高效率大功率连续半导体激光器 被引量：10

1

作者 杨红伟 黄科 +2 位作者 陈宏泰 张世祖 任永学 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第2期71-75,共5页

从大功率半导体激光器的工作机理出发,对影响激光器电光转换效率的主要因素,如激光器的斜率效率ηd、阈值电流Ith、开启电压V0、串联电阻Rs以及工作电流I等进行了分析,进而讨论了提高电光转换效率的主要技术途径。通过对应变量子阱大光... 从大功率半导体激光器的工作机理出发,对影响激光器电光转换效率的主要因素,如激光器的斜率效率ηd、阈值电流Ith、开启电压V0、串联电阻Rs以及工作电流I等进行了分析,进而讨论了提高电光转换效率的主要技术途径。通过对应变量子阱大光腔激光器外延材料开启特性的优化、大功率激光器芯片横向限制工艺的改进以及对大功率微通道热沉制作等技术的研究,制作了808nm连续半导体激光器阵列。在工作电流140A时,阵列工作电压为1.83V,输出功率145W,电光转换效率达到56.6%。 展开更多

关键词 大功率连续半导体激光器 电光转换效率 横向限制 微通道热沉 量子阱

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850nm窄发散角单模半导体激光器材料研究 被引量：2

2

作者 宁吉丰 王彦照 +1 位作者 陈宏泰 房玉龙 《标准科学》 2023年第S01期190-194,共5页

短距离激光雷达技术应用广泛,但是要求器件的发散角比较小。针对器件的发散角,通过商用软件和波导模拟软件,设计850nm GaAs/AlGaAs扩展波导外延材料结构。采用非对称波导结构设计,有助于降低内部光学损耗,提高激光器的斜率效率,降低激... 短距离激光雷达技术应用广泛,但是要求器件的发散角比较小。针对器件的发散角,通过商用软件和波导模拟软件,设计850nm GaAs/AlGaAs扩展波导外延材料结构。采用非对称波导结构设计,有助于降低内部光学损耗,提高激光器的斜率效率,降低激光器功耗。通过优化腐蚀阻挡层GaInP的掺杂浓度,消除能带不连续导致器件电压升高问题。采用MOCVD生长了带有腐蚀阻挡层的AlGaAs/GaAs非对称扩展波导外延片,并制作成条宽2.5μm、腔长1mm的激光器芯片。测试结果表明,室温条件直流条件测试下,阈值电流为35mA,斜率效率为1.2 W/A,输出功为200mW@200mA,快轴发散角测试为15°。 展开更多

关键词 850nm 单模 窄发散角 激光二极管

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808nm半导体激光器的腔面反射率设计 被引量：6

3

作者 杜伟华 杨红伟 +3 位作者 陈国鹰 陈宏泰 李雅静 彭海涛 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期41-44,共4页

通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率、内损耗、透明电流密度、模式增益等。根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线。进行腔面... 通过对不同腔长的808nm半导体激光器单管进行P-I测试,提取出了材料内部参数,如内量子效率、内损耗、透明电流密度、模式增益等。根据得出的内部参数进行了腔面反射率设计,分析腔面反射率与功率转换效率的关系,得出了关系曲线。进行腔面镀膜实验,把实验值与计算值相比较,二者相吻合。通过这种腔面反射率设计方法,可以得到半导体激光器的最大功率转换效率,从而使其工作于优化状态下。 展开更多

关键词 半导 体激光器 反射率 镀膜 功率转换效率 腔面

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6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究

4

作者 李帅 房玉龙 +6 位作者 芦伟立 王健 郝文嘉 李建涛 陈宏泰 王波 牛晨亮 《微纳电子技术》 CAS 2024年第7期86-92,共7页

随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体... 随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅氧可靠性,因此对外延材料小坑缺陷的研究成为热点之一。采用单片水平式SiC外延设备,在6英寸(1英寸=2.54 cm)偏4°SiC衬底上生长4H-SiC外延层,系统研究了外延工艺对小坑缺陷的影响。采用表面缺陷测试仪对外延层小坑缺陷形貌和数量进行表征,利用表面缺陷测试仪的同步定位系统研究了小坑缺陷的起源与形成机理。研究结果表明,通过优化碳硅比和生长温度,有效降低了4H-SiC外延层小坑缺陷密度,小坑缺陷密度可控制在25 cm^(-2)以下,实现了低缺陷密度的高质量外延材料生长。 展开更多

关键词 4H-SIC 小坑缺陷 高质量外延 碳硅比 生长温度

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高效率976nm激光器材料 被引量：5

5

作者 田秀伟 陈宏泰 +8 位作者 车相辉 林琳 王晶 张世祖 徐会武 刘会民 王晓燕 杨红伟 安振峰 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第1期29-32,共4页

