提出一种600 V N型双栅LDMOS新器件结构,能够减小总剂量(TID)辐照导致的阈值电压漂移。与常规600 V NLDMOS相比,所提出的双栅由厚栅和薄栅构成,其中薄栅位于p阱的N+有源区上方,厚栅为原器件结构的栅,在受到TID辐照时,薄栅结构可以抑制...提出一种600 V N型双栅LDMOS新器件结构,能够减小总剂量(TID)辐照导致的阈值电压漂移。与常规600 V NLDMOS相比,所提出的双栅由厚栅和薄栅构成,其中薄栅位于p阱的N+有源区上方,厚栅为原器件结构的栅,在受到TID辐照时,薄栅结构可以抑制阈值电压漂移,厚栅结构能保证器件耐压,提高了器件可靠性。利用Sentaurus TCAD进行仿真验证,仿真结果表明,双栅器件在保持原有器件转移、输出、开关等电学特性的基础上,在1 Mrad(Si)剂量辐射时,常规结构器件阈值电压漂移量为105.8%,而双栅新结构器件的阈值电压漂移量仅为10.2%。展开更多
文摘提出一种600 V N型双栅LDMOS新器件结构,能够减小总剂量(TID)辐照导致的阈值电压漂移。与常规600 V NLDMOS相比,所提出的双栅由厚栅和薄栅构成,其中薄栅位于p阱的N+有源区上方,厚栅为原器件结构的栅,在受到TID辐照时,薄栅结构可以抑制阈值电压漂移,厚栅结构能保证器件耐压,提高了器件可靠性。利用Sentaurus TCAD进行仿真验证,仿真结果表明,双栅器件在保持原有器件转移、输出、开关等电学特性的基础上,在1 Mrad(Si)剂量辐射时,常规结构器件阈值电压漂移量为105.8%,而双栅新结构器件的阈值电压漂移量仅为10.2%。
