源阻抗的偏差以抑制噪声,该LNA实现了宽带的最佳噪声系数匹配。一方面,该LNA采用由LC串联组合和LC并联组合构成的宽带前端网络,在取得低噪声系数的同时,实现了宽带输入匹配;另一方面,通过体隔离技术和级间电感匹配技术提高了电路增益。同时,通过并联峰值负载技术,提高了LNA的带内增益平坦度。测试结果表明,该LNA的峰值增益为11.2 dB,-3 dB带宽为7.5 GHz(29.1~36.6 GHz)。噪声系数为5.9~6.6 dB,与仿真的最小噪声系数非常接近。输入反射系数(<-10 dB)带宽为6.7 GHz(28.3~35 GHz)。该LNA在1.2 V电源电压下功耗为9 mW,芯片面积为0.54 mm2。
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关键词
宽带输入匹配
低噪声放大器(LNA)
KA波段
噪声抑制
输入反射系数带宽
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Keywords
wideband input matching
low noise amplifier(LNA)
Ka⁃band
noise suppression
input reflection coefficient bandwidth
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分类号
TN722.3
[电子电信—电路与系统]
TN432
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