使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导层的Al组分对工作电压的影响。根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子阱976nm... 使用自洽二维数字模拟软件优化半导体激光器的外延结构,对GaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱结构进行了模拟,研究了包层和波导层的Al组分对工作电压的影响。根据模拟结果,采用金属有机化学淀积(MOCVD)技术,外延生长了单量子阱976nm激光器材料。利用该材料制作成2mm腔长的连续(CW)单管器件,采用C-mount载体标准封装,并进行了测试。测试结果表明,模拟与实验的结论一致,降低优化包层和波导层的Al组分可以减小工作电压,从而提高了976nm半导体激光器的转换效率。室温下,当工作电流为500A/cm2时,包层和波导层Al组分分别为0.35和0.15时,激光器的工作电压降低为1.63V,使得电光转换效率达到67%。 展开更多

关键词 金属有机化学淀积 压应变 转换效率 自洽二维数字模拟 工作电压 AL组分

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对中药灭菌方法的述评 被引量：5

6

作者 姜红 陈宏泰 邢力兵 《天津药学》 1994年第1期33-34,共2页

文章对中药灭菌方法作了述评．随着对药品卫生学质量要求越来越高，应用于中药灭菌的新技术、新设备也越来越多．

关键词 灭菌方法 中药学 中成药 制备

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大功率900nm超大光腔三叠层隧道级联激光器 被引量：5

7

作者 车相辉 宁吉丰 +3 位作者 张宇 赵润 任永学 陈宏泰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期423-427,共5页

研制了一款大功率900 nm超大光腔三叠层隧道级联激光器。针对高功率900 nm隧道级联激光器存在的光学灾变损伤(COD)和工作电压高等问题,通过Lastip软件和波导模拟软件,设计并优化了900 nm超大光腔三叠层隧道级联激光器的材料结构。对比... 研制了一款大功率900 nm超大光腔三叠层隧道级联激光器。针对高功率900 nm隧道级联激光器存在的光学灾变损伤(COD)和工作电压高等问题,通过Lastip软件和波导模拟软件,设计并优化了900 nm超大光腔三叠层隧道级联激光器的材料结构。对比扩展波导激光器结构的性能,超大光腔结构提高了三叠层隧道级联激光器输出光功率,降低了工作电压。采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长了900 nm三叠层隧道级联激光器材料,并制作成条宽200μm、腔长800μm的激光器芯片,采用金属管壳封装制成激光器单管。测试结果表明,室温下,在频率10 kHz、脉宽100 ns、工作电流30 A时,器件输出功率约85 W,室温条件下器件老化595 h,输出功率基本不降低。 展开更多

关键词 超大光腔 大功率 900nm 半导体激光器 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 隧道结

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795nm单模垂直腔面发射激光器 被引量：5

8

作者 张岩 王彦照 +2 位作者 宁吉丰 杨红伟 陈宏泰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期17-22,共6页

针对铷原子能级跃迁对光谱的特殊需求,设计并制备了795 nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)。根据对VCSEL的光场和模式的分析和计算结果,设计了单模VCSEL芯片结构。采用MOCVD技术生长了外延结构,制备了不同有源区直径的氧化限制型VCSEL芯... 针对铷原子能级跃迁对光谱的特殊需求,设计并制备了795 nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)。根据对VCSEL的光场和模式的分析和计算结果,设计了单模VCSEL芯片结构。采用MOCVD技术生长了外延结构,制备了不同有源区直径的氧化限制型VCSEL芯片并进行了测试。当有源区直径从6μm减小到3μm时,VCSEL芯片的边模抑制比(SMSR)由8.76 d B增加到34.05 d B,阈值电流由0.77 m A减小到0.35 m A。有源区直径为6,5,4和3μm的VCSEL芯片的输出功率分别为0.37,0.46,0.58和0.44 m W,有源区直径为4μm的VCSEL芯片的远场为圆形光束,发散角为15°。85℃时3.5μm有源区直径的VCSEL芯片输出功率为0.125 m W,激射波长为795.3 nm。室温3 d B带宽大于8 GHz,满足了铷原子传感器对VCSEL单模光谱、输出功率及调制速率的要求。 展开更多

关键词 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 单模 铷 原子传感器 调制带宽

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高工作温度抽运用大功率激光二极管研究 被引量：5

9

作者 陈宏泰 车相辉 +4 位作者 徐会武 张世祖 林琳 任永学 安振峰 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2799-2802,共4页

理论分析了工作温度对大功率激光二极管的工作波长、电光效率和器件寿命等的影响,采用波长补偿、高特征温度无铝材料设计外延和一体化烧焊等技术,设计制作了808 nm准连续波（QCW）高温激光器阵列。在热沉温度70℃的工作条件下,80 A单条... 理论分析了工作温度对大功率激光二极管的工作波长、电光效率和器件寿命等的影响,采用波长补偿、高特征温度无铝材料设计外延和一体化烧焊等技术,设计制作了808 nm准连续波（QCW）高温激光器阵列。在热沉温度70℃的工作条件下,80 A单条输出功率大于65 W,20℃-70℃范围内特征温度T0达到145 K。10叠层阵列电光效率达到53%,工作寿命大于109次脉冲。 展开更多

