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外部汇流母排对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流特性的影响 被引量：13
1
作者 顾妙松 崔翔 +4 位作者 彭程 唐新灵 杨艺烜 李学宝 赵志斌 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期234-245,共12页
压接型IGBT器件内部芯片之间的动态均流特性直接影响着IGBT器件的坚固性与可靠性。考虑到并联均流实验的困难,现有的压接型IGBT芯片级并联均流研究通常都是通过提取器件内部封装结构的寄生参数,并结合IGBT芯片的等效电路模型,在电路仿... 压接型IGBT器件内部芯片之间的动态均流特性直接影响着IGBT器件的坚固性与可靠性。考虑到并联均流实验的困难,现有的压接型IGBT芯片级并联均流研究通常都是通过提取器件内部封装结构的寄生参数,并结合IGBT芯片的等效电路模型,在电路仿真环境中开展的,不考虑器件外部电磁条件对器件内部电流分布的影响。然而,该文通过9枚压接型IGBT芯片的并联均流实验发现,各个通流支路之间存在显著的动态电流不均衡,而且电流的分布特性不仅与内部并联芯片的相对位置有关,还与连接器件的外部汇流母排存在明显的关联。为了揭示器件内部电流分布特性与外部汇流母排之间的耦合关系,该文对被测器件与外部汇流母排进行三维有限元建模,从频域和时域2个方面,计算IGBT器件内部的电磁场分布特性。频域计算表明,由于外部汇流母排与内部并联芯片存在磁场耦合(即电感耦合),当频率超过一定数值后,外部汇流母排会对各个通流支路的电流产生显著影响。时域计算进一步再现了并联均流实验中外部汇流母排对各个通流支路上动态电流分布的影响规律。结果表明,在压接型IGBT器件的设计和应用中,不仅需要关注器件内部芯片间的相对位置对动态均流特性的影响,同时也要关注外部汇流母排引入的电磁不对称性。最后提出一种对称化的母排设计方案,并通过三维有限元计算,证实对称化母排设计可明显改善器件内部的动态均流特性。 展开更多
关键词 压接型IGBT 并联均流 汇流母排 涡流场计算
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压接型IGBT器件内部芯片电流测量时罗氏线圈的误差分析及改进方法 被引量：10
2
作者 彭程 李学宝 +3 位作者 顾妙松 赵志斌 唐新灵 崔翔 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第22期7388-7397,共10页
压接型IGBT芯片的并联使用是提高IGBT器件电流等级的重要手段。然而芯片之间的电流不平衡限制了器件的最大额定电流。通常需要通过实验测试的方法评估这种不均流度,然而难点之一是如何准确测量压接型IGBT器件内部芯片的电流。罗氏线圈... 压接型IGBT芯片的并联使用是提高IGBT器件电流等级的重要手段。然而芯片之间的电流不平衡限制了器件的最大额定电流。通常需要通过实验测试的方法评估这种不均流度,然而难点之一是如何准确测量压接型IGBT器件内部芯片的电流。罗氏线圈因其具有灵活、无饱和、非嵌入式等优点,是目前用于压接型IGBT器件内部电流测量的主要手段。已有的研究表明,罗氏线圈在测量压接型IGBT器件内部芯片电流时出现了较大的误差。文中针对罗氏线圈在压接型IGBT器件内部芯片电流测量的特殊应用工况,分析电流测量误差产生的原因;建立罗氏线圈误差模型,并推导误差解析公式;采用误差解析公式提出2种减小测量误差的方法;最后,通过实验验证所提误差解析公式及减小测量误差方法的有效性。 展开更多
关键词 罗氏线圈 压接型IGBT芯片 电流测量 误差模型 误差解析公式
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电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响(一):计算研究 被引量：6
3
作者 顾妙松 崔翔 +4 位作者 彭程 唐新灵 杨艺烜 李学宝 赵志斌 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第7期2318-2329,共12页
