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新型热离子光电探测器
被引量:
1
1
作者
陈
钟
谋
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期109-111,共3页
本文给出了一种新型热离子光电探测器的结构、特性和理论。这种多数载流子器件,在基本结构上异于普通的p-i-n光电两极管,雪崩两极管及光电三极管,而又区别于其它多子器件:①存在着一个大的中央p+n-结区域,它在功能上类似...
本文给出了一种新型热离子光电探测器的结构、特性和理论。这种多数载流子器件,在基本结构上异于普通的p-i-n光电两极管,雪崩两极管及光电三极管,而又区别于其它多子器件:①存在着一个大的中央p+n-结区域,它在功能上类似空穴存储库。③在pn两极管的周围处有一个特殊形状的n++p+n-框架结构。普通光电两极管在633nm的绝对灵敏度为0.35A/W,新器件为1.36A/W。
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关键词
热离子
光电二极管
多数载流子
传输
硅
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职称材料
宽势阱半导体光电器件研究
2
作者
陈
钟
谋
桂德成
+1 位作者
朱健
钱辉作
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期195-199,共5页
设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2 856 ,1 90 0 0 lx下 ,光电流达 0 .6 m A,加 1 .5 V反偏时达...
设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2 856 ,1 90 0 0 lx下 ,光电流达 0 .6 m A,加 1 .5 V反偏时达 2 4 m A,灵敏度分别为 2 .9A/ W及1 1 9A/ W。
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关键词
宽势阱
光电器件
半导体
光电探测器
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职称材料
超高頻再生放大器
3
作者
陈
钟
谋
《电子学报》
EI
CAS
1964年第4期85-90,共6页
文中给出了负电子电导两端网络再生放大器增益和频宽乘积的公式。讨论了放大器与负载耦合的选择问题。指出临界耦合不是最佳耦合,因而突出对这种耦合情况进行讨论没有多大的价值。文中给出的一系列曲线明显地表明了,研制增益10~30分贝...
文中给出了负电子电导两端网络再生放大器增益和频宽乘积的公式。讨论了放大器与负载耦合的选择问题。指出临界耦合不是最佳耦合,因而突出对这种耦合情况进行讨论没有多大的价值。文中给出的一系列曲线明显地表明了,研制增益10~30分贝,频宽5~10%的再生放大器的现实可能性。
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关键词
再生放大器
频宽
现实可能性
乘积
超高频
厘米波(10厘米-1厘米)
微波频率
放大管
电子管
藕合
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职称材料
题名
新型热离子光电探测器
被引量:
1
1
作者
陈
钟
谋
机构
南京电子器件研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期109-111,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文给出了一种新型热离子光电探测器的结构、特性和理论。这种多数载流子器件,在基本结构上异于普通的p-i-n光电两极管,雪崩两极管及光电三极管,而又区别于其它多子器件:①存在着一个大的中央p+n-结区域,它在功能上类似空穴存储库。③在pn两极管的周围处有一个特殊形状的n++p+n-框架结构。普通光电两极管在633nm的绝对灵敏度为0.35A/W,新器件为1.36A/W。
关键词
热离子
光电二极管
多数载流子
传输
硅
Keywords
Thermionic photodiode,Majority carrier transmission,Silicon semiconductor device
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
宽势阱半导体光电器件研究
2
作者
陈
钟
谋
桂德成
朱健
钱辉作
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期195-199,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 !(编号 :6 92 76 0 2 7)
文摘
设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2 856 ,1 90 0 0 lx下 ,光电流达 0 .6 m A,加 1 .5 V反偏时达 2 4 m A,灵敏度分别为 2 .9A/ W及1 1 9A/ W。
关键词
宽势阱
光电器件
半导体
光电探测器
Keywords
wide barrier photoelectric device
minority carriers storehouse
potential barrier
tunnel effect
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
超高頻再生放大器
3
作者
陈
钟
谋
出处
《电子学报》
EI
CAS
1964年第4期85-90,共6页
文摘
文中给出了负电子电导两端网络再生放大器增益和频宽乘积的公式。讨论了放大器与负载耦合的选择问题。指出临界耦合不是最佳耦合,因而突出对这种耦合情况进行讨论没有多大的价值。文中给出的一系列曲线明显地表明了,研制增益10~30分贝,频宽5~10%的再生放大器的现实可能性。
关键词
再生放大器
频宽
现实可能性
乘积
超高频
厘米波(10厘米-1厘米)
微波频率
放大管
电子管
藕合
分类号
TN7 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型热离子光电探测器
陈
钟
谋
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
1
下载PDF
职称材料
2
宽势阱半导体光电器件研究
陈
钟
谋
桂德成
朱健
钱辉作
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000
0
下载PDF
职称材料
3
超高頻再生放大器
陈
钟
谋
《电子学报》
EI
CAS
1964
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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