La,Ce,Nd掺杂对单层MoS_2电子结构的影响 被引量：19

1

作者 雷天民 吴胜宝 +3 位作者 张玉明 郭辉 陈德林 张志勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期241-248,共8页

为了研究稀土掺杂对单层MoS2电子结构的影响,文章基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了本征及La,Ce,Nd掺杂单层MoS2的晶格参数、能带结构、态密度和差分电荷密度.计算发现,稀土掺杂所引起的晶格畸变与杂质... 为了研究稀土掺杂对单层MoS2电子结构的影响,文章基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了本征及La,Ce,Nd掺杂单层MoS2的晶格参数、能带结构、态密度和差分电荷密度.计算发现,稀土掺杂所引起的晶格畸变与杂质原子的共价半径大小有关,La杂质附近的键长变化最大,Nd杂质附近的键长变化最小.能带结构分析表明,La掺杂可以在MoS2的禁带中引入3个能级,Ce掺杂可以形成6个新能级,Nd掺杂可以形成4个能级,并对杂质能级属性进行了初步分析.差分电荷密度分布显示,稀土掺杂可以使单层MoS2中的电子分布发生改变,尤其是f电子的存在会使差分电荷密度呈现出反差极大的物理图象. 展开更多

关键词 第一性原理 二硫化钼 稀土掺杂 电子结构 MOS2

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Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析 被引量：13

2

作者 雷天民 陈治明 +3 位作者 余明斌 马剑平 胡宝宏 王建农 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期303-307,共5页

采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以较低生长温度 ,在 Si( 1 1 1 )和 Si( 1 0 0 )衬底上同时外延生长 3C- Si C获得成功 .生长源气为 CH4 + Si H4 + H2 混合气体 ,热丝温度约为2 0 0 0℃ ,碳化和生长时基座温度分别为 950℃和 92 0... 采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以较低生长温度 ,在 Si( 1 1 1 )和 Si( 1 0 0 )衬底上同时外延生长 3C- Si C获得成功 .生长源气为 CH4 + Si H4 + H2 混合气体 ,热丝温度约为2 0 0 0℃ ,碳化和生长时基座温度分别为 950℃和 92 0℃ ,用 X射线衍射 ( XRD)和 X射线光电子能谱 ( XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化 .XRD结果显示出 3C- Si C薄层的外延生长特征 ,XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为 Si和 C,且 Si/C原子比符合 Si C的理想化学计量比 ,其三维能谱曲线进一步证明了外延层中 Si2 p和与 Cls成键形成具有闪锌矿结构的 3C- Si 展开更多

关键词 XPS分析 外延 碳化硅 硅衬底 薄膜

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纤锌矿GaN光电性质的第一性原理研究 被引量：8

3

作者 陆稳 雷天民 《电子科技》 2009年第5期55-58,共4页

利用平面波赝势密度泛函的方法,结合广义梯度近似,对纤锌矿GaN的光电性质进行了研究。对纤锌矿GaN的能带结构、态密度分布、复介电函数和吸收光谱进行了计算。文中分析了纤锌矿结构GaN晶体可能的跃迁及其对应的吸收光谱。结果显示GaN晶... 利用平面波赝势密度泛函的方法,结合广义梯度近似,对纤锌矿GaN的光电性质进行了研究。对纤锌矿GaN的能带结构、态密度分布、复介电函数和吸收光谱进行了计算。文中分析了纤锌矿结构GaN晶体可能的跃迁及其对应的吸收光谱。结果显示GaN晶体的光学性质与晶体的电子结构直接相关。计算结果为进一步理解和改进纤锌矿GaN的光电性质提供理论基础。 展开更多

关键词 GAN 光电性质 第一性原理

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Si(111)碳化层中的SiC结晶 被引量：7

4

作者 雷天民 陈治明 +1 位作者 马剑平 余明斌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期317-322,共6页