该文从理论分析与建模计算2个方面研究电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响。首先,从理论上分析电极结构对IGBT芯片和FRD芯片的并联均流特性的影响机理,并比较主动和被动均流模式下影响机理的差异。进而详细对... 该文从理论分析与建模计算2个方面研究电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响。首先,从理论上分析电极结构对IGBT芯片和FRD芯片的并联均流特性的影响机理,并比较主动和被动均流模式下影响机理的差异。进而详细对比分析了时域等效电路方法与频域有限元方法的特点与优势。最后,在被动注入模式下计算4种典型结构下器件内部的动态均流特性。计算结果表明:发射极电极圆周化布置,在对称的外部电磁条件下可以明显优化器件内部的并联均流特性。但是当器件连接外部不对称汇流母排后,该布置方案收效甚微,甚至有加剧不均流的风险;发射极电极刻槽,在对称或者不对称的外部电磁条件下,都能对器件内部的动态均流特性加以改善。 展开更多
关键词 压接型IGBT 并联均流 汇流母排 涡流场计算
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创新工程造价管理 助力共同富裕示范区建设
4
作者 张平 顾妙松 +3 位作者 章李刚 裘立峰 吴莹 李国强 《中国电力企业管理》 2024年第18期48-49,共2页
共同富裕是中国特色社会主义发展的本质要求,需要通过制度性矫正和补偿,让全国人民有机会、有能力均等地参与经济社会高质量发展,并共享经济社会发展的成果。剖析共同富裕的丰富内涵和工程造价制定的底层逻辑,论证工程造价改革创新引导... 共同富裕是中国特色社会主义发展的本质要求,需要通过制度性矫正和补偿,让全国人民有机会、有能力均等地参与经济社会高质量发展,并共享经济社会发展的成果。剖析共同富裕的丰富内涵和工程造价制定的底层逻辑,论证工程造价改革创新引导调节社会生产方式和分配方式,从而助力共同富裕示范区建设的可行性与必要性。 展开更多
关键词 社会生产方式 工程造价管理 示范区建设 共同富裕 可行性与必要性 高质量发展 工程造价改革 助力
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基于多物理场耦合的盆式绝缘子低频沿面闪络特性研究
5
作者 李国强 卞荣 +4 位作者 陈科技 张琳琳 顾妙松 成智 王超 《浙江电力》 2024年第9期88-96,共9页
为研究低频输电下GIS(气体绝缘金属封闭开关设备)中单相盆式绝缘子的沿面闪络特性,采用电-热-流体多物理场耦合仿真,考虑因集肤效应引起的温升变化以及材料性能参数的温度依赖特性,计算得到不同工作频率下盆式绝缘子的电磁损耗、温升特... 为研究低频输电下GIS(气体绝缘金属封闭开关设备)中单相盆式绝缘子的沿面闪络特性,采用电-热-流体多物理场耦合仿真,考虑因集肤效应引起的温升变化以及材料性能参数的温度依赖特性,计算得到不同工作频率下盆式绝缘子的电磁损耗、温升特性与沿面电场分布。基于时间-体积理论,综合考虑温度对气固界面电场分布以及有效载流子产生速率的影响,计算得到不同电压幅值和频率下盆式绝缘子的沿面闪络概率。仿真结果表明:低频输电方式能够有效缓解电磁损耗,降低GIS罐体内的最高温度,在相同绝缘结构配置下具有更高的沿面闪络电压。研究成果可为校核不同工作频率下气体绝缘高压电气设备的绝缘水平提供理论依据。 展开更多
关键词 低频输电 盆式绝缘子 沿面闪络 多物理场耦合 闪络电压预测
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关断电流对高压IGBT等离子体抽取渡越时间振荡的影响 被引量：3
6
作者 顾妙松 崔翔 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期1291-1301,共11页
等离子体抽取渡越时间(plasma extraction transit time,PETT)振荡是一类发生在高压双极型器件中的自激振荡现象,在功率半导体器件的状态监测中具有重要的应用潜力。为了寻找与关断电流明显耦合的振荡特征参数并分析其物理机制,搭建了... 等离子体抽取渡越时间(plasma extraction transit time,PETT)振荡是一类发生在高压双极型器件中的自激振荡现象,在功率半导体器件的状态监测中具有重要的应用潜力。为了寻找与关断电流明显耦合的振荡特征参数并分析其物理机制,搭建了高压压接型IGBT芯片的PETT振荡特性实验平台,开展了两枚IGBT芯片的PETT振荡特性实验;定义了一系列典型的振荡特征参数,分析了关断电流对振荡特征参数的影响;提出了一种新的PETT振荡的等效电路与一种直观的图解分析方法。结果表明:振荡起始时间、振荡峰值时间和振荡终止时间与关断电流之间存在明显的单调耦合关系,且基本保持0.1μs/A的增长速率。图解分析方法可以有效解释实验规律,并推导出振荡起止时间与关断电流的对数之间呈一次函数关系,该推论得到实验结果的证实。 展开更多
