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题名场效应管时间相关介质击穿的失效机制研究
被引量：3
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作者
刘峰松
陆金
陶有飞
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机构
上海先进半导体制造股份有限公司
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出处
《集成电路应用》
2017年第11期30-34,共5页
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基金
上海市科学技术委员会科技创新行动计划高新技术基金(17DZ1100300)
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文摘
TDDB(Time dependent Dielectric Breakdown)时间相关介质击穿,表征与时间相关的介质电击穿。在金属场效应管器件里是用来测试栅氧层可靠性的关键参数。PEM(process evaluation module)可靠性测试片上发现,多晶叉齿结构更易造成TDDB失效。交叉实验研究表明氮化硅上顶层金属在热过程下的形变是TDDB在PEM结构上失效的主要原因。可以通过降低退火温度和氮化硅压应力的补偿来改善,可有效解决TDDB失效。同时发现介质层ILD的膜质组成也会对TDDB失效有一定影响。
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关键词
集成电路制造
时间相关介质击穿
栅氧
场效应管
应力
退火
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Keywords
integrated circuit manufacturing, TDDB, gate oxide, MOSFET, stress, alloy
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名光刻返工引起的MIM电容失效机理和解决方案
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作者
刘峰松
陶有飞
陆金
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机构
上海先进半导体制造股份有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期59-62,共4页
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文摘
针对由金属-绝缘体-金属（MIM）电容金属层光刻返工引起的产品成品率下降10%的问题,开展了一系列工艺实验,分析了引起失效的机理并提出了改进措施。采用扫描电子显微镜对失效样品进行了分析和表征,发现失效样品的氮化硅介电层有空洞,而未经MIM光刻返工的样品均未发现介质层有异常。由于MIM金属层光刻返工时,经过等离子体去胶和EKC溶液清洗表面易对电容介质层造成损伤,引起极板间短路,进而影响器件性能。实验结果表明,采用有机显影溶剂去胶来取代等离子体去胶,可有效改善光刻返工引起的电介质层损伤。采用该方法返工两次以内的成品率均不受影响。同时发现MIM电容层上的钨塞孔链密度在一定程度上影响失效率,分析认为高孔链密度样品更易受到后续孔刻蚀工艺的强电场影响。
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关键词
光刻返工
金属-绝缘体-金属(MIM)电容
针孔
等离子体去胶
显影溶剂
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Keywords
lithography rework
metal-insulator-metal （MIM） capacitor
pin hole
plasma strip
developer solvent
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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