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一种用于高性能计算的高速内存和封装解决方案
1
作者
陈宏铭
黄
昱
人
+2 位作者
蔡鸿寅
朱伟涛
黄
耀林
《中国集成电路》
2018年第12期29-36,共8页
HBM高速内存接口设计解决现代DDR的两个关键问题,它增加了内存的可用带宽与降低功耗。本文介绍了第二代高带宽存储器(HMB2)高速内存控制器与物理层IP与配套晶圆基底封装(COWOS)的设计挑战及创意电子提供的相应解决方案。为了评估这一概...
HBM高速内存接口设计解决现代DDR的两个关键问题,它增加了内存的可用带宽与降低功耗。本文介绍了第二代高带宽存储器(HMB2)高速内存控制器与物理层IP与配套晶圆基底封装(COWOS)的设计挑战及创意电子提供的相应解决方案。为了评估这一概念,HBM与CoWoS的原型采用台积电16纳米CMOS实现。从硅验证的结果也证明了整套方案的有效性。这些技术包括:HMB2高速内存控制器、HMB2高速内存物理层和台积电所提供的CoWoS封装。所提出的方法都是对高性能计算芯片所需高带宽的有效解决方案并减少面积与功耗开销。
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关键词
高性能计算
第二代高带宽存储器
晶圆基底封装
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职称材料
题名
一种用于高性能计算的高速内存和封装解决方案
1
作者
陈宏铭
黄
昱
人
蔡鸿寅
朱伟涛
黄
耀林
机构
创意电子股份有限公司
出处
《中国集成电路》
2018年第12期29-36,共8页
文摘
HBM高速内存接口设计解决现代DDR的两个关键问题,它增加了内存的可用带宽与降低功耗。本文介绍了第二代高带宽存储器(HMB2)高速内存控制器与物理层IP与配套晶圆基底封装(COWOS)的设计挑战及创意电子提供的相应解决方案。为了评估这一概念,HBM与CoWoS的原型采用台积电16纳米CMOS实现。从硅验证的结果也证明了整套方案的有效性。这些技术包括:HMB2高速内存控制器、HMB2高速内存物理层和台积电所提供的CoWoS封装。所提出的方法都是对高性能计算芯片所需高带宽的有效解决方案并减少面积与功耗开销。
关键词
高性能计算
第二代高带宽存储器
晶圆基底封装
Keywords
High-performance Computing
High Bandwidth Memory Gen2
Chip-on-Wafer-on-Substrate
分类号
TP38 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种用于高性能计算的高速内存和封装解决方案
陈宏铭
黄
昱
人
蔡鸿寅
朱伟涛
黄
耀林
《中国集成电路》
2018
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