一种12bit CMOS全差分SAR ADC 被引量：6

1

作者 黄玲 姜岩峰 +3 位作者 鞠家欣 韩智毅 张慧泉 陈冠旭 《电子世界》 2014年第9期20-21,64,共3页

本文设计一种12bit CMOS全差分SAR ADC,分析了其电路原理和结构,阐述各部分电路对ADC性能的影响,提出新型DAC_SUB电阻串和时间自调节比较器结构,并推算VCM抖动对电路的影响。基于TSMC 0.18μm 1.8V/3.3V CMOS工艺,采用全差分阻容混合式... 本文设计一种12bit CMOS全差分SAR ADC,分析了其电路原理和结构,阐述各部分电路对ADC性能的影响,提出新型DAC_SUB电阻串和时间自调节比较器结构,并推算VCM抖动对电路的影响。基于TSMC 0.18μm 1.8V/3.3V CMOS工艺,采用全差分阻容混合式结构,实现ADC设计。本设计ADC的核心版图尺寸为390um×780um,测试结果显示,在1MS/s采样率下,当输入信号频率为31.37kHz时,该ADC的ENOB达到10.76Bit,功耗约为2mW。 展开更多

关键词 A D转换器 逐次逼近 全差分 阻容混合 自调节比较器

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DC-DC电源管理芯片中死区时间的研究 被引量：3

2

作者 郝志燕 姜岩峰 +1 位作者 鲍嘉明 鞠家欣 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期770-773,共4页

分析了带同步整流开关的降压型DC-DC电源管理芯片,介绍了衬底噪声中闩锁效应的产生机理,提出加入死区时间控制同步整流开关信号的方法来避免闩锁效应,但是,死区时间设置不合理会产生功率损耗。以频率为1MHz、输出电压为2.5V、最大输出... 分析了带同步整流开关的降压型DC-DC电源管理芯片,介绍了衬底噪声中闩锁效应的产生机理,提出加入死区时间控制同步整流开关信号的方法来避免闩锁效应,但是,死区时间设置不合理会产生功率损耗。以频率为1MHz、输出电压为2.5V、最大输出电流为2A的降压型DC-DC电源管理芯片为例,对其进行仿真。结果表明,死区时间的长短会影响功率管的开关损耗,负载的大小也会影响合适的死区时间。 展开更多

关键词 闩锁效应 死区时间 电源管理

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CMOS IC漏极静态电流测试技术的现状与发展 被引量：1

3

作者 姜岩峰 张晓波 鞠家欣 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期446-450,共5页

　全面介绍了CMOS集成电路漏极静态电流(IDDQ)测试技术的现状、应用及其发展趋势。与其它主要用于检测逻辑功能的测试技术不同,IDDQ主要用于检测电路的物理缺陷和工艺故障。作为逻辑功能测试的重要补充,IDDQ技术可提高集成电路的可测性... 　全面介绍了CMOS集成电路漏极静态电流(IDDQ)测试技术的现状、应用及其发展趋势。与其它主要用于检测逻辑功能的测试技术不同,IDDQ主要用于检测电路的物理缺陷和工艺故障。作为逻辑功能测试的重要补充,IDDQ技术可提高集成电路的可测性和故障覆盖率,保证集成电路的可靠性。 展开更多

关键词 CMOS 故障检测 漏极静态电流 可测试性设计 集成电路

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基于模拟集成电路BIST的ARMA模块设计 被引量：3

4

作者 鞠家欣 姜岩峰 于韶光 《电子测试》 2010年第2期56-62,共7页

针对模拟集成电路在线测试困难的特点,本文基于BIST结构对模拟集成电路的测试提出了一种新的测试方案,这种算法在测试电路中易于实现,并且容易嵌入到待测芯片中,为模拟集成电路可测试性设计提出了一种新的测试结构和测试算法。