为采用HFCVD技术在Si（111）衬底上外延3C－SiC薄层而在Si表面首先进行碳化处理．实验样品用H2稀释的碳化物气氛进行碳化处理，热丝温度约为2000℃，衬底温度在950℃到1100℃之间．用X射线衍射、电子衍射和俄歇能谱等分析手段研究了碳... 为采用HFCVD技术在Si（111）衬底上外延3C－SiC薄层而在Si表面首先进行碳化处理．实验样品用H2稀释的碳化物气氛进行碳化处理，热丝温度约为2000℃，衬底温度在950℃到1100℃之间．用X射线衍射、电子衍射和俄歇能谱等分析手段研究了碳化层的组分及结构，发现碳化层可由合碳硅结晶层、3C－SiC结晶层和富碳的3C－SiC结晶层组成．适当控制碳化条件可以调整3C－SiC结晶层的比例． 展开更多

关键词 硅 碳化层 碳化硅 结晶

全文增补中

CMOS集成电路的抗辐射设计 被引量：6

5

作者 张小平 雷天民 +1 位作者 杨松 陈仁生 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第B12期68-70,共3页

随着商业微电子器件抗辐射能力的提高，使得对专用集成电路(ASIC)从设计上进行抗辐射加固成为可能。本文介绍了CMOS器件的抗电离辐射的主要加同设计方法，认为在商业工艺上可以获得低成本的中等复杂程度和耐辐射能力的专用集成电路(ASIC)。

关键词 CMOS 集成电路 抗辐射设计 微电子器件 专用集成电路 总剂量效应 单粒子效应 双环保护结构

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GaAs第一性原理研究 被引量：5

6

作者 陈启燊 雷天民 《电子科技》 2009年第4期69-71,共3页

为了深入认识GaAs的电子结构和光学性质,计算和分析了GaAs晶体的能带结构、电子态密度、分波态密度、光学常数,所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波赝势方法。研究证明,其具有广泛的应用领域。

关键词 GAAS 密度泛函理论 第一性原理

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单层MoS_2的电子结构及光学性质 被引量：5

7

作者 雷天民 吴胜宝 +3 位作者 张玉明 刘佳佳 郭辉 张志勇 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2477-2480,共4页

基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法计算和分析了单层MoS2的电子结构及其光学性质,得到了单层MoS2的能带结构、电子态密度、光吸收谱、反射谱、能量损失谱、光学常数谱和介电函数谱。计算结果显示:单层MoS2具有直... 基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法计算和分析了单层MoS2的电子结构及其光学性质,得到了单层MoS2的能带结构、电子态密度、光吸收谱、反射谱、能量损失谱、光学常数谱和介电函数谱。计算结果显示:单层MoS2具有直接带隙能带结构,禁带宽度为1.726 eV;同时发现,单层MoS2对可见到紫外区域的光子具有很强的吸收,最大吸收系数为1.98 105cm-1。分析表明,单层MoS2适合被用于制作微电子和光电子器件,尤其是在紫外探测器应用方面具有潜在的应用前景。 展开更多

关键词 第一性原理 MOS2 电子结构 光学性质

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化学浴法沉积SnS薄膜的机理分析 被引量：3

8

作者 胡永红 雷天民 +1 位作者 李红生 郑春蕊 《西安理工大学学报》 CAS 2004年第4期392-395,共4页

研究了以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法制备SnS薄膜的化学反应机理,分析了络合剂和氯化铵对反应的影响。结果表明,硫代乙酰胺和氯化亚锡主要为SnS薄膜的形成提供Sn2+与S2-,三乙醇胺作为络... 研究了以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法制备SnS薄膜的化学反应机理,分析了络合剂和氯化铵对反应的影响。结果表明,硫代乙酰胺和氯化亚锡主要为SnS薄膜的形成提供Sn2+与S2-,三乙醇胺作为络合剂可以维持溶液中Sn2+的浓度,氯化铵的加入可使反应液PH值在反应中平稳变化,有利于高品质薄膜的形成。 展开更多

