题名 栅结构缺陷对GaN HEMT器件性能影响的研究
1
作者
邵国键 陈 正 廉 林罡 俞勇 沈杰 陈 韬刘柱
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022年第3期234-238,共5页
文摘
GaN HEMT器件在使用中会发生突发烧毁的现象,这种失效与缺陷是正相关的,其中一种已知的缺陷为栅结构缺陷。通过直流特性测试、器件热分布、微区分析讨论了栅结构缺陷对器件性能的影响。势垒特性、击穿特性均无法表征出栅结构异常的器件,低漏压的转移特性也无明显差异,仅高漏压条件下的阈值电压能够表现出明显的变化,而且漏压越高阈值电压变化量越大。器件热分布图像能够定位出器件异常栅结构的位置,且高漏压比高电流更能够表征异常器件的缺陷位置。微区分析准确定位了异常栅结构缺陷的具体形貌和位置,为缺陷的工艺优化提供指导。
关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管 栅结构缺陷 直流特性 转移特性 热分布 微区分析
Keywords
GaN high-electron-mobility transistors(GaN HEMTs) gate structure defect DC characteristic transfer characteristic thermal distribution micro-analysis
分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
题名 失配状态对GaN HEMT器件性能影响的研究
2
作者
邵国键 陈 正 廉 林罡 张茗川 王云燕 刘柱 陈 韬
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021年第6期470-473,共4页
文摘
失配状态会使GaN HEMT器件的输出功率、效率等偏离设计的额定值,通过EMMI和红外测试系统验证了失配状态对GaN HEMT器件性能的影响。结果表明,EMMI发光强度和器件的最高结温与器件输出功率的变化趋势相反,输出功率越大,EMMI发光强度越弱,器件的最高结温越小。进一步测试器件内部左、中、右三个位置的最高结温分布,器件不同位置的最高结温分布受匹配状态、相位、输出功率等影响较大。在不同占空比工作条件下,器件内部不同位置的最高结温分布各不相同,且温升差异更大。
关键词
氮化镓高电子迁移率晶体管 失配 微光显微镜 红外测试 电致发光 最高结温分布 温升
Keywords
GaN high electron mobility transistors(GaN HEMTs) mismatch emission microscope infrared test electroluminescence maximum junction temperature distribution temperature rise
分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
题名 高工作电压GaAs HFET
3
作者
陈 正 廉 林罡
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2019年第2期106-110,共5页
文摘
通过对结构和性能的分析与优化,设计并研制了不同场板和宽槽条件下的高工作电压GaAs HFET器件。直流和射频测试结果表明:提升场板长度和宽槽宽度可以有效提高器件的工作电压。器件在南京电子器件研究所流片,最终制备出的器件性能为:击穿电压大于84 V,在20 V工作电压下截止频率为9 GHz,3 GHz时功率增益为15.87 dB、功率附加效率为53%。
关键词
GaAs异质结场效应管 场板 宽槽 工作电压
Keywords
GaAs heterojunction field effect transistor(HFET) field-plate wide-recess operating voltage
分类号
TN386.3
[电子电信—物理电子学]
