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聚合物半导体电致发光显示器件 被引量:29
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作者 李晓常 孙景志 +1 位作者 沈家骢 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期309-314,共6页
列举了聚合物半导体发光显示器件(PLED)近年来取得的主要突破性成果.简要介绍了PLED的工作原理,阐述了影响PLED量子效率的因素.以最近常用的多层PLED为重点,介绍了载流子传输聚合物的设计、合成及其在PLED中... 列举了聚合物半导体发光显示器件(PLED)近年来取得的主要突破性成果.简要介绍了PLED的工作原理,阐述了影响PLED量子效率的因素.以最近常用的多层PLED为重点,介绍了载流子传输聚合物的设计、合成及其在PLED中的作用.最后,对PLED的主要用途。 展开更多
关键词 聚合物半导体 电致发光 显示器件 PLED
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用于电子传输材料的含噻吩环噁二唑衍生物的合成(英文) 被引量:27
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作者 张志明 李国文 +3 位作者 吴芳 田文晶 沈家骢 《有机化学》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2000年第4期529-532,共4页
在有机电致发光器件研究中,电子传输材料占有特殊重要的地位。但现存的材料存在着不同的缺点。因噁二唑环的高的电子亲和性,噁二唑衍生物是常见的电子传输材料,如:2-(4- 叔丁苯基)-5-联苯基噁二唑(PBD),但容易结晶和低的电子亲和性限制... 在有机电致发光器件研究中,电子传输材料占有特殊重要的地位。但现存的材料存在着不同的缺点。因噁二唑环的高的电子亲和性,噁二唑衍生物是常见的电子传输材料,如:2-(4- 叔丁苯基)-5-联苯基噁二唑(PBD),但容易结晶和低的电子亲和性限制了它的应用。为了得到新的有效的电子传输材料,本文以噻吩为起始反应物经过二碘代、羧酸化、酯化、氨解等步骤合成了噻吩二酰肼,再通过噻吩二酰肼与相应的取代苯甲酰氯缩合、关环的方法将富电子的噻吩环和高电子亲和性的噻吩环同时引入,合成了三种新的含噻吩环噁二唑衍生物2,5-双[2,2’-双(5-取代苯基)-1,3,4-噁二唑]噻吩(R-OXD R=H,OCH_3,CH_3)。同时,采用循环伏安法对其电化学性能进行了测定。这三种化合物都在负方向出现了-对可逆的氧化还原峰,由此得到其电子亲和势(EA)分别为-3.10eV,-3.07eV和-3.08eV,其EA值都高于常用的电子传输材料PBD。R-OXD的高电子亲和势有利于电子从阴极注入。并且由时间渡越法(TOF)测得R-OXD的电子迁移率达到10^(-4)cm^2/V.S(E=10~6V/cm)。所以R-OXD有可能是好的电子传输材料。 展开更多
关键词 电子传输材料 噻吩环恶二唑衍生物 合成
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含噻吩环噁二唑衍生物的合成及电化学性能研究 被引量:18
3
作者 张志明 李国文 +3 位作者 吴芳 田文晶 沈家骢 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期1719-1722,共4页