关键词 SNS 薄膜 化学浴 氯化铵

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用双电桥法减小压力传感器输出的温度漂移 被引量：3

9

作者 吕惠民 雷天民 +1 位作者 刘满仓 彭雅明 《西安理工大学学报》 CAS 2002年第1期51-53,共3页

论述了温度对压力传感器输出灵敏度的影响 ,为了减小传感器输出的温度漂移 ,采用双惠斯登电桥方法 ,在 3 0 0～ 3 73 K的温度范围内对传感器进行测试 ,结果表明传感器输出的温度漂移可以降低 70 %以上。

关键词 压力传感器 温度漂移补偿 灵敏度

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SnS薄膜的制备及其特性研究 被引量：4

10

作者 郑春蕊 雷天民 +2 位作者 胡永红 李红生 刘守智 《微纳电子技术》 CAS 2005年第2期66-68,共3页

以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜。用XRD,SEM等手段分别对薄膜样品的晶体结构及表面形貌进行了表征。XRD分析结果表明薄膜样品为具有斜方晶体结构的多晶SnS薄膜,SE... 以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜。用XRD,SEM等手段分别对薄膜样品的晶体结构及表面形貌进行了表征。XRD分析结果表明薄膜样品为具有斜方晶体结构的多晶SnS薄膜,SEM测量结果显示薄膜晶粒尺寸为数十纳米。此外,本文还简要分析了氯化铵在反应中的作用。 展开更多

关键词 硫化锡 薄膜 化学浴 氯化铵 表征

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空位缺陷对单层MoS_2电子结构的影响 被引量：5

11

作者 雷天民 吴胜宝 +3 位作者 张玉明 刘佳佳 姜海青 张志勇 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期608-611,共4页

为了研究单层Mo S2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层Mo S2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、Mo S2层中的电子分布以及态密度(DOS)和能带结构... 为了研究单层Mo S2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层Mo S2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、Mo S2层中的电子分布以及态密度(DOS)和能带结构。计算结果显示,2种空位缺陷都具有点缺陷特征,其附近的电子分布呈现出明显的局域化特点,且S空位比Mo空位更容易形成。通过与本征态Mo S2电子结构的对比分析,发现2种空位缺陷的存在对单层Mo S2的电子结构、尤其是对导带高能量区域的能态密度会产生十分明显的影响,这些影响可能与空位缺陷引入的缺陷能级有关。 展开更多

关键词 第一性原理 MOS2 空位 电子结构

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二维黑磷物理性质及化学稳定性的研究进展 被引量：6

12

作者 贾蕾 雷天民 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1100-1106,共7页

1914年科研工作者首次合成了黑磷的块体形式。在黑磷沉寂了100年之后,2014年人们成功地将其薄化到少层状态,得到了新型二维纳米材料——二维黑磷。它是由磷原子堆叠而成的单一元素的二维层状半导体材料,具有合适的可控直接带隙、高的载... 1914年科研工作者首次合成了黑磷的块体形式。在黑磷沉寂了100年之后,2014年人们成功地将其薄化到少层状态,得到了新型二维纳米材料——二维黑磷。它是由磷原子堆叠而成的单一元素的二维层状半导体材料,具有合适的可控直接带隙、高的载流子迁移率、高的漏电流调制率、较高的开关电流比、良好的导电导热能力和明显的平面各向异性等性质,在低维无机半导体领域备受关注。二维黑磷是一种具有众多优异性质的内禀p型材料,但在空气中的不稳定性使得目前还不能分离得到大面积磷烯(即单原子层黑磷)薄膜,这限制了二维黑磷的应用。本文综述了自2014年以来国内外关于二维黑磷的研究进展,系统介绍了二维黑磷的结构、制备与性质,重点归纳了包括电学性质、光学性质、力学性质、热学性质和磁学性质在内的物理性质及化学稳定性。最后总结并展望了二维黑磷作为电子材料的广阔前景。 展开更多

关键词 二维黑磷 物理性质 化学稳定性 磷烯

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超声辅助液相合成多晶SnS纳米粉 被引量：2

13

作者 李红生 雷天民 +3 位作者 冯谦 郑春蕊 葛莉玲 刘守智 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期319-322,共4页

