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In_xGa_(1-x)N量子阱蓝光LED光电特性与量子阱束缚态能级的关系 被引量:1
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作者 李国斌 刘颂豪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期911-917,共7页
运用软件模拟和理论计算的方法分析了量子阱宽度的变化对量子阱束缚态能级与光电性能产生的影响,建立了束缚态分裂能级理论模型。分析结果表明:当量子阱宽较窄时,极化效应导致的能带弯曲是光谱红移的主要原因,而电子泄漏是导致效率下降... 运用软件模拟和理论计算的方法分析了量子阱宽度的变化对量子阱束缚态能级与光电性能产生的影响,建立了束缚态分裂能级理论模型。分析结果表明:当量子阱宽较窄时,极化效应导致的能带弯曲是光谱红移的主要原因,而电子泄漏是导致效率下降的主要原因;当阱宽较大时,能级填充是导致光谱红移的主要原因,俄歇复合与载流子离域是导致效率下降的主要原因。由本文得出,当量子阱宽为2.5~3.5 nm时,InGaN/GaN发光二极管获得最大内量子效率与发光效率。 展开更多
关键词 量子阱宽 效率下降 数值模拟 InGaN/GaN发光二极管
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基于混合式学习模式下的高校移动教育APP的应用研究
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作者 张晓亮 曹怡心 《新丝路(下旬)》 2019年第6期95-96,共2页
随着我国高校混合学习的发展,移动学习模式日渐融入教学环节,通过对主流移动学习APP应用情况的对比分析,剖析其存在的问题,探寻在混合移动学习模式下移动学习APP应用的解决策略。
关键词 混合式教学 M-LEARNING APP
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