MCP噪声因子的理论分析 被引量：4

1

作者 韦亚一 陶兆民 《电子科学学刊》 CSCD 1993年第6期655-658,共4页

本文从理论上分析了MCP对输出信号信噪比的影响,推导了噪声因子的表达式,作了相应的数值计算。根据计算结果指出了降低MCP噪声因子的有效途径。

关键词 MCP 信噪比 噪声因子 电子倍增器

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微通道板最佳倾斜角的设计 被引量：2

2

作者 韦亚一 陶兆民 《红外技术》 CSCD 1994年第2期19-21,共3页

本文根据铅硅玻璃次级电子产额公式，计算了对应于不同入射能量的原初电子进入微通道板的最佳入射倾斜角。指出不同材料制作的微通道板（不同的微通道板皮玻璃料方），工作在不同的条件下（入射电子能量不同），就必须设计不同的倾斜角... 本文根据铅硅玻璃次级电子产额公式，计算了对应于不同入射能量的原初电子进入微通道板的最佳入射倾斜角。指出不同材料制作的微通道板（不同的微通道板皮玻璃料方），工作在不同的条件下（入射电子能量不同），就必须设计不同的倾斜角，否则微通道板的电子倍增潜力得不到充分发挥。 展开更多

关键词 微通道板 倾斜角 次级电子 通道板

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微通道板增益衰减的理论分析 被引量：3

3

作者 陶兆民 韦亚一 《光电子技术》 CAS 1992年第1期59-64,共6页

本文根据作者已有的实验数据和在前人工作的基础上,分析了导致微通道板经电子轰击后增益大幅度下降的原因.并据此对照国外同类产品剖析了目前国内微通道板生产中影响增益的几个因素,提出相应的改进意见.

关键词 微通道板 增益衰减 电子储增器

全文增补中

微通道板次级电子发射层中各元素随深度的分布 被引量：2

4

作者 韦亚一 陶兆民 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1991年第6期384-387,共4页

本文应用XPS研究微通道板次级电子发射层中各元素浓度随深度的分布,以及不同烧氢还原温度对此分布的影响,并讨论了不同烧氢还原温度对次级电子发射性能的影响,在此基础上提出了改进微通道板性能的几个途径。

关键词 微通道板 XPS(X光电子能谱) 烧氢还原 元素深度分布 次级电子发射体

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次级电子激发过程的Monte Carlo模拟计算 被引量：1

5

作者 韦亚一 陶兆民 黄力明 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第5期366-370,共5页

在总结前人工作的基础上，利用MonteCarlo方法建立了次级电子激发过程的数学模型。然后利用此模型计算了一类重要的次级发射体──高铅硅酸盐玻璃的次级发射性能。本文首次把次级电子发射体的材料构成与其次级电子发射性能通过MonteCarl... 在总结前人工作的基础上，利用MonteCarlo方法建立了次级电子激发过程的数学模型。然后利用此模型计算了一类重要的次级发射体──高铅硅酸盐玻璃的次级发射性能。本文首次把次级电子发射体的材料构成与其次级电子发射性能通过MonteCarlo计算联系了起来，为新型次级电子发射材料的设计提供了一种计算方法。 展开更多

关键词 蒙特卡罗法 次级电子激发 模拟计算

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Ti-Ta吸气丝的SIMS分析 被引量：1

6

作者 邓金祥 夏长虹 +3 位作者 陶兆民 余镇江 杨得全 张韶红 《光电子技术》 CAS 1991年第1期35-37,共3页

本文给出两种Ti-Ta吸气丝的SIMS分析,比较其结果,对其吸气性能的差异予以讨论,指出其中一种Ti-Ta吸气丝吸气性能差的原因。

关键词 Ti-Ta 吸气剂 吸气材料 SIMS分析

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一种新的高增益MCP的设想

7

作者 韦亚一 陶兆民 《光电子技术》 CAS 1992年第4期319-323,共5页

本文从理论上提出了一种高增益 MCP 的设想,即在现有的 MCP 通道内壁蒸镀上一层对本工作区域比较敏感的材料,使 MCP 的发射层与电子补充层从几何位置上分开。为了实现这一结构,本文提出了一些方法,供国内 MCP 研制与生产单位参考。从理... 本文从理论上提出了一种高增益 MCP 的设想,即在现有的 MCP 通道内壁蒸镀上一层对本工作区域比较敏感的材料,使 MCP 的发射层与电子补充层从几何位置上分开。为了实现这一结构,本文提出了一些方法,供国内 MCP 研制与生产单位参考。从理论上来说,在成型后的 MCP 增益不符合要求时,可能使用这种方法通过后期工艺处理得到合格的 MCP;对于合格的 MCP,可以使其增益更高,从而能在低工作电压下使用,延长寿命减少噪声。 展开更多

关键词 MCP 增益 蒸镀 电子倍增器

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GaAs,GaP,InP,GaInAs,GaInPAs晶体表面碳污染的去除

