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非掺杂型Si/SiGe异质结外延与表征
1
作者
耿鑫
张结印
+9 位作者
卢文龙
明铭
刘方泽
符彬啸
褚逸昕
颜
谋
回
王保传
张新定
郭国平
张建军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第11期297-304,共8页
以自旋为编码单元的硅基半导体量子计算与传统微电子工艺兼容,易拓展且可以同位素纯化提高退相干时间,因而备受关注.本研究工作通过分子束外延生长了高质量非掺杂型Si/SiGe异质结并测试了二维电子气迁移率.球差电镜观察到原子级尖锐界面...
以自旋为编码单元的硅基半导体量子计算与传统微电子工艺兼容,易拓展且可以同位素纯化提高退相干时间,因而备受关注.本研究工作通过分子束外延生长了高质量非掺杂型Si/SiGe异质结并测试了二维电子气迁移率.球差电镜观察到原子级尖锐界面,原子力显微镜表征显示其表面均方根粗糙度仅为0.44 nm,低温下迁移率达到20.21×10^(4)cm^(2)·V^(–1)·s^(–1).不同栅压下载流子浓度和迁移率的幂指数为1.026,材料丁格比值在7—12之间,表明载流子主要受到背景杂质散射和半导体/氧化物的界面散射.
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关键词
Si/SiGe异质结
二维电子气
霍尔迁移率
硅基量子计算
下载PDF
职称材料
题名
非掺杂型Si/SiGe异质结外延与表征
1
作者
耿鑫
张结印
卢文龙
明铭
刘方泽
符彬啸
褚逸昕
颜
谋
回
王保传
张新定
郭国平
张建军
机构
华南师范大学物理学院
松山湖材料实验室
中国科学技术大学
中国科学院物理研究所
上海大学理学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第11期297-304,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:92165207,62225407,12304100)
松山湖材料实验室支持项目(批准号:XMYS2023002)
国家科创2030项目(批准号:2021ZD0302300)资助的课题。
文摘
以自旋为编码单元的硅基半导体量子计算与传统微电子工艺兼容,易拓展且可以同位素纯化提高退相干时间,因而备受关注.本研究工作通过分子束外延生长了高质量非掺杂型Si/SiGe异质结并测试了二维电子气迁移率.球差电镜观察到原子级尖锐界面,原子力显微镜表征显示其表面均方根粗糙度仅为0.44 nm,低温下迁移率达到20.21×10^(4)cm^(2)·V^(–1)·s^(–1).不同栅压下载流子浓度和迁移率的幂指数为1.026,材料丁格比值在7—12之间,表明载流子主要受到背景杂质散射和半导体/氧化物的界面散射.
关键词
Si/SiGe异质结
二维电子气
霍尔迁移率
硅基量子计算
Keywords
Si/SiGe heterojunction
two-dimensional electronic gas
Hall mobility
Si-based quantum computing
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非掺杂型Si/SiGe异质结外延与表征
耿鑫
张结印
卢文龙
明铭
刘方泽
符彬啸
褚逸昕
颜
谋
回
王保传
张新定
郭国平
张建军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
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