关键词 压接型IGBT 等离子体抽取渡越时间 自激振荡 拖尾电流 图解分析 状态监测
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电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流的影响(二):实验研究 被引量：3
7
作者 顾妙松 崔翔 +4 位作者 彭程 唐新灵 韩荣刚 李学宝 赵志斌 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第10期3288-3296,共9页
开展电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流影响的实验研究。首先,比较多种IGBT/FRD芯片级并联均流实验电路,进而搭建压接型IGBT/FRD芯片级动态均流特性实验平台,对16枚FRD芯片开展动态均流测试。实验结果证实器件内存... 开展电极结构与空间布置对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流影响的实验研究。首先,比较多种IGBT/FRD芯片级并联均流实验电路,进而搭建压接型IGBT/FRD芯片级动态均流特性实验平台,对16枚FRD芯片开展动态均流测试。实验结果证实器件内存在复杂的动态不均流现象,进一步表明:发射极电极圆周化布置时,在对称的外部电磁条件下可以明显优化器件内部的并联均流特性,但当器件连接外部不对称汇流母排后,该设计方案收效甚微,甚至有加剧不均流的风险;发射极电极刻槽方案,对于对称或不对称的外部电磁条件都能对器件内部的动态均流特性加以改善。 展开更多
关键词 压接型IGBT 压接型FRD 并联均流实验 电极结构
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压接型IGBT芯片动态特性影响因素实验研究
8
作者 彭程 李学宝 +4 位作者 曹子楷 顾妙松 唐新灵 赵志斌 崔翔 《华北电力大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第3期91-100,共10页
压接型IGBT器件内部具有复杂的电-热-力环境,直接影响了其内部IGBT芯片的动态特性,进而决定了整个器件的安全工作能力。为此,研究不同影响因素下的压接型IGBT芯片动态特性具有重要意义。为了全面获得电-热-力综合影响下压接型IGBT芯片... 压接型IGBT器件内部具有复杂的电-热-力环境,直接影响了其内部IGBT芯片的动态特性,进而决定了整个器件的安全工作能力。为此,研究不同影响因素下的压接型IGBT芯片动态特性具有重要意义。为了全面获得电-热-力综合影响下压接型IGBT芯片的动态特性,利用所研制的具有多因素解耦、灵活调节能力的双脉冲实验平台,针对一款3.3kV/50A压接型IGBT芯片,测量获得了不同母线电压、负载电流、驱动电阻、温度及机械压力下的双脉冲实验波形。分析了不同影响因素对双脉冲波形的影响规律,对比了不同影响因素对IGBT动态特征参数影响程度,结果表明母线电压主要影响关断过程,负载电流、驱动电阻和温度主要影响开通过程,机械压力对开通关断过程的影响很小,研究结果对IGBT芯片建模及压接型IGBT器件安全运行具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 压接型IGBT芯片 动态特性 双脉冲实验平台 影响因素
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低功耗手机室内定位的智能化车库系统设计 被引量：2
9
作者 顾妙松 杨扬 +3 位作者 梁子航 王家兴 马唯伦 白冰 《科技创新导报》 2014年第17期70-70,共1页
为满足日益增长的停车需求,大型停车场不断涌现,从而给车主入库泊车和回库取车带来不便,故旨在提高停车场运行效率的智能车库系统也将随之发展。该文针对我国对智能化车库的强烈需求和现有智能车库系统的一些弊端,提出了一种低功耗车位... 为满足日益增长的停车需求,大型停车场不断涌现,从而给车主入库泊车和回库取车带来不便,故旨在提高停车场运行效率的智能车库系统也将随之发展。该文针对我国对智能化车库的强烈需求和现有智能车库系统的一些弊端,提出了一种低功耗车位占用检测技术,利用Zigbee通信方式并与手机室内定位技术相结合设计了一套功能强大成本低廉维护简单的新型智能化车库系统。 展开更多
关键词 智能车库 车位占用检测 室内定位 Zigbee通信
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