作为硅光子集成芯片中基本无源器件的硅基光波导是进行光信号传输的通道,其具有良好的性能,且与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺相兼容因而得到广泛应用。用于电信和数据中心的硅光子集成电路已逐步走向商业化。近年...作为硅光子集成芯片中基本无源器件的硅基光波导是进行光信号传输的通道,其具有良好的性能,且与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺相兼容因而得到广泛应用。用于电信和数据中心的硅光子集成电路已逐步走向商业化。近年来,中红外波段在自由空间通信、传感以及环境监测等领域的潜在应用受到研究者们的广泛关注。文中分析了中红外硅基光波导的研究现状,归纳了SOI(Silicon on Insulator)、GOSI(Ge-on-SOI)、SOS(Si on Sapphire)、GOS(Ge-on-Si)、SGOS(SiGe-on-Si)、SON(Si-on Si_(3)N_(4))、GON(Ge-on Si_(3)N_(4))等波导材料平台和SOPS(Si on Porous Si)、Undercut、Pedestal、Freestanding、Suspended、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)以及等离子体结构等制造工艺平台的研究成果。迄今为止,多数单晶硅在MIR(Mid-Infrared)平台的传播损耗大约在0.7~3.0 dB·cm^(-1)。文中讨论并对比了不同类型波导的应用前景,为中红外硅基光波导的研发、应用和商业化提供了参考。展开更多
周围性面瘫(Peripheral paralysis of the facial nerve)指各种原因引起面神经管内或茎乳孔以外的面神经病变,导致以面部一侧表情肌僵硬、嘴歪、眼斜为主要症状的周围性神经疾病。我国每年约有300万人患病,占各神经系统疾病患病率的第6...周围性面瘫(Peripheral paralysis of the facial nerve)指各种原因引起面神经管内或茎乳孔以外的面神经病变,导致以面部一侧表情肌僵硬、嘴歪、眼斜为主要症状的周围性神经疾病。我国每年约有300万人患病,占各神经系统疾病患病率的第6位[1]。临床分期一般为急性期(1~7天),静止期(8~15天),恢复期(16~30天),后遗症期30天以上。周围性面瘫初期若未进行及时有效治疗,容易出现面肌痉挛等后遗症状[2-3]。展开更多
文摘作为硅光子集成芯片中基本无源器件的硅基光波导是进行光信号传输的通道,其具有良好的性能,且与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺相兼容因而得到广泛应用。用于电信和数据中心的硅光子集成电路已逐步走向商业化。近年来,中红外波段在自由空间通信、传感以及环境监测等领域的潜在应用受到研究者们的广泛关注。文中分析了中红外硅基光波导的研究现状,归纳了SOI(Silicon on Insulator)、GOSI(Ge-on-SOI)、SOS(Si on Sapphire)、GOS(Ge-on-Si)、SGOS(SiGe-on-Si)、SON(Si-on Si_(3)N_(4))、GON(Ge-on Si_(3)N_(4))等波导材料平台和SOPS(Si on Porous Si)、Undercut、Pedestal、Freestanding、Suspended、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)以及等离子体结构等制造工艺平台的研究成果。迄今为止,多数单晶硅在MIR(Mid-Infrared)平台的传播损耗大约在0.7~3.0 dB·cm^(-1)。文中讨论并对比了不同类型波导的应用前景,为中红外硅基光波导的研发、应用和商业化提供了参考。
文摘周围性面瘫(Peripheral paralysis of the facial nerve)指各种原因引起面神经管内或茎乳孔以外的面神经病变,导致以面部一侧表情肌僵硬、嘴歪、眼斜为主要症状的周围性神经疾病。我国每年约有300万人患病,占各神经系统疾病患病率的第6位[1]。临床分期一般为急性期(1~7天),静止期(8~15天),恢复期(16~30天),后遗症期30天以上。周围性面瘫初期若未进行及时有效治疗,容易出现面肌痉挛等后遗症状[2-3]。