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题名功率VDMOS器件用硅外延材料研制
被引量：2
- 1
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作者
马林宝
顾爱军
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机构
南京电子器件研究所
中国电子科技集团公司第
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出处
《电子与封装》
2011年第9期38-42,共5页
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文摘
文章阐述了硅功率VDMOS器件的基本原理和器件结构,也展现了作为电力电子器件其广阔的应用领域,提出了功率VDMOS器件对硅外延材料的要求和发展方向。依据功率器件对外延片的要求,通过优化外延工艺程序和优化外延工艺参数,消除或减弱了自掺杂对电阻率均匀性的影响,消除了过渡区对厚度均匀性的影响,也较好地控制了外延层中的结构缺陷和表面形貌,研制出了符合功率器件的大尺寸外延材料。同时,详细研究了硅外延材料参数与VDMOS功率器件电性能参数之间的对应关系,为功率器件的发展和普及奠定了基础。
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关键词
外延
颗粒
电阻率
厚度
均匀性
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Keywords
epitaxy
particle
resistivity
thickness
uniformity
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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题名FRED的特性参数及其外延材料的研制
被引量：2
- 2
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作者
马林宝
肖志强
顾爱军
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机构
南京电子器件研究所
中国电子科技集团公司第
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出处
《电子与封装》
2012年第12期36-39,共4页
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文摘
随着绿色节能产品的发展,高频开关电源的应用越来越深入和广泛。高频大功率开关电路中主开关器件与快恢复二极管(FRED)配合使用,性能良好的FRED对提高开关电源的总体性能是至关重要的。文章对FRED的特性参数给出详细的描述,对一些关键参数与外延层的关系进行了探讨。依据FRED对外延片的特殊要求,选用缺陷低和特殊背损的衬底片,采取特殊外延工艺技术,减少外延层缺陷,使片内均匀性达到2%以下。
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关键词
FRED
高频开关功率管
缓冲层
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Keywords
FRED
high frequency switch power transistor
buffer layer
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名一种变温变掺杂流量的埋层外延生长方法
被引量：3
- 3
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作者
赵建君
肖建农
马林宝
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机构
南京国盛电子有限公司
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出处
《电子与封装》
2016年第1期34-37,共4页
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文摘
在已经制作有埋层的衬底上生长外延层,为了控制图形畸变和漂移而选取了较高的工艺温度,导致了严重的自掺杂。通过对比实验探讨了常用的双层外延工艺和变温变掺杂流量工艺对于抑制自掺杂的效果。在一定的埋层掺杂浓度范围内,需要采用变温变掺杂流量工艺,才能使外延层纵向载流子浓度分布(SRP)满足器件要求。
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关键词
埋层外延
变温变掺杂流量
纵向载流子浓度分布(SRP)
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Keywords
buried-layer epitaxy
varying temperature varying doping flow
spreading resistance profiles （SRP）
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分类号
TN305.5
[电子电信—物理电子学]
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