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可用于弱光探测器的量子线研究进展
被引量：
1
1
作者
鞠
研
玲
杨晓红
+6 位作者
韩勤
杜云
倪海桥
黄社松
王鹏飞
贺继方
牛智川
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期11-15,共5页
以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度。文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果。采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了GaAs/...
以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度。文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果。采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了GaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构。
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关键词
光电探测器
V型槽量子线
量子线
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职称材料
图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
2
作者
王秀平
杨晓红
+8 位作者
韩勤
鞠
研
玲
杜云
朱彬
王杰
倪海桥
贺继方
王国伟
牛智川
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期170-174,共5页
报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm高14nm的近三角形.低温87K下光致发光谱测试在793.7和799.5nm...
报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm高14nm的近三角形.低温87K下光致发光谱测试在793.7和799.5nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.
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关键词
V型槽图形衬底
量子线
GAAS
原文传递
GaAs基MOEMS波长可调谐滤波器的设计和理论模拟
3
作者
秦龙
韩勤
+2 位作者
杨晓红
朱彬
鞠
研
玲
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期187-190,共4页
采用传输矩阵理论和结合悬臂梁的电学-机械模型对GaAs基1.55μm微光电机械系统(MOEMS)波长可调谐滤波器的光学和电学特性进行了深入的对比分析和研究。结果表明,采用800 nm厚的空气腔可以实现滤波器波长的调谐范围为100 nm,所需最大反...
采用传输矩阵理论和结合悬臂梁的电学-机械模型对GaAs基1.55μm微光电机械系统(MOEMS)波长可调谐滤波器的光学和电学特性进行了深入的对比分析和研究。结果表明,采用800 nm厚的空气腔可以实现滤波器波长的调谐范围为100 nm,所需最大反向偏压为4 V,波长的调谐速率可以达到1.83 MHz。
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关键词
微光电机械系统
密集波分复用
调谐范围
滤波器
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职称材料
题名
可用于弱光探测器的量子线研究进展
被引量：
1
1
作者
鞠
研
玲
杨晓红
韩勤
杜云
倪海桥
黄社松
王鹏飞
贺继方
牛智川
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期11-15,共5页
基金
国家"973"计划项目(2007CB936304
2006cB302802)
国家"863"计划项目(2007AA03Z421)
文摘
以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度。文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果。采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了GaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构。
关键词
光电探测器
V型槽量子线
量子线
Keywords
photodetector
V-grooved quantum wires
quantum wires （QWRs）
分类号
TN471.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
2
作者
王秀平
杨晓红
韩勤
鞠
研
玲
杜云
朱彬
王杰
倪海桥
贺继方
王国伟
牛智川
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期170-174,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB936304
2006CB302802)
+2 种基金
国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA03Z421
2009AA03Z404)
国家自然科学基金(批准号:60876093)资助的课题~~
文摘
报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm高14nm的近三角形.低温87K下光致发光谱测试在793.7和799.5nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.
关键词
V型槽图形衬底
量子线
GAAS
Keywords
V-groove substrate
quantum wires
GaAs
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
GaAs基MOEMS波长可调谐滤波器的设计和理论模拟
3
作者
秦龙
韩勤
杨晓红
朱彬
鞠
研
玲
机构
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期187-190,共4页
基金
国家"973"计划项目(2006CB302802)
国家"863"计划项目(2007AA03Z421)
国家自然科学基金项目(60376025)
文摘
采用传输矩阵理论和结合悬臂梁的电学-机械模型对GaAs基1.55μm微光电机械系统(MOEMS)波长可调谐滤波器的光学和电学特性进行了深入的对比分析和研究。结果表明,采用800 nm厚的空气腔可以实现滤波器波长的调谐范围为100 nm,所需最大反向偏压为4 V,波长的调谐速率可以达到1.83 MHz。
关键词
微光电机械系统
密集波分复用
调谐范围
滤波器
Keywords
MOEMS
DWDM
tunable range
filter
分类号
TN256 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
可用于弱光探测器的量子线研究进展
鞠
研
玲
杨晓红
韩勤
杜云
倪海桥
黄社松
王鹏飞
贺继方
牛智川
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
下载PDF
职称材料
2
图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
王秀平
杨晓红
韩勤
鞠
研
玲
杜云
朱彬
王杰
倪海桥
贺继方
王国伟
牛智川
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
原文传递
3
GaAs基MOEMS波长可调谐滤波器的设计和理论模拟
秦龙
韩勤
杨晓红
朱彬
鞠
研
玲
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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