关键词 模拟集成电路 BIST ARMA模块

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基于Credence Gemini500的内嵌式AD转换器测试方法研究 被引量：3

5

作者 鞠家欣 姜岩峰 +2 位作者 杨兵 张晓波 于韶光 《电子测试》 2010年第1期34-37,43,共5页

本文中应用Credence公司的Gemini500测试系统对某一SoC芯片内嵌模数转换器进行了测试。根据芯片功能分析和封装形式,对测试板进行了优化设计。根据内嵌式ADC的时序特点进行了测试向量的设计。

关键词 内嵌模数转换器 测试模式 片上系统

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射频能量收集装置的研究进展 被引量：2

6

作者 田龙 刘征 +1 位作者 鞠家欣 姜岩峰 《电子技术与软件工程》 2015年第13期152-155,共4页

随着无线通信技术的发展,射频能量资源变得越来越丰富,这很可能使低功耗电子设备利用射频能量为自身供电。本文在分析了射频能量收集技术发展现状的基础之上,系统介绍了射频能量收集器的整体结构。基于整体结构的介绍,对关键部分,包括... 随着无线通信技术的发展,射频能量资源变得越来越丰富,这很可能使低功耗电子设备利用射频能量为自身供电。本文在分析了射频能量收集技术发展现状的基础之上,系统介绍了射频能量收集器的整体结构。基于整体结构的介绍,对关键部分,包括天线、RF-DC转换电路进展进行了总结;对关键问题,包括天线、灵敏度和转换效率进行了分析。最后阐述了射频能量装置的发展趋势。 展开更多

关键词 无线通信 射频能量收集 自身供电

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一种基于SEPIC架构的新型LED照明调光电路 被引量：2

7

作者 孟璐 姜岩峰 鞠家欣 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期765-769,共5页

提出一种基于SEPIC架构的新型调光技术。通过外接可调电阻(调节范围为154Ω～14.5kΩ)来改变功率因数(PF),使功率因数从0.7到1变化,实现了LED调光。此时,输出电流随功率因数的改变呈线性变化趋势,在130～465mA范围内相应变化,适用于照... 提出一种基于SEPIC架构的新型调光技术。通过外接可调电阻(调节范围为154Ω～14.5kΩ)来改变功率因数(PF),使功率因数从0.7到1变化,实现了LED调光。此时,输出电流随功率因数的改变呈线性变化趋势,在130～465mA范围内相应变化,适用于照明调光应用。电路基于CSMC 0.5μm 40VBCD工艺,版图尺寸为1mm×1mm。通过实验,证明了设计的可行性,且实测数据与理论趋势相符合,转换效率均维持在92.7%以上,最高可达94%以上。 展开更多

关键词 调光 功率因数 AC-DC变换

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高共模输入电平的迟滞比较器设计 被引量：2

8

作者 鞠家欣 张晋芳 +2 位作者 廖永波 鲍嘉明 杨兵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期623-626,共4页

提出了一种新颖的基于双极工艺的迟滞比较器,该电路在保持了传统电路的高共模输入电平和低功耗的优点的同时,在电路结构上比传统的电路节省了一级射随器。此外,为了保证该迟滞比较器中两级运算放大器的稳定性还进行了频率补偿的研究,并... 提出了一种新颖的基于双极工艺的迟滞比较器,该电路在保持了传统电路的高共模输入电平和低功耗的优点的同时,在电路结构上比传统的电路节省了一级射随器。此外,为了保证该迟滞比较器中两级运算放大器的稳定性还进行了频率补偿的研究,并对该电路的稳定性进行了仿真,其仿真结果保证了60°的相位裕度。该迟滞比较器的电路使用华润上华1μm双极晶体管工艺实现,芯片测试结果表明,其上阈值点为7.4 V,下阈值点为6.92 V,迟滞电压约为0.48 V,输出高电平约为0.76 V,电路工作稳定。 展开更多

