期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展
被引量:
2
1
作者
隋
占
仁
徐凌波
+4 位作者
崔灿
王蓉
杨德
仁
皮孝东
韩学峰
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第6期1067-1085,共19页
宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体...
宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体产品规模化应用的前提。顶部籽晶溶液生长(TSSG)法生长的单晶SiC有着晶体质量高、易扩径、易p型掺杂等优势,有望成为制备单晶SiC的主流方法。但目前由于该方法涉及的生长机理复杂,研究者对其内部机理的理解还不够充分,难以对TSSG生长设备和方法进行有效的改进与优化。利用计算机对TSSG法生长单晶SiC生长过程进行数值模拟被认为是对其内部机理探究的有效途径之一。本文首先回顾了TSSG法生长单晶SiC和相关数值模拟分析的发展历程,介绍了TSSG法生长单晶SiC和数值模拟的基本原理,然后介绍了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC模型涉及的主要模块、影响单晶生长的主要因素(如马兰戈尼力、浮力、电磁力等),以及对数值模型的优化方法。最后,指出了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC在未来的重点研究方向。
展开更多
关键词
宽禁带半导体
碳化硅
顶部籽晶溶液生长法
数值模拟
有限元
晶体生长
机器学习
下载PDF
职称材料
题名
数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展
被引量:
2
1
作者
隋
占
仁
徐凌波
崔灿
王蓉
杨德
仁
皮孝东
韩学峰
机构
浙江理工大学物理系
浙江大学杭州国际科创中心
浙江大学材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第6期1067-1085,共19页
基金
国家自然科学基金面上项目(61721005)
国家自然科学基金青年科学基金(52202189)
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2022C01021,2023C01010)。
文摘
宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)凭借着其高击穿场强、高热导率、耐高温、高化学稳定性和抗辐射等优异性能,在电力电子器件领域尤其是高温、高频、高功率等应用场景下有着巨大潜力。大尺寸、高质量、低成本的单晶SiC的制备是SiC相关半导体产品规模化应用的前提。顶部籽晶溶液生长(TSSG)法生长的单晶SiC有着晶体质量高、易扩径、易p型掺杂等优势,有望成为制备单晶SiC的主流方法。但目前由于该方法涉及的生长机理复杂,研究者对其内部机理的理解还不够充分,难以对TSSG生长设备和方法进行有效的改进与优化。利用计算机对TSSG法生长单晶SiC生长过程进行数值模拟被认为是对其内部机理探究的有效途径之一。本文首先回顾了TSSG法生长单晶SiC和相关数值模拟分析的发展历程,介绍了TSSG法生长单晶SiC和数值模拟的基本原理,然后介绍了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC模型涉及的主要模块、影响单晶生长的主要因素(如马兰戈尼力、浮力、电磁力等),以及对数值模型的优化方法。最后,指出了数值模拟方法计算分析TSSG法生长单晶SiC在未来的重点研究方向。
关键词
宽禁带半导体
碳化硅
顶部籽晶溶液生长法
数值模拟
有限元
晶体生长
机器学习
Keywords
wide bandgap semiconductor
silicon carbide
top-seeded solution growth
numerical simulation
finite element
crystal growth
machine learning
分类号
O471 [理学—半导体物理]
O78 [理学—物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
数值模拟顶部籽晶溶液生长法制备单晶碳化硅的研究进展
隋
占
仁
徐凌波
崔灿
王蓉
杨德
仁
皮孝东
韩学峰
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部