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Sb在Al-Si合金中的变质行为 被引量：9
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作者 董光明 廖恒成 +1 位作者 孙国雄 韩正同 《铸造》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期211-214,共4页
Sb的变质机理可分为影响形核理论与限制生长理论。影响形核理论又分为增加形核核心及减少形核核心二种假说。限制生长理论包括Sb降低Si的扩散能力假说、共晶Si被共晶Al超越假说、AlSb分子的吸附阻碍共晶Si生长假说、Sb质点阻碍共晶Si生... Sb的变质机理可分为影响形核理论与限制生长理论。影响形核理论又分为增加形核核心及减少形核核心二种假说。限制生长理论包括Sb降低Si的扩散能力假说、共晶Si被共晶Al超越假说、AlSb分子的吸附阻碍共晶Si生长假说、Sb质点阻碍共晶Si生长假说、Sb在固液界面富集假说、Sb吸附在共晶Si的表面阻碍共晶Si生长假说等。Sb变质的Al-Si合金共晶反应倾向于以体积凝固的方式进行。AlSb及Mg3Sb2是共晶形核的可能核心。Sb会降低Al-Si合金的共晶反应温度。纯Sb变质有50 min孕育期。Mg对Sb的变质有干扰作用。Sb的含量较高时会出现过变质现象。 展开更多
关键词 锑 AL-SI合金 变质
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