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热处理方式对GCr15钢与Si_3N_4副干摩擦磨损性能的影响 被引量：5
1
作者 李庆忠 朱强 +1 位作者 李东炬 高渊魁 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期26-29,共4页
对GCr15钢进行网带炉热处理和盐浴炉热处理,在自制的快速磨损试验装置上,以Si_3N_4陶瓷球为对偶件,研究不同热处理方式对GCr15钢干摩擦磨损性能的影响;利用白光共焦三维形貌轮廓仪和扫描电子显微镜观察磨损表面形貌,结合SPIP三维图形分... 对GCr15钢进行网带炉热处理和盐浴炉热处理,在自制的快速磨损试验装置上,以Si_3N_4陶瓷球为对偶件,研究不同热处理方式对GCr15钢干摩擦磨损性能的影响;利用白光共焦三维形貌轮廓仪和扫描电子显微镜观察磨损表面形貌,结合SPIP三维图形分析软件计算GCr15钢体积磨损量。研究表明:与盐浴炉热处理相比,GCr15钢网带炉热处理后与Si_3N_4陶瓷球在多组试验条件下的平均干摩擦体积磨损量更小,磨损性能更优;两种热处理方式的磨损失效原因均为疲劳磨损,但网带炉热处理后GCr15钢的磨损性能提高,试验后磨损表面相对较光滑、疲劳裂纹较少,表面的局部塑性变形减小。 展开更多
关键词 摩擦磨损 热处理方式 GCR15钢 SI3N4
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精细雾化抛光氮化硅陶瓷的抛光液配制参数优化 被引量：1
2
作者 李庆忠 高渊魁 朱强 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期282-285,共4页
采用超声精细雾化施液抛光对氮化硅陶瓷基体进行抛光,研究了不同的pH值、磨料浓度以及氧化剂含量对氮化硅陶瓷基体抛光的材料去除率的影响,优化了pH值、磨料浓度及氧化剂含量,并与传统的化学机械抛光进行了对比。结果表明:当二氧化硅磨... 采用超声精细雾化施液抛光对氮化硅陶瓷基体进行抛光,研究了不同的pH值、磨料浓度以及氧化剂含量对氮化硅陶瓷基体抛光的材料去除率的影响,优化了pH值、磨料浓度及氧化剂含量,并与传统的化学机械抛光进行了对比。结果表明:当二氧化硅磨粒质量分数为5wt%,氧化剂含量为1wt%,pH值为8时,材料去除率MRR为108.24nm/min且表面粗糙度Ra为3.39nm。在相同的抛光参数下,传统化学机械抛光的材料去除率MRR为125nm/min,表面粗糙度Ra为2.13nm;精细雾化抛光的材料去除率及表面粗糙度与传统抛光接近,但精细雾化抛光所用抛光液用量仅为传统抛光所用抛光液用量的1/9。 展开更多
关键词 化学机械抛光 PH值 SiO2磨料 精细雾化 氮化硅陶瓷
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雾化抛光氮化硅陶瓷基体的工艺参数优化
3
作者 李庆忠 高渊魁 朱强 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2017年第11期95-99,共5页
通过正交试验对氮化硅陶瓷基体进行超声精细雾化抛光,研究抛光工艺参数(抛光液流量、抛光压力、抛光盘转速)对抛光速率和表面粗糙度的影响。以抛光后氮化硅陶瓷的材料去除率和表面粗糙度为评价指标,根据正交试验结果得到最优参数组合,... 通过正交试验对氮化硅陶瓷基体进行超声精细雾化抛光,研究抛光工艺参数(抛光液流量、抛光压力、抛光盘转速)对抛光速率和表面粗糙度的影响。以抛光后氮化硅陶瓷的材料去除率和表面粗糙度为评价指标,根据正交试验结果得到最优参数组合,并与传统的抛光效果进行试验对比。结果表明:研究的3种参数中,对材料去除率的影响程度由高到低依次为雾液流量、抛光压力、抛光盘转速,对抛光后工件表面粗糙度的影响程度由高到低依次为抛光盘转速、雾液流量、抛光压力;在相同的实验条件下,精细雾化抛光的材料去除率与表面粗糙度与传统抛光接近,但精细雾化抛光的抛光液用量仅为传统用量的12.5%,有效减少了资源的浪费。 展开更多
关键词 正交试验 工艺参数 雾化抛光 氮化硅陶瓷 表面粗糙度
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