合成了新的化合物 2 ,5-双 [2 ,2 -双 ( 5-取代苯基 ) -1 ,3,4 -二唑 ]噻吩 ( R— OXD) ( R=H,CH3O,CH3,F,CN) ,用 1 H NMR和元素分析对其进行了表征 .同时 ,采用循环伏安法对其电化学性能进行了测试 .结果表明 ,除了 F— OXD外 ,这... 合成了新的化合物 2 ,5-双 [2 ,2 -双 ( 5-取代苯基 ) -1 ,3,4 -二唑 ]噻吩 ( R— OXD) ( R=H,CH3O,CH3,F,CN) ,用 1 H NMR和元素分析对其进行了表征 .同时 ,采用循环伏安法对其电化学性能进行了测试 .结果表明 ,除了 F— OXD外 ,这一系列化合物的电子亲和势高于常用电子传输材料 PBD,说明它们的电子传输材料性能优良 . 展开更多
关键词 噻吩 恶二唑衍生物 电子亲和势 电离势
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光电高分子材料的研究进展 被引量:25
4
作者 黄飞 薄志山 +12 位作者 耿延候 王献红 王利祥 侯剑辉 胡文平 裴坚 董焕丽 王树 李振 帅志刚 李永舫 曹镛 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第10期988-1046,共59页
光电活性共轭高分子是高分子科学的前沿研究方向.共轭高分子光电材料的研究在中国引起了学术界的广泛兴趣,中国的学者们对推动此研究领域的发展做出了重要贡献,并在新的高性能光电共轭高分子的分子设计、新型及可控聚合、性能调控以及... 光电活性共轭高分子是高分子科学的前沿研究方向.共轭高分子光电材料的研究在中国引起了学术界的广泛兴趣,中国的学者们对推动此研究领域的发展做出了重要贡献,并在新的高性能光电共轭高分子的分子设计、新型及可控聚合、性能调控以及光电应用等方面取得了一系列重要的创新成果.本文总结和评述了中国学者在光电高分子领域的研究成果与最新进展,并展望了其未来的发展. 展开更多
关键词 光电高分子 共轭高分子 高分子合成 有机光电材料与器件 理论研究
原文传递
低聚芴及其衍生物吸收和发射光谱性质的量子化学研究 被引量:19
5
作者 王继芬 封继康 +2 位作者 任爱民 刘晓冬 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期676-680,共5页
用 DFT/ B3 LYP方法对低聚物 ( PF) 2 n和 ( PFDBO) n( n=1— 4)体系进行了全优化 ,计算得到两个系列低聚物的电离能 PI( v,a)、电子亲和势 EA( v,a)、空穴抽取能 EHP和电子抽取能 EEP等相关能量 ,并用 ZINDO和 TD-DFT方法计算其吸收光... 用 DFT/ B3 LYP方法对低聚物 ( PF) 2 n和 ( PFDBO) n( n=1— 4)体系进行了全优化 ,计算得到两个系列低聚物的电离能 PI( v,a)、电子亲和势 EA( v,a)、空穴抽取能 EHP和电子抽取能 EEP等相关能量 ,并用 ZINDO和 TD-DFT方法计算其吸收光谱 ,分析了两系列总能量和 HOMO-LUMO能隙随 n递增的变化规律及对低聚物稳定性和光谱性质的影响 ,推断高聚物的发光性质 .用 CIS方法优化低聚物的 S1激发态结构并分析其与发射光谱的关系 .计算结果表明 ,这两个系列低聚物激发态结构中都有使所有骨架原子共平面的趋势 .由于插入 CH2 OCH2 ,使 PFDBO的七元环部分发生较大的扭曲 (两个苯环间成 42 .5°± 0 .5°的二面角 ) ,致使有效共轭链被破坏、能带带隙变宽、吸收发射光谱波长变短 . 展开更多
关键词 低聚芴 衍生物 吸收光谱 发射光谱 量子化学 密度泛函理论
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有机/聚合物电致发光器件中层间的能带匹配对器件发光性质的影响 被引量:13
6
作者 吴芳 田文晶 +2 位作者 沈家骢 倪燕如 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期158-163,共6页
对几种有机/聚合物电致发光材料的能带结构进行了表征,设计了几种结构的器件,并对它们进行了性质比较.结果表明,通过各种材料间合理的能带匹配,可以获得综合性能较好的电致发光器件.