本文以Na2S·9H2O和SnCl2·2H2O为反应源物,采用超声辅助液相合成法制备SnS纳米粉.用XRD、TEM和TED等方法对粉体样品进行了表征,检测结果表明粉体样品为具有斜方晶体结构的SnS纳米微粒,其平均晶粒尺寸约为15～25nm.论文还简要... 本文以Na2S·9H2O和SnCl2·2H2O为反应源物,采用超声辅助液相合成法制备SnS纳米粉.用XRD、TEM和TED等方法对粉体样品进行了表征,检测结果表明粉体样品为具有斜方晶体结构的SnS纳米微粒,其平均晶粒尺寸约为15～25nm.论文还简要讨论了超声波对SnS纳米粉形成的影响,分析认为超声辅助手段的加入有利于多晶SnS纳米粉的形成. 展开更多

关键词 多晶SnS 纳米粉体材料 硫化锡 超声辅助液相合成法 半导体材料

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1200V SiC超结VDMOS研究 被引量：4

14

作者 郭心宇 白云 雷天民 《电工电能新技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期27-31,共5页

在高耐压器件中,保持高耐压的同时减少漂移区电阻是提升器件性能的关键,超结理论的提出使器件在相同耐压下具有更小的漂移区电阻。通过利用Silvaco TCAD软件对器件结构参数进行了计算优化仿真,得到了击穿电压为1680V,比导通电阻为0.60m... 在高耐压器件中,保持高耐压的同时减少漂移区电阻是提升器件性能的关键,超结理论的提出使器件在相同耐压下具有更小的漂移区电阻。通过利用Silvaco TCAD软件对器件结构参数进行了计算优化仿真,得到了击穿电压为1680V,比导通电阻为0.60mΩ·cm^2的超结VDMOS器件。 展开更多

关键词 功率器件 超结 VDMOS

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用碳饱和硅熔体制备的3C-SiC薄片及其光致发光 被引量：1

15

作者 马剑平 卢刚 +3 位作者 陈治明 杭联茂 雷天民 封先锋 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期535-537,共3页

将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化 ,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体 ,在石墨表面形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约 0 5mm的SiC多晶薄片 .X射线衍射 (XRD)、Raman散射等分析表明所... 将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化 ,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体 ,在石墨表面形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约 0 5mm的SiC多晶薄片 .X射线衍射 (XRD)、Raman散射等分析表明所制备样品为 3C SiC多晶体 .采用He Cd激光 3 2 5nm线在不同温度下对实现样品进行了光致发光 (PL)测试分析 .PL实验结果表明随着温度的变化 ,PL发光中心发生蓝移 ,其中心由 2 13eV移至 2 .3 9eV . 展开更多

关键词 熔体 3C-SIC 薄片 光致发光 碳化硅 碳饱和硅 半导体薄膜

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3C-SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光 被引量：2

16

作者 雷天民 陈治明 +2 位作者 马剑平 王建农 胡宝宏 《西安理工大学学报》 CAS 2001年第4期335-337,共3页

采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以 CH4 +Si H4 +H2 混合气体为生长源气 ,在 Si衬底上生长 3 C-Si C晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理 ,并对退火前后的样品进行了光荧光 ( PL)分析。结... 采用 HFCVD技术 ,通过两步 CVD生长法 ,以 CH4 +Si H4 +H2 混合气体为生长源气 ,在 Si衬底上生长 3 C-Si C晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理 ,并对退火前后的样品进行了光荧光 ( PL)分析。结果显示 ,未经退火处理的样品其 PL谱为一覆盖整个可见光区域的展宽发光谱线 ,主峰位置在 52 0 nm附近 ;经快速退火处理后样品的 PL谱在 450 nm位置附近出现了又一较强峰 ,再经慢速退火处理后此峰基本消失 ,但室温 PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给 3 C-Si C晶体薄膜造成应力损伤。 展开更多

