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脑卒中的独立危险因素之一——熬夜 被引量:9
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作者 方略 谢仁明 +1 位作者 李燕如 雷达 《康复学报》 2016年第1期47-49,共3页
目的:探讨熬夜是否为脑卒中的独立危险因素。方法:调查2013年1月至12月在湘雅博爱康复医院住院患者的临床资料,脑卒中组(包括缺血性及出血性卒中)234例,并按1∶1的比例设定对照组234例。以高血压、糖尿病、血脂异常、心脏病、吸烟、嗜... 目的:探讨熬夜是否为脑卒中的独立危险因素。方法:调查2013年1月至12月在湘雅博爱康复医院住院患者的临床资料,脑卒中组(包括缺血性及出血性卒中)234例,并按1∶1的比例设定对照组234例。以高血压、糖尿病、血脂异常、心脏病、吸烟、嗜酒及熬夜为自变量,进行多因素logistic回归分析,通过自变量的显著性水平对各个危险因素进行判断。结果:2组间高血压、糖尿病、血脂异常、心脏病、吸烟、嗜酒、熬夜、房颤或瓣膜性心脏病等比较均有统计学意义(P<0.05);logistic回归分析显示,高血压OR值=4.385,糖尿病OR值=2.657,血脂异常OR值=2.727,吸烟OR值=2.299,嗜酒OR值=2.528,熬夜OR值=1.732,房颤或瓣膜性心脏病病史的OR值=9.070。结论:除了高血压、糖尿病、血脂异常、心脏病、吸烟、嗜酒等为脑卒中的独立危险因素外,熬夜为脑卒中的又一个独立危险因素。 展开更多
关键词 脑卒中 危险因素 熬夜
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针刺结合运动想象疗法对脑卒中后偏侧忽略患者疗效观察 被引量:8
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作者 雷达 谢仁明 +2 位作者 曹红桂 李燕如 方略 《康复学报》 2015年第1期10-13,共4页
目的:探讨针刺结合运动想象疗法在脑卒中后偏侧忽略患者治疗中的疗效。方法:对本院脑卒中后偏瘫患者进行神经心理学评测,40例纳入患者随机分为3组,对照组(常规康复疗法)13例,观察组(在常规康复基础上予运动想象疗法)13例,实验组(常规康... 目的:探讨针刺结合运动想象疗法在脑卒中后偏侧忽略患者治疗中的疗效。方法:对本院脑卒中后偏瘫患者进行神经心理学评测,40例纳入患者随机分为3组,对照组(常规康复疗法)13例,观察组(在常规康复基础上予运动想象疗法)13例,实验组(常规康复治疗同时予针刺结合运动想象疗法)14例。3组治疗前后分别予偏侧忽略行为学量表评定(CBS)、Fugl-Meyer运动功能评定(FMA)、改良Barthel指数(MBI)评定。结果:1观察组和实验组治疗后CBS较治疗前下降(P<0.01),FMA、MBI评分明显高于治疗前(P<0.001),对照组治疗前后无明显差异(P>0.05)。2 3组治疗前后CBS、FMA、MBI评分差值的平均效应不全相同,经过两两比较,实验组CBS、FMA、MBI评分差值均高于观察组和对照组,观察组3项评分差值均高于对照组(P<0.01)。结论:针刺结合运动想象疗法治疗脑卒中后偏侧忽略患者,能够改善忽略,提高患者的运动功能和日常生活活动能力。 展开更多
关键词 偏侧忽略 针刺 运动想象
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An asymmetric MOSFET-C band-pass filter with on-chip charge pump auto-tuning
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作者 方略 林敏 +3 位作者 马何平 贾海珑 石寅 代伐 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期127-131,共5页
An asymmetric MOSFET-C band-pass filter (BPF) with on chip charge pump auto-tuning is presented. It is implemented in UMC (United Manufacturing Corporation) 0.18 μm CMOS process technology. The filter system with... An asymmetric MOSFET-C band-pass filter (BPF) with on chip charge pump auto-tuning is presented. It is implemented in UMC (United Manufacturing Corporation) 0.18 μm CMOS process technology. The filter system with auto-tuning uses a master-slave technique for continuous tuning in which the charge pump outputs 2.663 V, much higher than the power supply voltage, to improve the linearity of the filter. The main filter with third order low-pass and second order high-pass properties is an asymmetric band-pass filter with bandwidth of 2.730-5.340 MHz. The in-band third order harmonic input intercept point (ⅡP3) is 16.621 dBm, with 50Ω as the source impedance. The input referred noise is about 47.455 μVrms. The main filter dissipates 3.528 mW while the auto-tuning system dissipates 2.412 mW from a 1.8 V power supply. The filter with the auto-tuning system occupies 0.592 mm2 and it can be utilized in GPS (global positioning system) and Bluetooth systems. 展开更多
关键词 MOSFET-C filter auto tuning charge pump CMOS circuit design wireless system
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