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PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究
1
作者
刘得伟
段金炽
+2 位作者
黄
四
江
林作亮
普世坤
《云南冶金》
2021年第3期91-96,共6页
针对物理气相传输(PVT)方法生长6英寸4H-SiC单晶的工艺过程,研究了晶体生长的生长温度、温度梯度和生长腔室内气压对晶体生长的影响。通过实验的方式,着重研究不同温度梯度下生长的碳化硅单晶质量,确定出合理的碳化硅单晶生长工艺,成功...
针对物理气相传输(PVT)方法生长6英寸4H-SiC单晶的工艺过程,研究了晶体生长的生长温度、温度梯度和生长腔室内气压对晶体生长的影响。通过实验的方式,着重研究不同温度梯度下生长的碳化硅单晶质量,确定出合理的碳化硅单晶生长工艺,成功得到直径153 mm、厚度11 mm的晶锭。对该晶体使用拉曼光谱仪进行晶型检测,6英寸4H-SiC的面积达100%。
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关键词
碳化硅(SiC)
物理气相传输(PVT)
单晶
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职称材料
题名
PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究
1
作者
刘得伟
段金炽
黄
四
江
林作亮
普世坤
机构
云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
昆明云锗高新技术有限公司
云南中科鑫圆晶体材料有限公司
云南鑫耀半导体材料有限公司
出处
《云南冶金》
2021年第3期91-96,共6页
基金
云南省科学技术厅重大科技专项(2019ZE00704)。
文摘
针对物理气相传输(PVT)方法生长6英寸4H-SiC单晶的工艺过程,研究了晶体生长的生长温度、温度梯度和生长腔室内气压对晶体生长的影响。通过实验的方式,着重研究不同温度梯度下生长的碳化硅单晶质量,确定出合理的碳化硅单晶生长工艺,成功得到直径153 mm、厚度11 mm的晶锭。对该晶体使用拉曼光谱仪进行晶型检测,6英寸4H-SiC的面积达100%。
关键词
碳化硅(SiC)
物理气相传输(PVT)
单晶
Keywords
silicon carbide(SiC)
physical vapor transport(PVT)
single crystal
分类号
TQ163.4 [化学工程—高温制品工业]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究
刘得伟
段金炽
黄
四
江
林作亮
普世坤
《云南冶金》
2021
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