关键词 有机/聚合物 电致发光器件 能带匹配 发光性质
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8-羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究 被引量:12
7
作者 彭俊彪 孙润 +1 位作者 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期263-266,共4页
8-羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究彭俊彪,孙润光(中国科学院长春物理研究所,长春130021)马於光,刘式墉(吉林大学电子科学系,长春130023)自1989年C.W.Tang的高性能有机电致发光(Elect... 8-羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究彭俊彪,孙润光(中国科学院长春物理研究所,长春130021)马於光,刘式墉(吉林大学电子科学系,长春130023)自1989年C.W.Tang的高性能有机电致发光(Electro-luminescence,即... 展开更多
关键词 8-羟基喹啉 螯合物 电致发光
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带不同推电子基团二聚苯撑乙烯的电子结构与发光性能 被引量:13
8
作者 孙景志 陈聿 +3 位作者 吴芳 田文晶 沈家骢 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第10期1633-1636,共4页
用Wittig 路线合成了一系列带不同推电子取代基的二聚苯撑乙烯, 用紫外光谱和循环伏安方法测定其电子结构, 并用量子化学计算方法对齐聚物的电子能级进行模拟. 讨论了吸收光谱。
关键词 二聚苯撑乙烯 电子结构 发光性能 电致发光 PPV
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π-共轭分子堆积、光电性能与超分子调控 被引量:12
9
作者 杨兵 沈家骢 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2643-2658,共16页
介绍了π-共轭分子堆积模式与发光效率和载流子迁移率的关系,以及分子堆积模式的调控方法,特别是超分子相互作用在实现分子堆积模式调控中的作用等相关实验和理论研究进展.
关键词 π-共轭分子 堆积模式 发光效率 迁移率 超分子相互作用
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聚合物/磷光复合体电致发光进展 被引量:9
10
作者 夏虹 邱松 +2 位作者 林栋 沈家骢 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期443-449,共7页
聚合物/磷光复合体电致发光是近几年来受到广泛关注的新兴领域。从主客体材料的特点、发光机理、器件结构几个方面综合阐述了该领域的研究概况。磷光材料在发光过程中可以利用单线态和三线态激子,理论上内量子效率达到100%,这类材料的... 聚合物/磷光复合体电致发光是近几年来受到广泛关注的新兴领域。从主客体材料的特点、发光机理、器件结构几个方面综合阐述了该领域的研究概况。磷光材料在发光过程中可以利用单线态和三线态激子,理论上内量子效率达到100%,这类材料的使用成为提高器件效率的主要途径之一。聚合物母体的选择应满足能量匹配原理,并且应具有良好的载流子迁移性质。所有的磷光材料都能作为客体使用,这方面聚合物母体优于小分子母体。另外,枝化及高分子化的磷光材料既能抑制自猝灭,又能保证有效的能量转移,是一类大有前途的新型发光材料。由于器件的电致发光包括F ster能量转移和载流子直接在客体上复合两种机理,而磷光材料激发态的特点是长寿命,因此设计器件结构时应考虑激子的相互作用与猝灭问题。 展开更多
关键词 电致发光 聚合物 载流子迁移 磷光材料 猝灭 电致发光显示器 发光机理
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联苯桥联的PPV齐聚物基态构型、电子能级和吸收光谱的理论研究 被引量:9
11