8

作者 陶兆民 夏长虹 +1 位作者 潘晓丹 潘峡 《电子科学学刊》 CSCD 1989年第1期107-112,共6页

本文以UV/O_3法去除GaAs,GaP,InP,GaInAs,OaInPAs晶体表面碳的污染,实验给出不同的结果并给予解释。

关键词 晶体表面 碳污染 UV/O3法 AES

全文增补中

MCP自饱和效应理论分析

9

作者 韦亚一 陶兆民 《应用光学》 CAS CSCD 1992年第6期14-17,共4页

从理论上分析MCP自饱和效应产生的原因,以及自饱和效应对MCP工作性能的影响,提出克服自饱和效应的办法。

关键词 微通道板 自饱和效应 电子

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宽波段的透射式GaAs光阴极 被引量：1

10

作者 陶兆民 《应用光学》 CAS 1980年第1期75-76,共2页

早先,我们曾报导过玻璃粘结的GaAs光阴极的工艺及性能。简言之,它的结构是:GaAs（基底）—AlGaAs—GaAs—AlGaAs—SiO2—7056玻璃。半导体层以通常的液相外延形成。SiO2以化学汽相沉积形成,它作为增透膜并防止与玻璃牯结的AlGaAs表面的... 早先,我们曾报导过玻璃粘结的GaAs光阴极的工艺及性能。简言之,它的结构是:GaAs（基底）—AlGaAs—GaAs—AlGaAs—SiO2—7056玻璃。半导体层以通常的液相外延形成。SiO2以化学汽相沉积形成,它作为增透膜并防止与玻璃牯结的AlGaAs表面的氧化。 展开更多

关键词 光阴极 透射式 宽波段 宽频带 量子效率 激光效率 GAAS

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与玻璃粘结的GaAs-AlGaAs透射式光阴极 被引量：1

11

作者 陶兆民 《应用光学》 CAS 1980年第1期73-74,共2页

在GaAs基底上已做出GaAs—GaAlAs—GaAs—GaAlAs异质结构,它与corning7056玻璃粘结,基底GaAs以及在基底GaAs上面的AlGaAs用化学方法腐蚀掉,腐蚀GaAs与AlGaAs的腐蚀剂分别为NH_4OH—H_2O_2与HF溶液。GaAs—AlGaAs玻璃结构具有特别好的形... 在GaAs基底上已做出GaAs—GaAlAs—GaAs—GaAlAs异质结构,它与corning7056玻璃粘结,基底GaAs以及在基底GaAs上面的AlGaAs用化学方法腐蚀掉,腐蚀GaAs与AlGaAs的腐蚀剂分别为NH_4OH—H_2O_2与HF溶液。GaAs—AlGaAs玻璃结构具有特别好的形态、厚度均匀和透射式光电发射性能好的特点。 展开更多

关键词 GAAS-ALGAAS 透射式 HF 光电阴极 液相外延

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阴极电子学会议

12

作者 B.M.加甫里柳克 李小琼 +2 位作者 陶兆民 吳兆皓 刘学慤 《电信科学》 1956年第6期18-24,共7页

1955年11月25—29日,在基辅,在乌克兰科学院物理研究所主持下,举行了阴极电子学会议。会议是由无线电物理委员会、苏联科学院物理数学部和乌克兰科学院召开的。会议有苏联科学院的,乌克兰科学院的,乌兹别克科学院的,工业部研究所的和工... 1955年11月25—29日,在基辅,在乌克兰科学院物理研究所主持下,举行了阴极电子学会议。会议是由无线电物理委员会、苏联科学院物理数学部和乌克兰科学院召开的。会议有苏联科学院的,乌克兰科学院的,乌兹别克科学院的,工业部研究所的和工厂的各研究机构的和高等学校的代表参加。 展开更多

关键词 阴极电子学 苏联科学院 物理研究所 物理数学 研究机构 乌兹别克 次极 毫米汞柱 技术工作者 电子能

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热电子阴极

13

作者 D.A.萊特 李小琼 +2 位作者 陶兆民 吳兆皓 刘学慤 《电信科学》 1956年第6期25-27,共3页

阴极的主要问题是:如何在所需的电流密度下获得长的寿命;避免过多的物质从阴极飞落到周围电极上;作成所需的几何形状并有一定的机械稳固度;当然还得用一种方法把阴极加热到所需温度,符合长寿命的要求,并且不产生挥发物质。由阴极中挥发... 阴极的主要问题是:如何在所需的电流密度下获得长的寿命;避免过多的物质从阴极飞落到周围电极上;作成所需的几何形状并有一定的机械稳固度;当然还得用一种方法把阴极加热到所需温度,符合长寿命的要求,并且不产生挥发物质。由阴极中挥发出活性物质不仅要缩短阴极本身的有效寿命。 展开更多

关键词 电流密度 几何形状 挥发物质 活性物质 氧化物薄膜 接触电位 多孔的 染污 大小对 行波管

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