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反向混合并联Micro LED/OLED显示器件的驱动IC控制
1
作者 夏志明 陈明真 +5 位作者 黄忠航 何爽 张恺馨 孙捷 严群 郭太良 《福州大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2024年第2期155-160,共6页
提出一种集成蓝光微发光二极管(Micro LED)和红绿光有机发光二极管(OLED),具有特殊子像素排列的新型无源驱动全彩显示器件.该器件无需巨量转移就可实现全彩化显示,且较传统全彩OLED及Micro LED,器件效率更高,寿命更长.另外,将蓝色与绿... 提出一种集成蓝光微发光二极管(Micro LED)和红绿光有机发光二极管(OLED),具有特殊子像素排列的新型无源驱动全彩显示器件.该器件无需巨量转移就可实现全彩化显示,且较传统全彩OLED及Micro LED,器件效率更高,寿命更长.另外,将蓝色与绿色子像素反向并联,可以减少电极走线,提高器件像素密度.针对该器件的特殊结构,设计一套全新的驱动方案,具体以现场可编程逻辑门阵列FPGA作为主控制器,利用驱动芯片提供稳定的电流点亮LED,实现器件的全彩显示.通过仿真测试进一步验证了该器件良好工作的可行性. 展开更多
关键词 微发光二极管 有机发光二极管 显示驱动 无源驱动 全彩显示
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(100)与(111)晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术
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作者 杜佳怡 聂君扬 +5 位作者 孙捷 林畅 吴大磊 杨天溪 黄忠航 严群 《光电子技术》 CAS 2023年第1期1-6,共6页
采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不... 采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不损伤硅基驱动芯片的前提下实现了选择性去除硅基氮化镓外延衬底,是一种材料混合集成的新技术,有望应用于自对准硅基Micro-LED微显示器件制程和光电子器件集成领域。 展开更多
关键词 硅基微米级发光二极管 巨量转移 硅基互补金属氧化物半导体 热压键合 选择性刻蚀
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光栅和随机粗糙表面对微型LED光提取效率的提升作用 被引量：1
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作者 王海 严群 +2 位作者 杨天溪 黄忠航 孙捷 《微纳电子与智能制造》 2021年第3期72-78,共7页
在显示技术日益发展的今天,微型LED作为下一代光源,在技术指标上具有绝对的优势。但是,目前光提取效率的研究主要集中于LED,而针对微型LED的却很少。通过对光栅和随机粗糙表面的数值计算,分别研究了梯形结构的光栅和基于W-M分形函数的... 在显示技术日益发展的今天,微型LED作为下一代光源,在技术指标上具有绝对的优势。但是,目前光提取效率的研究主要集中于LED,而针对微型LED的却很少。通过对光栅和随机粗糙表面的数值计算,分别研究了梯形结构的光栅和基于W-M分形函数的随机粗糙表面对微型LED光提取效率的影响。结果表明,梯形光栅可以将光提取效率提升到57.3%,二维随机粗糙表面可以将光提取效率提升至49.52%,三维随机粗糙表面可以实现52.63%的光提取效率。与无此类结构的器件相比,这些对出光面的处理均不同程度地对光提取效率有提升作用,可作为微型LED设计的参考。 展开更多
关键词 微型LED 光栅 粗糙表面 光提取效率 W-M分形函数
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极性相反结构的micro-LED和OLED混合集成显示器件的驱动
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作者 何爽 胡兴元 +7 位作者 黄忠航 夏志明 陈绍杭 刘明洋 杨天溪 周雄图 严群 孙捷 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期197-203,共7页
本文提出一种由OLED和micro-LED反向并联组成的AC全彩显示器件。该器件由二者按相反极性结构并联而成,能改善传统器件不同颜色子像素之间的亮度和光效不均匀等问题,兼具高发光效率、高像素密度和长时间工作寿命等优点。同时,本文提出了... 本文提出一种由OLED和micro-LED反向并联组成的AC全彩显示器件。该器件由二者按相反极性结构并联而成,能改善传统器件不同颜色子像素之间的亮度和光效不均匀等问题,兼具高发光效率、高像素密度和长时间工作寿命等优点。同时,本文提出了一种与之适配的反向并联显示器件专用驱动方案。新型显示器件能够改善传统单一元素显示器件的亮度和光效不均匀性,显示方案的提出能够解决传统驱动方案不适配AC显示器件反向并联结构的驱动问题。 展开更多
关键词 micro-LED OLED 极性相反 显示驱动
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高分辨率主动驱动型氮化镓基Micro-LED芯片的制备 被引量：2
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作者 黄铭水 聂君扬 +8 位作者 刘明洋 李洋 潘魁 邓俐颖 杨天溪 黄忠航 孙捷 严群 郭太良 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1553-1560,共8页
本文设计并制备了一款分辨率为1920×1080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP(InductivelyCoupled Plasma)刻蚀的方法完成电流扩展层的图案化和台面刻蚀,实现了电流扩展层和台面的自对准。同时,在制作过程中用HMDS(Hexamethyldis... 本文设计并制备了一款分辨率为1920×1080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP(InductivelyCoupled Plasma)刻蚀的方法完成电流扩展层的图案化和台面刻蚀,实现了电流扩展层和台面的自对准。同时,在制作过程中用HMDS(Hexamethyldisiloxane)提高光刻胶附着力,从根本上提高小尺寸台面刻蚀的一致性和完整性。此外,通过垫高N型电极解决了传统倒装芯片中P型电极和N型电极不等高的问题,有利于显示芯片与驱动芯片的键合。该芯片尺寸为17.78 mm(0.7 in),发光单元尺寸为6μm,像素周期为8μm,像素密度达到3129 PPI。I-V测试数据表明,所制备的Micro-LED的开启电压仅为3.5 V。 展开更多
关键词 Micro-LED 高分辨率 倒装芯片 刻蚀
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