关键词 迟滞比较器 双极工艺 高共模输入电平 低功耗 频率稳定性

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不同金属黏附层对无铅焊料SAC305剪切强度的影响

9

作者 周圣淏 任毅 +4 位作者 王欣宇 刘锐 鞠家欣 李昊晨 张静 《电子世界》 CAS 2022年第1期87-88,95,共3页

无铅焊料是不含铅或含铅量极少的一种焊料的统称,以Sn为主要的组成成分,向其中加入Ag,Cu等金属元素。在无铅材料中,Sn-Ag-Cu无铅焊料是公认的最优秀的无铅焊料,无铅焊料中铅元素的质量分数极低,基本在0.02%-0.1%之间共晶Sn-Ag-Cu系无铅... 无铅焊料是不含铅或含铅量极少的一种焊料的统称,以Sn为主要的组成成分,向其中加入Ag,Cu等金属元素。在无铅材料中,Sn-Ag-Cu无铅焊料是公认的最优秀的无铅焊料,无铅焊料中铅元素的质量分数极低,基本在0.02%-0.1%之间共晶Sn-Ag-Cu系无铅焊料在凝固过程中产生粗大的Ag_(3)Sn、Cu_(6)Sn_(5)金属间化合物(IMC)。由于在金属间化合物生长的过程中,界面附近的原子会发生穿过界面的互扩散,而不同原子扩散速度不同,使原子内部容易出现原子偏聚,可肯达尔空洞等缺陷,降低界面可靠性,导致电子元器件互联失效,使金属间化合物成为影响电子封装中可靠性的重要因素之一。 展开更多

关键词 无铅焊料 电子元器件 金属间化合物 电子封装 原子扩散 剪切强度 含铅量 原子偏聚

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探索微电子专业实践教学新方法——以参加“北京大学生集成电路设计大赛”为例 被引量：1

10

作者 鞠家欣 张静 +2 位作者 张晓波 杨兵 孙海燕 《电子世界》 2016年第24期27-27,29,共2页

通过改革微电子专业传统实践教学方法,以学生参加学科竞赛为抓手,采取"以赛促学、赛学结合"的方式培养学生实际动手能力和工程化设计思想,具有十分重要的理论和现实意义,也是探索微电子专业实践教学新方法的一次尝试。

关键词 微电子 集成电路设计大赛 实践教学

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关于传感器与检测技术教学改革的探索 被引量：1

11

作者 廖永波 沈亚兰 +2 位作者 鞠家欣 李文昌 李红梅 《电子世界》 2019年第7期9-11,共3页

传感器是一门集理论和实践为一体的专业性学科,传统的理论教学很难让学生深入掌握传感器的原理,引入实验教学也很难引发学生对于应用的深入探讨。因此,充分利用传感器教学中的课程设计环节展现传感器的工作原理,是提高学生传感器理解的... 传感器是一门集理论和实践为一体的专业性学科,传统的理论教学很难让学生深入掌握传感器的原理,引入实验教学也很难引发学生对于应用的深入探讨。因此,充分利用传感器教学中的课程设计环节展现传感器的工作原理,是提高学生传感器理解的关键。本文提出的教学实践环节,要求学生提出应用设想,进行电路仿真,最后实物验证,极大程度上提高了学生的自主性和创造性,最后根据实践教学所取得的成绩对当前的教学现状进行思考。 展开更多

关键词 教学改革 传感器 技术 检测 教学实践环节 理论教学 实验教学 工作原理

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系统电源中保持开关稳定的临界模式控制器设计

12

作者 姜岩峰 张晓波 +1 位作者 杨兵 鞠家欣 《电子产品世界》 2009年第1期39-42,共4页

开关电源在动态负载的情况下为保持开关稳定,需要将电源系统设计在临界模式下工作,本文以FLYBACK拓扑结构为例,分析了临界状态产生的原理,并根据非连续模式和连续工作模式对应的极点和零点,提出了基于开关频率调整的临界模式控制器的设... 开关电源在动态负载的情况下为保持开关稳定,需要将电源系统设计在临界模式下工作,本文以FLYBACK拓扑结构为例,分析了临界状态产生的原理,并根据非连续模式和连续工作模式对应的极点和零点,提出了基于开关频率调整的临界模式控制器的设计,通过SPICE模拟,得到了相关结果,在此基础上设计了应用临界模式控制器的开关电源。 展开更多