作者 许海 杨兵 +5 位作者 何凤 解增旗 田雷蕾 刘晓冬 于景生 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期510-514,共5页
用密度泛函方法对联苯桥联的PPV齐聚物(TSB)的反式结构进行全优化,得到基态分子的最优几何构型和电子能级,并用ZINDO和TDDFT方法分别计算其吸收光谱,分析了不同类型的端位取代基团对前线分子轨道能量和能隙的影响.结果表明,联苯桥联后的... 用密度泛函方法对联苯桥联的PPV齐聚物(TSB)的反式结构进行全优化,得到基态分子的最优几何构型和电子能级,并用ZINDO和TDDFT方法分别计算其吸收光谱,分析了不同类型的端位取代基团对前线分子轨道能量和能隙的影响.结果表明,联苯桥联后的PPV齐聚物在结构上形成了链间交叉链内扭曲的构象,这种交叉扭曲的构象降低了分子的对称性,减弱了共轭分子在固体中的ππ堆积作用,这可能是减少荧光猝灭效应,提高固体发光器件效率的重要原因. 展开更多
关键词 PPV齐聚物 密度泛函 基态构型 电子能级 吸收光谱
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蒽类衍生物的电荷传输性质 被引量:10
12
作者 段桂花 高洪泽 +2 位作者 王丽娟 张厚玉 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第8期2292-2297,共6页
以具有较高迁移率的对称取代类蒽的衍生物{2,6-二[2-(4-戊基苯基)乙烯基]蒽,DPPVAnt;2,6-二-噻吩蒽,DTAnt;2,6-二[2-己基噻吩]蒽,DHTAnt}为研究对象,采用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-31G(d)的基组水平上研究了三种蒽类衍生物的分子结... 以具有较高迁移率的对称取代类蒽的衍生物{2,6-二[2-(4-戊基苯基)乙烯基]蒽,DPPVAnt;2,6-二-噻吩蒽,DTAnt;2,6-二[2-己基噻吩]蒽,DHTAnt}为研究对象,采用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-31G(d)的基组水平上研究了三种蒽类衍生物的分子结构、电子结构、重组能和电荷传输积分,采用Einstein关系式计算了室温下的载流子迁移率,并与蒽的相关计算结果进行了比较.DPPVAnt是较好的空穴传输材料,其空穴迁移率为0.49cm2·V-1·s-1;DHTAnt有利于电子传输,其电子迁移率为0.12cm2·V-1·s-1;而DTAnt是一种较好的双极性材料,其空穴迁移率和电子迁移率分别为0.069和0.060cm2·V-1·s-1.计算得到的迁移率与实验结果处于同一数量级.三种蒽类衍生物的电子重组能与蒽的相近,而空穴重组能均大于蒽的空穴重组能,大小顺序为蒽<DPPVAnt<DTAnt<DHTAnt.这与计算的迁移率结果不一致,说明分子的堆积结构决定材料的电荷传输性质. 展开更多
关键词 密度泛函理论 蒽类衍生物 迁移率 电荷传输 分子重组能
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含芴聚合物电子亲合能和电离能的确定 被引量:7
13
作者 李茂 路萍 +2 位作者 张海全 陆丹 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期80-84,共5页
通过循环伏安法测量了若干含芴交替共聚物的氧化还原电位,并通过氧化还原的起始电位点来确定聚合物的能级结构。从结果分析,在聚芴中引入系列的基团改变了聚合物的电离能、电子亲合能及带隙能。其中引入联吡啶后,带隙能变化不大,但电子... 通过循环伏安法测量了若干含芴交替共聚物的氧化还原电位,并通过氧化还原的起始电位点来确定聚合物的能级结构。从结果分析,在聚芴中引入系列的基团改变了聚合物的电离能、电子亲合能及带隙能。其中引入联吡啶后,带隙能变化不大,但电子亲合能明显升高,增加了电子的注入能力;引入带有七元环的联苯,特别是引入间位连接带有七元环的联苯后,带隙能明显增加。与聚芴比较,七元环聚合物电离能(Ip)从5.60eV增加到5.81eV,而电子亲合能(Ea)从2.05eV增加到2.42eV,带隙能从3.55eV增加到3.82eV。这与光谱得到的带隙能得到了较好的对应。 展开更多
关键词 聚芴 循环伏安 电子亲合能 电离能
