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慕课视域下高校思想政治理论课教学改革初探 被引量:3
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作者 《科技资讯》 2016年第24期135-136,共2页
慕课是现代信息化技术和大数据技术迅速发展的产物,这种以数字化、信息化和网络化为特征的新的教学形式,颠覆了传统的教育教学模式,在出现之后以燎原之势迅速席卷了全球多个国家,并进入了我国教育教学领域,在我国多个学科教育领域都产... 慕课是现代信息化技术和大数据技术迅速发展的产物,这种以数字化、信息化和网络化为特征的新的教学形式,颠覆了传统的教育教学模式,在出现之后以燎原之势迅速席卷了全球多个国家,并进入了我国教育教学领域,在我国多个学科教育领域都产生了重要的影响。也正是因此,慕课在高校思想政治教学中的应用也被很多高校提上了教改的日程。在这样的背景下,该文针对慕课视域下高校思想政治理论课教学改革的相关问题进行了研究。该文首先在阐述了慕课的基本特征的基础上,分析了慕课带给高校思想政治理论课教学的启示,然后又在此基础之上,进一步探讨了慕课视域下高校思想政治理论课教学改革所应考虑的问题,希望对高校思想政治理论课教学的高效开展能够有所启发。 展开更多
关键词 慕课 思想政治理论课 教学改革 高校
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精制对魔芋葡甘聚糖及其与κ-卡拉胶复配凝胶性质的影响 被引量:4
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作者 焦晓佳 邓坤鑫 +7 位作者 许玲玲 朱艳冰 林坤城 姜泽东 倪辉 李清彪 郑明静 《食品工业科技》 CAS 北大核心 2022年第16期81-89,共9页
本论文主要研究魔芋葡甘聚糖(Konjac glucomannan,KGM)的精制条件及精制前后的KGM与κ-卡拉胶复配凝胶的理化性质和结构表征,并进一步解析KGM的理化性质与其复配体系凝胶特性之间的相关性。结果表明,KGM的最佳精制条件为:乙醇浓度为60%... 本论文主要研究魔芋葡甘聚糖(Konjac glucomannan,KGM)的精制条件及精制前后的KGM与κ-卡拉胶复配凝胶的理化性质和结构表征,并进一步解析KGM的理化性质与其复配体系凝胶特性之间的相关性。结果表明,KGM的最佳精制条件为:乙醇浓度为60%,溶胀时间为2 h,溶胀温度为50℃;在此精制条件下的KGM的葡甘聚糖含量、粘度、亮度和白度分别增加了34.43%、128.55%、17.94%和28.29%,其与κ-卡拉胶复配体系的凝胶强度、硬度、咀嚼性和胶着性分别显著提高了47.39%、60.47%、55.44%和45.87%(P<0.05),复配体系的氢键作用力增强,凝胶网络结构更加平滑紧密;相关性分析结果表明,精制后KGM的葡甘聚糖含量、粘度、色泽、气味是提高复配体系凝胶特性等品质的关键因素。本论文为开发高凝胶强度的KGM与卡拉胶复配凝胶的研究提供了一种高效简单的精制KGM的方法,并为后续精制KGM的工业化生产奠定了理论基础。 展开更多
关键词 魔芋葡甘聚糖 精制 Κ-卡拉胶 结构 凝胶特性
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1.6GHz高线性高效率驱动放大器设计 被引量:2
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作者 李卫民 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第7期31-33,37,共4页
在0.35μm射频CMOS工艺下,设计了一种可应用于发射终端的1.6 GHz驱动放大器.该放大器采用两级结构,第一级采用共源共栅结构,其中共源输入由两个分别工作在AB类和B类状态的并联放大管构成,提高了放大器的线性度和效率.第二级采用工作在B... 在0.35μm射频CMOS工艺下,设计了一种可应用于发射终端的1.6 GHz驱动放大器.该放大器采用两级结构,第一级采用共源共栅结构,其中共源输入由两个分别工作在AB类和B类状态的并联放大管构成,提高了放大器的线性度和效率.第二级采用工作在B类状态的共源放大结构,进一步提高了驱动放大器的性能.仿真结果显示,放大器的最大输出三阶交调点为17.3 dBm,功率增加效率为57%,输出饱和功率为18.5 dBm,功率增益为26 dB,在3.3 V电压下总的电流消耗为5.4 mA. 展开更多
关键词 驱动放大器 线性度 效率
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一种基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性混频器
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作者 段昊阳 权海洋 +5 位作者 王盟皓 张秋艳 崔旭彤 侯训平 张超轩 《微电子学与计算机》 2023年第12期95-101,共7页
设计了一种低本振驱动的高线性混频器,重点关注混频器的线性度性能和本振驱动功率问题.混频器的核心电路结构包含比较器,本振驱动器,双平衡无源混频器和带隙基准电路.为了提供本振信号通路的单端转差分功能,以及减小混频器对本振驱动功... 设计了一种低本振驱动的高线性混频器,重点关注混频器的线性度性能和本振驱动功率问题.混频器的核心电路结构包含比较器,本振驱动器,双平衡无源混频器和带隙基准电路.为了提供本振信号通路的单端转差分功能,以及减小混频器对本振驱动功率的要求,引入比较器和本振驱动器,并采用双平衡无源混频器提供良好的线性度.采用0.18µm的SiGe双极兼容互补金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺,同时支持上变频和下变频功能.实测结果表明,射频端口可覆盖6~18 GHz频段的信号,中频端口可覆盖0~6 GHz频段的信号;下变频时和上变频时的变频损耗典型值分别为-10.0 dB和-9.8 dB;IIP3在工作频段内的最大值分别为23.0 dBm和23.4 dBm;功耗为500 mW.在实现高线性度混频器的基础上,减小了输入本振功率的需求,提高了高线性混频器的实用性. 展开更多
关键词 无源混频器 低本振驱动 高线性混频器 BICMOS
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