关键词 临界模式控制器 开关电源 FLYBACK拓扑结构 SPICE模拟

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用于减小总谐波失真的乘法器设计

13

作者 张晋芳 鞠家欣 +1 位作者 刘成 陈后金 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期928-931,共4页

模拟乘法器是实现有源功率因数校正(APFC)的关键模块电路。为了提高APFC电路的性能,在对目前一般芯片中普遍采用校正电路的THD(总谐波失真)较大,导致功率因数较低的原因进行分析研究的基础上,给出了一种高线性度的单像限模拟乘法器,该... 模拟乘法器是实现有源功率因数校正(APFC)的关键模块电路。为了提高APFC电路的性能,在对目前一般芯片中普遍采用校正电路的THD(总谐波失真)较大,导致功率因数较低的原因进行分析研究的基础上,给出了一种高线性度的单像限模拟乘法器,该乘法器在经典的电路结构上加以改进,采用双极型和CMOS混合工艺设计,在德国XFAB工艺厂进行流片。仿真测试和流片结果表明,该乘法器消除了传统的APFC电路总谐波失真较大的缺陷,提高了功率因数,并且没有增加版图面积,具有较高性价比,适合嵌入在中小功率APFC芯片中使用。 展开更多

关键词 乘法器 有源功率因数校正 总谐波失真 高线性度 混合工艺

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高压VDMOS物理模型的发展与比较

14

作者 鲍嘉明 鞠家欣 +2 位作者 杨兵 戚昊琛 张鉴 《电子世界》 2011年第5期29-30,共2页

本文研究了高压VDMOS物理模型的发展过程，详细比较了不同高压VD—MOS物理模型的优缺点。可以看出，在高压VDMOS物理模型中，对于半导体基本物理方程，通常是在合理近似的条件下用解析方法求解，不同的模型有着不同的近似方法和近似条... 本文研究了高压VDMOS物理模型的发展过程，详细比较了不同高压VD—MOS物理模型的优缺点。可以看出，在高压VDMOS物理模型中，对于半导体基本物理方程，通常是在合理近似的条件下用解析方法求解，不同的模型有着不同的近似方法和近似条件。建立高压VDMOS物理模型的一个重要目的是以此为基础建立高压VDMOS等效电路模型， 展开更多

关键词 VDMOS 物理模型 高压 等效电路模型 物理方程 解析方法 近似条件 近似方法

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基于Verilog-A的荧光灯预热模型

15

作者 邓国元 姜岩峰 鞠家欣 《照明工程学报》 2012年第4期33-37,共5页

提出了基于Verilog-A的荧光灯预热模型。该模型表示荧光灯管预热过程中灯丝热电阻与预热前灯丝冷电阻之比Rh/Rc的精确值。使用该模型能够方便地设计带预热功能的电子镇流器相关参数。实验过程及结果表明,该方法不但节约了设计时间,而且... 提出了基于Verilog-A的荧光灯预热模型。该模型表示荧光灯管预热过程中灯丝热电阻与预热前灯丝冷电阻之比Rh/Rc的精确值。使用该模型能够方便地设计带预热功能的电子镇流器相关参数。实验过程及结果表明,该方法不但节约了设计时间,而且能够使得荧光灯预热达到最佳状态,使用寿命尽可能长。 展开更多