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荧光共轭聚合物金属离子传感的机理研究 被引量:6
14
作者 张明 路萍 +3 位作者 田雷蕾 张武 杨兵 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第F08期924-929,共6页
含金属离子识别单元犤2,2'-联吡啶(bpy)、1,10-菲洛啉(phen)等犦的荧光共轭聚合物金属离子传感的机理主要是引入金属离子所引起的聚合物主链构象的变化或是电子能级的变化.本文报导了两种属于这类荧光共轭聚合物的芴共聚物P1和P2在... 含金属离子识别单元犤2,2'-联吡啶(bpy)、1,10-菲洛啉(phen)等犦的荧光共轭聚合物金属离子传感的机理主要是引入金属离子所引起的聚合物主链构象的变化或是电子能级的变化.本文报导了两种属于这类荧光共轭聚合物的芴共聚物P1和P2在溶液中和固体薄膜状态下的金属离子传感性质,并研究了这类荧光共轭聚合物金属离子传感的机理.聚合物P1和P2分别是有20°二面角的bpy和平面的phen与芴交替共聚而成.研究发现P1、P2与金属离子络合后能够使吸收光谱红移,荧光猝灭,同时P2表现出更灵敏的金属离子传感性质.尤其是P2在固体状态下的高灵敏金属离子传感性质为金属离子荧光传感器的应用提供一种新的思路.P2的金属离子识别单元是平面的phen,在与离子响应过程中不需要发生构型转变,从而可以说明这类主链含金属离子识别单元的聚合物在与金属离子作用时,金属离子配位诱导聚合物电子能级的改变是金属离子传感的决定性因素. 展开更多
关键词 共轭聚合物 联吡啶 菲洛啉 荧光猝灭 金属离子
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丙烯醇等离子体聚合物与PTFE复合薄膜的表面性能研究 被引量:6
15
作者 刘晓冬 李静 +1 位作者 沈家骢 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期106-109,共4页
利用等离子体聚合制备了一种亲水疏水复合膜,复合膜具有特别高的表面能0.048~0.060N/m,并且表面性能稳定。测试及计算结果表明,复合膜表面能受制各条件影响,而其中极性和非极性分量随等离子体聚合时间具有完全相反的... 利用等离子体聚合制备了一种亲水疏水复合膜,复合膜具有特别高的表面能0.048~0.060N/m,并且表面性能稳定。测试及计算结果表明,复合膜表面能受制各条件影响,而其中极性和非极性分量随等离子体聚合时间具有完全相反的变化规律。耐久性实验表明,高交联度的复合膜具有高的表面稳定性。 展开更多
关键词 等离子体聚合 丙烯醇 表面能 复合膜 聚四氟乙烯
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有机发光二极管蓝光材料研究进展 被引量:3
16
作者 谭文乐 俞越 +1 位作者 胡德华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期1-11,共11页
有机发光二极管(Organic light‑emitting diodes,OLEDs)经过30余年的发展,在显示和照明领域已经进入了大规模应用的阶段。有机红光及绿光OLEDs基本上已能够达到商业应用的标准,但是蓝光OLEDs仍然存在亮度低、高亮度下寿命短的问题,因而... 有机发光二极管(Organic light‑emitting diodes,OLEDs)经过30余年的发展,在显示和照明领域已经进入了大规模应用的阶段。有机红光及绿光OLEDs基本上已能够达到商业应用的标准,但是蓝光OLEDs仍然存在亮度低、高亮度下寿命短的问题,因而商业上对兼具高激子利用率及高稳定性的蓝光材料和器件的需求显得尤为迫切。为了解决这一问题,国内和国际上相继提出了基于重金属配位的磷光配合物、三线态‑三线态湮灭、热活化延迟荧光、“热激子”等材料结构的设计策略,期望在获得高发光量子效率和激子利用率的同时,尽量减小器件的效率滚降,获得具有高稳定性、长寿命的蓝光OLEDs器件。本文总结了不同类型蓝光OLEDs材料的研究进展,并对未来蓝光材料的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 蓝光OLEDs 热激子 热活化延迟荧光 金属磷光配合物 三线态-三线态湮灭
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有机自旋电子学的应用研究进展 被引量:4
