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NEA GaAs光电阴极表面和UHV系统微颗粒污染的寻源分析与排除
被引量：
5
1
作者
陈
高
善
程宏昌
+4 位作者
石峰
刘晖
冯刘
任兵
成伟
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期205-210,共6页
借助于扫描电镜和能量分散X-ray能谱分析方法,对发生在超高真空(UHV)系统内,负电子亲和势GaAs光阴极表面上的金属微颗粒污染物进行了分析研究。给出了存在于表面上微颗粒污染物的性质、类型、所占比例、构成成分、形貌、几何尺寸。介绍...
借助于扫描电镜和能量分散X-ray能谱分析方法,对发生在超高真空(UHV)系统内,负电子亲和势GaAs光阴极表面上的金属微颗粒污染物进行了分析研究。给出了存在于表面上微颗粒污染物的性质、类型、所占比例、构成成分、形貌、几何尺寸。介绍了寻找、排除微颗粒污染物的方法,并由成分分析结果,找到并排除了UHV系统内Mo微颗粒污染物产生的源头。发现在UHV系统内,传递杆等可移动部件的较粗糙表面具有携带、输运、抛撒微颗染污染物的功能。对UHV系统进行了全面的清洗处理,使其恢复到了原有的正常状态。
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关键词
表面微颗粒污染
UHV系统污染
GaAs光电阴极表面污染
能谱成分分析
线性传递杆
下载PDF
职称材料
GaAs/GaAlAs光阴极的XPS深度剖析
被引量：
1
2
作者
冯刘
张连东
+5 位作者
刘晖
程宏昌
高
翔
陈
高
善
史鹏飞
苗壮
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期803-807,共5页
GaAs光阴极是一种高性能光阴极,它由GaAs/GaAlAs外延片和玻璃基底粘接而成。为了了解外延片的元素深度分布和各层的均匀性,利用X射线光电子能谱和Ar离子刻蚀来进行深度剖析。结果表明,由于送样过程中曾短暂暴露大气,因而GaAs光阴极表面...
GaAs光阴极是一种高性能光阴极,它由GaAs/GaAlAs外延片和玻璃基底粘接而成。为了了解外延片的元素深度分布和各层的均匀性,利用X射线光电子能谱和Ar离子刻蚀来进行深度剖析。结果表明,由于送样过程中曾短暂暴露大气,因而GaAs光阴极表面吸附有少量C、O污染,并且GaAs表层被氧化;GaAs层中的Ga、As元素含量非常均匀,约为3∶2,富Ga;而GaAlAs层中的Ga、Al和As含量比约为1∶1∶2,Ga略少于Al,但稍大于Ga0.42Al0.58As的比例。Ar离子枪采用3kV、1μA模式,刻蚀面积1 mm×1 mm,结合C-V测试得到的各层厚度数据,可以计算出该模式下各层的刻蚀速率,GaAs层的刻蚀速率约为1.091 nm/s,而GaAlAs层约为0.790 nm/s,并且推算出GaAs的溅射产额为4.00,GaAlAs的溅射产额为2.90。
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关键词
深度剖析
GAAS
X射线光电子能谱
刻蚀速率
溅射产额
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职称材料
题名
NEA GaAs光电阴极表面和UHV系统微颗粒污染的寻源分析与排除
被引量：
5
1
作者
陈
高
善
程宏昌
石峰
刘晖
冯刘
任兵
成伟
机构
西安应用光学研究
所微光夜视技术国防科技重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期205-210,共6页
文摘
借助于扫描电镜和能量分散X-ray能谱分析方法,对发生在超高真空(UHV)系统内,负电子亲和势GaAs光阴极表面上的金属微颗粒污染物进行了分析研究。给出了存在于表面上微颗粒污染物的性质、类型、所占比例、构成成分、形貌、几何尺寸。介绍了寻找、排除微颗粒污染物的方法,并由成分分析结果,找到并排除了UHV系统内Mo微颗粒污染物产生的源头。发现在UHV系统内,传递杆等可移动部件的较粗糙表面具有携带、输运、抛撒微颗染污染物的功能。对UHV系统进行了全面的清洗处理,使其恢复到了原有的正常状态。
关键词
表面微颗粒污染
UHV系统污染
GaAs光电阴极表面污染
能谱成分分析
线性传递杆
Keywords
The surface contaminants of micro-particle, UHV system contaminants, The surface contaminants of NEA GaAs photocathode, Spectroscopy component analysis, Linear transfer rod
分类号
TN15 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
GaAs/GaAlAs光阴极的XPS深度剖析
被引量：
1
2
作者
冯刘
张连东
刘晖
程宏昌
高
翔
陈
高
善
史鹏飞
苗壮
机构
微光夜视技术重点实验室
北方夜视科技集团有限公司
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第8期803-807,共5页
文摘
GaAs光阴极是一种高性能光阴极,它由GaAs/GaAlAs外延片和玻璃基底粘接而成。为了了解外延片的元素深度分布和各层的均匀性,利用X射线光电子能谱和Ar离子刻蚀来进行深度剖析。结果表明,由于送样过程中曾短暂暴露大气,因而GaAs光阴极表面吸附有少量C、O污染,并且GaAs表层被氧化;GaAs层中的Ga、As元素含量非常均匀,约为3∶2,富Ga;而GaAlAs层中的Ga、Al和As含量比约为1∶1∶2,Ga略少于Al,但稍大于Ga0.42Al0.58As的比例。Ar离子枪采用3kV、1μA模式,刻蚀面积1 mm×1 mm,结合C-V测试得到的各层厚度数据,可以计算出该模式下各层的刻蚀速率,GaAs层的刻蚀速率约为1.091 nm/s,而GaAlAs层约为0.790 nm/s,并且推算出GaAs的溅射产额为4.00,GaAlAs的溅射产额为2.90。
关键词
深度剖析
GAAS
X射线光电子能谱
刻蚀速率
溅射产额
Keywords
Depth profile
GaAs
XPS
Etching rate
Sputtering yield
分类号
TH838.3 [机械工程—仪器科学与技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NEA GaAs光电阴极表面和UHV系统微颗粒污染的寻源分析与排除
陈
高
善
程宏昌
石峰
刘晖
冯刘
任兵
成伟
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
5
下载PDF
职称材料
2
GaAs/GaAlAs光阴极的XPS深度剖析
冯刘
张连东
刘晖
程宏昌
高
翔
陈
高
善
史鹏飞
苗壮
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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