关键词 荧光灯 预热模型 电子镇流器 灯丝 Verilog—A

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《集成电路版图设计》课程教学改革与探索

16

作者 鞠家欣 鲍嘉明 杨兵 《电子世界》 2012年第1期171-172,共2页

《集成电路版图设计》课程对微电子专业学生理解电路设计的概念和工艺技术的认识,起到承前启后的作用,对此课程教学方法的研究有着重要的理论和现实意义。

关键词 集成电路版图 教学方法 改革

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基于CMOS工艺的射频集成电路ESD保护研究

17

作者 鞠家欣 姜岩峰 +2 位作者 鲍嘉明 杨兵 张晓波 《电子世界》 2011年第6期18-19,共2页

随着工艺特征尺寸的缩小，射频集成电路承受的静电放电（ESD）问题日趋变得复杂。保护电路与被保护核心电路的相互影响，已经成为制约射频集成电路发展的一个障碍。本文主要研究CMOS工艺下，ESD保护电路与被保护核心电路之间的相互影响... 随着工艺特征尺寸的缩小，射频集成电路承受的静电放电（ESD）问题日趋变得复杂。保护电路与被保护核心电路的相互影响，已经成为制约射频集成电路发展的一个障碍。本文主要研究CMOS工艺下，ESD保护电路与被保护核心电路之间的相互影响的作用机理，提出研究思路，并对射频集成电路ESD保护电路的通用器件作出评价。 展开更多

关键词 ESD保护电路 射频集成电路 CMOS工艺 特征尺寸 静电放电 通用器件

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快速硬件调试系统的研究与设计

18

作者 江雪颖 杨洺 +3 位作者 廖永波 鞠家欣 王宇 王彦虎 《电子世界》 2012年第23期12-13,共2页

本项目将研究系统芯片软硬件协同验证/测试平台,提出系统的验证策略,从系统性角度对测试系统芯片的方法和原理进行研究。

关键词 系统芯片 DUT 软硬件协同

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4H-SiCMESFET频率特性研究

19

作者 秦建勋 卢豫曾 鞠家欣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期28-31,共4页

研究了4H-SiCMESFET的频率特性与器件几何及物理参数的关系。发现常温300K时,4H-SiCMESFET的截止频率随沟道掺杂浓度增加而上升;随沟道厚度的增加而降低;随栅长的增加而下降;随工作温度的增加变化很小,500K以上时略有降低。300K下,在沟... 研究了4H-SiCMESFET的频率特性与器件几何及物理参数的关系。发现常温300K时,4H-SiCMESFET的截止频率随沟道掺杂浓度增加而上升;随沟道厚度的增加而降低;随栅长的增加而下降;随工作温度的增加变化很小,500K以上时略有降低。300K下,在沟道掺杂为4×1017cm-3、沟道厚度为0.25mm、栅长0.30mm、栅压偏置为-5V时,模拟得到的截止频率fT达到18.62GHz,显示该器件在高频、高温、大功率领域的极大优越性和应用前景。 展开更多

关键词 频率特性 4H-SIC MESFET 截止频率

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考虑色散后的DBR的反射率

20

作者 刘文楷 姜岩峰 +2 位作者 张静 张晓波 鞠家欣 《纳米科技》 2004年第2期-,共3页

该文采用有效折射率方法结算了考虑色散关系后的分布布拉格反射镜的反射率,计算结果表明,考虑色散与不考虑色散的差别是明显的,首先峰值带宽,考虑色散的实际峰值带宽没有不考虑色散的理论带宽宽。而且,考虑色散的实际的反射谱的下降速... 该文采用有效折射率方法结算了考虑色散关系后的分布布拉格反射镜的反射率,计算结果表明,考虑色散与不考虑色散的差别是明显的,首先峰值带宽,考虑色散的实际峰值带宽没有不考虑色散的理论带宽宽。而且,考虑色散的实际的反射谱的下降速度慢。 展开更多

关键词 VCSEL DBR 色散

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