17
作者 李峰 辛林远 +2 位作者 沈家骢 刘式墉 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第23期2865-2871,共7页
自从2004年第一个有机自旋阀器件报道以来,有机自旋半导体器件的研究引起了广泛的关注,并取得了很大的进展.本文阐述了与有机自旋电子学相关的一些概念、原理,并重点介绍了有机自旋电子学的三个重要的应用研究方向:有机自旋阀器件、自... 自从2004年第一个有机自旋阀器件报道以来,有机自旋半导体器件的研究引起了广泛的关注,并取得了很大的进展.本文阐述了与有机自旋电子学相关的一些概念、原理,并重点介绍了有机自旋电子学的三个重要的应用研究方向:有机自旋阀器件、自旋注入有机电致发光器件和有机磁阻器件的实验结果以及目前的理论解释. 展开更多
关键词 有机发光器件 磁阻 自旋注入
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掺杂聚合物蓝光发光二极管 被引量:4
18
作者 唐建国 +2 位作者 刘式墉 沈家骢 田文晶 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期352-356,共5页
报道了用有机染料TPB(1,l,4,4-四苯基丁二烯)分散到PVK(聚乙烯基咔唑)中的掺杂聚合物作有源层制作的蓝光发光二极管及其发光特性。聚合物发光层用旋转涂敷的方法制备,用透明导电材料ITO(铟锡氧化物)、金属Al... 报道了用有机染料TPB(1,l,4,4-四苯基丁二烯)分散到PVK(聚乙烯基咔唑)中的掺杂聚合物作有源层制作的蓝光发光二极管及其发光特性。聚合物发光层用旋转涂敷的方法制备,用透明导电材料ITO(铟锡氧化物)、金属Al作为正负电极。器件正向偏压为13V时,可以看到蓝光发射,峰值波长为455nm,注入电流为50mA/cm2时,亮度为44cd/m2。 展开更多
关键词 聚合物 蓝光发光二极管 掺杂
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聚合物蓝光发光二极管 被引量:5
19
作者 唐建国 +1 位作者 刘式墉 沈家骢 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第12期1070-1072,共3页
由化合物半导体制备的发光二极管(Light-emitting diodes,LEDs)和激光管(Laserdiodes,LDs)目前已达到了相当成熟的水平,但在生产工艺和器件特性方面仍存在某些问题,蓝光波段发光就是无机半导体LEDs的空白.虽然作为1992年光电子领域的重... 由化合物半导体制备的发光二极管(Light-emitting diodes,LEDs)和激光管(Laserdiodes,LDs)目前已达到了相当成熟的水平,但在生产工艺和器件特性方面仍存在某些问题,蓝光波段发光就是无机半导体LEDs的空白.虽然作为1992年光电子领域的重大发现,利用Ⅱ—IV族化合物半导体材料已实现了蓝光发射,但目前的器件一般在低温下操作,且寿命较短,距实用化还有相当距离.与此同时。 展开更多
关键词 蓝光 发光二极管 高聚物 二极管
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8-羟基喹啉铝掺杂聚乙烯基咔唑薄膜的光致发光及电致发光 被引量:3
20
作者 唐建国 +1 位作者 沈家骢 刘式墉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期935-936,共2页
8-羟基喹啉铝掺杂聚乙烯基咔唑薄膜的光致发光及电致发光马於光,唐建国,沈家骢,刘式墉(吉林大学分子光谱与分子结构开放实验室,集成光电子学国家联合重点实验室,长春,130023)关键词聚合物,光致发光,电致发光,8-羟... 8-羟基喹啉铝掺杂聚乙烯基咔唑薄膜的光致发光及电致发光马於光,唐建国,沈家骢,刘式墉(吉林大学分子光谱与分子结构开放实验室,集成光电子学国家联合重点实验室,长春,130023)关键词聚合物,光致发光,电致发光,8-羟基喹啉铝某些有机染料作为波长转换介... 展开更多
关键词 光致发光 羟基喹啉铝 聚乙烯基咔唑
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