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电火工品换能元电磁损伤机理及防护技术研究进展
1
作者 韩忠博 贺孝严 +4 位作者 顾伯南 徐建勇 石伟 俞春培 张文超 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期10-19,共10页
随着战场空间的电磁环境日趋复杂,火工品面临更高的电磁适应能力要求。本文综述了电火工品换能元在电磁损伤机理和防护技术研究方面的研究进展,介绍了电火工品在不同电磁环境下的损伤机制,探讨了静电、雷电脉冲、核电磁脉冲等干扰对火... 随着战场空间的电磁环境日趋复杂,火工品面临更高的电磁适应能力要求。本文综述了电火工品换能元在电磁损伤机理和防护技术研究方面的研究进展,介绍了电火工品在不同电磁环境下的损伤机制,探讨了静电、雷电脉冲、核电磁脉冲等干扰对火工品性能的影响,并分析分立式电磁防护技术,包括铁氧体材料、电容器和负温度系数热敏电阻等元件在电磁防护中的应用,展示了其在不同电磁环境下的防护效果。同时,讨论了集成式电磁防护技术的发展,特别是MEMS工艺在换能元小型化和多功能集成化中的应用,并针对电火工品换能元电磁防护技术未来发展陈述了一些见解。 展开更多
关键词 电火工品 换能元 复杂电磁环境 微机电系统
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单片并联式半导体桥换能元能量转换效率影响因素分析
2
作者 贺孝严 韩忠博 +5 位作者 顾伯南 徐建勇 石伟 叶家海 俞春培 张文超 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期54-58,共5页
为了研究激励能量和桥区结构对半导体桥换能元能量转换效率的影响,设计了两种不同单片并联式桥区结构的半导体桥换能元,并在电容激励条件下进行测试,以评估并联式桥区结构的能量转换效率,进一步得到电压、桥区面积对能量转换效率的影响... 为了研究激励能量和桥区结构对半导体桥换能元能量转换效率的影响,设计了两种不同单片并联式桥区结构的半导体桥换能元,并在电容激励条件下进行测试,以评估并联式桥区结构的能量转换效率,进一步得到电压、桥区面积对能量转换效率的影响规律。试验结果表明:在47μF电容和25~35 V充电电压条件下,双桥区并联结构的能量转换效率略优于三桥区并联结构。在同一电容激励条件下,同一桥区结构半导体桥换能元的能量转换效率随着充电电压的增加而降低;在相同充电电压下,同一桥区结构半导体桥换能元的能量转换效率随着桥区面积的增大而提高。 展开更多
关键词 半导体桥 换能元 并联式桥区 能量转换效率 电容激励
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基于TCAD的半导体桥芯片设计与仿真方法 被引量：1
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作者 顾伯南 韩忠博 +5 位作者 徐建勇 石伟 宋长坤 俞春培 程鹤 张文超 《火工品》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期39-43,共5页
为了提升半导体桥(SCB)芯片设计开发效率,厘清其电击穿作用机制,采用TCAD(Technology Computer Aided Design,计算机辅助设计)工具,开展多晶硅材料掺杂工艺、芯片结构设计以及芯片电击穿过程模拟仿真,探究注入能量与掺杂类型、退火时间... 为了提升半导体桥(SCB)芯片设计开发效率,厘清其电击穿作用机制,采用TCAD(Technology Computer Aided Design,计算机辅助设计)工具,开展多晶硅材料掺杂工艺、芯片结构设计以及芯片电击穿过程模拟仿真,探究注入能量与掺杂类型、退火时间与温度等工艺参数,以及强电场条件对载流子分布及性能的影响规律,厘清芯片电击穿的物理机制。仿真结果表明:相比于磷离子注入,砷离子注入能够在更靠近多晶硅层表面的区域,形成更高浓度的载流子分布;快速热退火时间设定为30min,退火温度设定为约600℃,能够有效实现载流子活化;芯片双“V”型尖端电场强度达到3×10^(5)V·cm^(-1)时发生电击穿过程,载流子剧烈碰撞离化,桥区总电流密度最高可达1.16×10^(9)A·cm^(-2)。 展开更多
关键词 半导体桥 TCAD 芯片设计 电学仿真
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