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直流磁控溅射法在Mg-Li合金表面沉积TiN薄膜提高合金抗腐性的研究
被引量：
3
1
作者
高福
毅
陈玉强
+2 位作者
彭鸿雁
薛晓宇
姜宏伟
《牡丹江师范学院学报（自然科学版）》
2010年第1期13-16,共4页
TiN薄膜具有良好的抗腐蚀性,采用直流磁控溅射法低温下合成TiN薄膜可以节约能源,简化工艺.采用直流磁控溅射法在Mg-Li合金表面沉积TiN膜,TiN膜厚度约为1.6μm,靶材为纯度99.99%的钛靶.用X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜的成分,薄膜的表面形...
TiN薄膜具有良好的抗腐蚀性,采用直流磁控溅射法低温下合成TiN薄膜可以节约能源,简化工艺.采用直流磁控溅射法在Mg-Li合金表面沉积TiN膜,TiN膜厚度约为1.6μm,靶材为纯度99.99%的钛靶.用X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜的成分,薄膜的表面形貌用扫描隧道显微镜(SEM)以及原子力电子显微镜(AFM)来表征.将样品放入浓度为3.5%的NaCl溶液中进行腐蚀实验,结果镀TiN膜的镁锂合金样品析氢速率很慢;用SEM进行腐蚀表面观察,未镀TiN薄膜的合金表面比镀TiN薄膜的合金表面腐蚀严重,说明在Mg-Li合金表面沉积TiN薄膜提高了镁锂合金的抗腐蚀性.
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关键词
镁锂合金
TIN薄膜
抗腐蚀性
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职称材料
直流热阴极PCVD法CH_4:N_2:H_2气氛下制备纳米金刚石膜
被引量：
1
2
作者
姜宏伟
王军
+3 位作者
高福
毅
陈奇
陈玉强
彭鸿雁
《真空》
CAS
北大核心
2010年第5期35-38,共4页
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,在CH4:H2中加入N2改变等离子体能量分布状态,提高二次形核比例,制备纳米金刚石膜。在CH4:H2气体中,在不同压力和温度下,改变通入N2的比例,分析直流热阴极等离子体放电下N2对金刚石膜生长...
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,在CH4:H2中加入N2改变等离子体能量分布状态,提高二次形核比例,制备纳米金刚石膜。在CH4:H2气体中,在不同压力和温度下,改变通入N2的比例,分析直流热阴极等离子体放电下N2对金刚石膜生长的影响。采用拉曼光谱仪、扫描电镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)对样品进行了表征,结果表明,直流热阴极PCVD系统中,CH4:N2:H2气氛下,N2流量小于气体总流量的50%时,在6×103 Pa、850℃条件下,制备的金刚石膜样品的晶粒小于100nm、金刚石1332 cm-1特征峰展宽且强度较高、金刚石的XRD衍射峰强度也较高,具备纳米金刚石膜的基本特征。因此,利用直流热阴极PCVD方法,在较低温度和气压下,CH4:H2中加入少量N2,可以制备出纳米金刚石膜。
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关键词
直流热阴极
PCVD
纳米金刚石膜
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职称材料
题名
直流磁控溅射法在Mg-Li合金表面沉积TiN薄膜提高合金抗腐性的研究
被引量：
3
1
作者
高福
毅
陈玉强
彭鸿雁
薛晓宇
姜宏伟
机构
牡丹江师范学院新型碳基功能与超硬材料省级重点实验室
哈尔滨工程大学超轻材料与表面技术教育部重点实验室
东北师范大学物理实验室
出处
《牡丹江师范学院学报（自然科学版）》
2010年第1期13-16,共4页
文摘
TiN薄膜具有良好的抗腐蚀性,采用直流磁控溅射法低温下合成TiN薄膜可以节约能源,简化工艺.采用直流磁控溅射法在Mg-Li合金表面沉积TiN膜,TiN膜厚度约为1.6μm,靶材为纯度99.99%的钛靶.用X射线衍射仪(XRD)来表征薄膜的成分,薄膜的表面形貌用扫描隧道显微镜(SEM)以及原子力电子显微镜(AFM)来表征.将样品放入浓度为3.5%的NaCl溶液中进行腐蚀实验,结果镀TiN膜的镁锂合金样品析氢速率很慢;用SEM进行腐蚀表面观察,未镀TiN薄膜的合金表面比镀TiN薄膜的合金表面腐蚀严重,说明在Mg-Li合金表面沉积TiN薄膜提高了镁锂合金的抗腐蚀性.
关键词
镁锂合金
TIN薄膜
抗腐蚀性
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
直流热阴极PCVD法CH_4:N_2:H_2气氛下制备纳米金刚石膜
被引量：
1
2
作者
姜宏伟
王军
高福
毅
陈奇
陈玉强
彭鸿雁
机构
牡丹江师范学院新型炭基功能与超硬材料省重点实验室
出处
《真空》
CAS
北大核心
2010年第5期35-38,共4页
基金
黑龙江省教育厅2009科学技术研究面上项目(项目编号:11541377)
2008年黑龙江省研究生创新科研项目(YJSCX2008-206HLJ)
文摘
采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(PCVD)技术,在CH4:H2中加入N2改变等离子体能量分布状态,提高二次形核比例,制备纳米金刚石膜。在CH4:H2气体中,在不同压力和温度下,改变通入N2的比例,分析直流热阴极等离子体放电下N2对金刚石膜生长的影响。采用拉曼光谱仪、扫描电镜(SEM)和X射线衍射分析仪(XRD)对样品进行了表征,结果表明,直流热阴极PCVD系统中,CH4:N2:H2气氛下,N2流量小于气体总流量的50%时,在6×103 Pa、850℃条件下,制备的金刚石膜样品的晶粒小于100nm、金刚石1332 cm-1特征峰展宽且强度较高、金刚石的XRD衍射峰强度也较高,具备纳米金刚石膜的基本特征。因此,利用直流热阴极PCVD方法,在较低温度和气压下,CH4:H2中加入少量N2,可以制备出纳米金刚石膜。
关键词
直流热阴极
PCVD
纳米金刚石膜
Keywords
DC hot-cathode
PCVD
nanocrystalline diamond film
分类号
O613.71 [理学—无机化学]
TQ163 [理学—化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直流磁控溅射法在Mg-Li合金表面沉积TiN薄膜提高合金抗腐性的研究
高福
毅
陈玉强
彭鸿雁
薛晓宇
姜宏伟
《牡丹江师范学院学报（自然科学版）》
2010
3
下载PDF
职称材料
2
直流热阴极PCVD法CH_4:N_2:H_2气氛下制备纳米金刚石膜
姜宏伟
王军
高福
毅
陈奇
陈玉强
彭鸿雁
《真空》
CAS
北大核心
2010
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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