期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
单缺陷对Sc,Ti,V修饰石墨烯的结构及储氢性能的影响 被引量:1
1
作者 马丽娟 韩婷 +2 位作者 高升 贾建峰 武海顺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第21期391-400,共10页
寻找稳定高效的储氢材料是实现氢经济的关键.过渡金属修饰石墨烯储氢材料在理论上被广泛研究,但存在H2解离和金属团聚的问题.本文基于密度泛函理论对Sc,Ti,V修饰单缺陷石墨烯的结构及储氢性能进行计算.结果表明:单缺陷使Sc,Ti,V与石墨... 寻找稳定高效的储氢材料是实现氢经济的关键.过渡金属修饰石墨烯储氢材料在理论上被广泛研究,但存在H2解离和金属团聚的问题.本文基于密度泛函理论对Sc,Ti,V修饰单缺陷石墨烯的结构及储氢性能进行计算.结果表明:单缺陷使Sc,Ti,V与石墨烯的结合能提高4—5倍;Sc,Ti,V离子特性增强,可以通过静电相互作用吸附7,3和4个分子形式的氢;平均氢分子吸附能分别为–0.13,–0.20和–0.18 e V,处于室温和中等压力下储氢的最佳能量范围.而Sc,Ti,V修饰的完整石墨烯上第1个氢解离吸附,氢分子吸附能分别为–1.34,–1.34和–1.16 e V.特别重要的是,Sc,V修饰的缺陷石墨烯吸附和脱附氢分子过程中重构能仅为0.00 e V和0.03 e V,对实现快速吸放氢气非常有利.本研究将有利于深入认识3d过渡金属修饰碳材料的储氢机理. 展开更多
关键词 储氢 缺陷石墨烯 过渡金属 密度泛函理论
下载PDF
Sc,Ti,V修饰B/N掺杂单缺陷石墨烯的储氢研究 被引量:1
2
作者 马丽娟 高升 +2 位作者 荣祎斐 贾建峰 武海顺 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期2842-2851,共10页
3d过渡金属修饰是改善石墨烯储氢性能的最有效途径,但仍存在金属团聚和H_(2)解离导致难以脱附的问题.提出了B/N掺杂单缺陷石墨烯(BMG/NMG)的策略来避免以上两个问题.密度泛函理论计算结果表明,N掺杂可以使Sc,Ti,V与石墨烯的结合能提高3~... 3d过渡金属修饰是改善石墨烯储氢性能的最有效途径,但仍存在金属团聚和H_(2)解离导致难以脱附的问题.提出了B/N掺杂单缺陷石墨烯(BMG/NMG)的策略来避免以上两个问题.密度泛函理论计算结果表明,N掺杂可以使Sc,Ti,V与石墨烯的结合能提高3~4倍,B掺杂可以将Sc与石墨烯的结合能提高3倍.Sc/BMG和Sc/NMG吸附的第一个H_(2)不会解离.Sc/BMG中Sc吸附5个H_(2),平均氢分子结合能为−0.18~−0.43 eV,并且可以通过在同侧锚定多个Sc原子形成Sc/C3B2五元环增加H_(2)吸附位点.Sc/NMG中每个Sc吸附6个H_(2),平均氢分子结合能为−0.17~−0.29 eV,还可以通过在异侧修饰形成Sc/N3/Sc单元进一步提高储氢能力.研究结果将为设计基于3d过渡金属修饰碳材料的储氢材料提供理论基础. 展开更多
关键词 储氢 硼/氮掺杂 单缺陷石墨烯 过渡金属 密度泛函理论
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部