关键词 3C-SiC薄膜 热丝CVD 退火 光荧光 半导体薄膜 应力损伤

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硅熔体中3C-SiC的生长及6H-SiC晶型的抑制 被引量：1

17

作者 马剑平 卢刚 +1 位作者 雷天民 陈治明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期751-754,共4页

论述了从硅熔体中生长 3C- Si C晶体过程中 6 H- Si C晶型控制的一般原理 .采用将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化 ,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体 ,在石墨表面形成厚约 0 .2 m m的Si C薄层 .X射线衍射 (... 论述了从硅熔体中生长 3C- Si C晶体过程中 6 H- Si C晶型控制的一般原理 .采用将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化 ,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体 ,在石墨表面形成厚约 0 .2 m m的Si C薄层 .X射线衍射 (XRD)、X射线光电子能谱 (XPS)、Ram an散射等分析表明所制备样品为 3C- Si C多晶体 .实验结果进一步证明从硅熔体中生长 3C- Si C晶体过程中 ,通过适当调整工艺参数可以抑制 6 H- Si C晶型的形成 . 展开更多

关键词 硅熔体 碳化硅 抑制 半导体材料 生长

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纳米晶Bi_2Se_3-Sb_2Se_3薄膜的SILAR法制备及表征 被引量：2

18

作者 陈多金 雷天民 卢刚 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第A02期343-346,共4页

采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,分别用含有Se2-,Bi3+和Sb3+的离子溶液作为独立的阴、阳离子前驱溶液,以载玻片为衬底,在室温下沉积出致密且具有镜面金属光泽的Bi2Se3-Sb2Se3薄膜材料。为了改善薄膜样品的结晶状态,对其进行了退火处... 采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,分别用含有Se2-,Bi3+和Sb3+的离子溶液作为独立的阴、阳离子前驱溶液,以载玻片为衬底,在室温下沉积出致密且具有镜面金属光泽的Bi2Se3-Sb2Se3薄膜材料。为了改善薄膜样品的结晶状态,对其进行了退火处理。用AFM观察了薄膜样品的表面形貌,用XRD分析了退火前后薄膜样品的结晶状态。结果表明:薄膜样品经200℃较低温度下退火处理4 h以后,薄膜的结晶状态由无定形态转化为多晶态,其平均晶粒尺寸为30 nm～40 nm。 展开更多

关键词 SILAR法 Bi2Se3-Sb2Se3 薄膜 表征

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一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计 被引量：1

19

作者 李彪 雷天民 《电子器件》 CAS 2007年第1期112-115,共4页

文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35μmBiCMOS工艺,采用Bro-kaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到+85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压... 文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35μmBiCMOS工艺,采用Bro-kaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到+85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5V±0.002V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2mV,电源电压抑制比为60dB.5V电源电压下功耗为1.19mW.具有良好的电源抑制能力. 展开更多

关键词 模拟集成电路 带隙基准电压源 Brokaw参考电压源 温度补偿BiCMOS

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WIMAX系统中可配置FFT/IFFT的设计与实现 被引量：1

20

作者 刘德福 雷天民 马卓 《电子科技》 2010年第3期17-19,共3页

针对WIMAX系统中变长子载波的特点,通过采用流水线乒乓结构,以基2、基4混合基实现了高速可配置的FFT/IFFT。将不同点数的FFT旋转因子统一存储,同时对RAM单元进行优化,节约了存储空间;此外对基4蝶形单元进行优化,减少了加法和乘法运算单... 针对WIMAX系统中变长子载波的特点,通过采用流水线乒乓结构,以基2、基4混合基实现了高速可配置的FFT/IFFT。将不同点数的FFT旋转因子统一存储,同时对RAM单元进行优化,节约了存储空间;此外对基4蝶形单元进行优化,减少了加法和乘法运算单元。仿真和综合结果表明,设计满足了WIMAX高速系统中不同带宽下FFT/IFFT的要求。 展开更多

关键词 正交频分复用 WIMAX 快速傅里叶变换/逆变换

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