关键词 激光器 大功率激光二极管 高工作温度 特征温度 一体化烧焊

原文传递

976nm高效率半导体激光器 被引量：5

10

作者 安振峰 林琳 +4 位作者 徐会武 陈宏泰 车相辉 王晶 位永平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期345-347,共3页

976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用。通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压;通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光... 976 nm高效率半导体激光器是这几年研究的热点,在固体激光器泵浦领域有广阔的应用。通过优化半导体激光器材料外延结构中包覆层和波导层的铝组分,降低了工作电压;通过采用微通道水冷系统,并进行优化降低了热阻,从而提高了室温下的电光转换效率。25℃室温连续测试条件下,1 cm的线阵列(巴条),2 mm腔长,50%填充因子,在110 A下,出光功率为114.2 W,电压为1.46 V,电光转换效率为71%。15条微通道封装成的垂直叠阵,进行光束整形后,获得了室温976 nm连续输出功率1 500 W,电光转换效率大于70%。 展开更多

关键词 高效率 半导体激光器 976nm 金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD) 线阵列

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InGaAs/InP材料的Zn扩散技术 被引量：4

11

作者 刘英斌 陈宏泰 +2 位作者 林琳 杨红伟 郑晓光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第7期610-612,共3页

使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩... 使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究。通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件。试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩散现象可以用填隙-替位模型解释。样品经过快速退火过程,获得了极高的空穴浓度。InP的空穴浓度达到7.7×1018/cm3,而InGaAs材料达到7×1019/cm3。在优化的扩散条件下,Zn扩散的深度和浓度精确可控,材料的均匀性好,工艺重复性好,能够应用于光电探测器或其他器件。 展开更多

关键词 金属有机化学气相淀积 锌扩散 退火 电化学C-V 光电探测器

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大功率半导体激光器腔面抗烧毁技术 被引量：4

12

作者 李永 杨红伟 +2 位作者 陈宏泰 张世祖 彭海涛 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第4期207-212,222,共7页

首先介绍了连续激光器单管老化试验,试验通过测试不同老化时间激光器腔面的烧毁功率,对腔面烧毁发生的过程进行了分析。分析认为,大功率半导体激光器腔面烧毁失效的根本原因是腔面烧毁功率在老化过程中持续减小,最终低于激光器输出功率... 首先介绍了连续激光器单管老化试验,试验通过测试不同老化时间激光器腔面的烧毁功率,对腔面烧毁发生的过程进行了分析。分析认为,大功率半导体激光器腔面烧毁失效的根本原因是腔面烧毁功率在老化过程中持续减小,最终低于激光器输出功率,造成激光器灾变性光学镜面破坏(COMD)。随后对腔面烧毁的微观物理机理进行了介绍,重点讨论了腔面缺陷相关的非辐射复合、量子阱带边吸收、自由载流子吸收造成的腔面温度升高以及腔面高温导致腔面缺陷密度增加并且向腔内攀移的微观过程。最后,介绍了电流非注入腔面、大光腔材料、长腔长设计、腔面离子铣钝化工艺等腔面抗烧毁技术研究情况,并对这些技术提高腔面抗烧毁功率以及改善腔面长期稳定性的效果进行了讨论。 展开更多

关键词 大功率半导体激光器 灾变性光学镜面损伤 非辐射复合 电流非注入腔面 腔面离子铣 大光腔材料

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大功率半导体激光器的腔面钝化 被引量：4

13

作者 彭海涛 家秀云 +4 位作者 张世祖 花吉珍 杨红伟 陈宏泰 安振峰 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第10期591-594,共4页

大功率半导体激光器的腔面退化是影响其寿命和可靠性的重要因素,长期以来一直是人们关注和研究的重点。本文利用离子铣结合腔面钝化还原层的方法对大功率半导体激光器的腔面进行处理。结果显示,离子铣腔面钝化能够在一定程度上减少半导... 大功率半导体激光器的腔面退化是影响其寿命和可靠性的重要因素,长期以来一直是人们关注和研究的重点。本文利用离子铣结合腔面钝化还原层的方法对大功率半导体激光器的腔面进行处理。结果显示,离子铣腔面钝化能够在一定程度上减少半导体激光器的功率退化,168h加速老化后退化幅度降低4.5%;同时该技术对老化过程中COD阈值降低有明显的抑制作用,可有效减少使用中的突然失效。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。 展开更多

关键词 半导体激光器 可靠性 腔面钝化 离子铣 灾变性光学损伤

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808nm大功率连续半导体激光器研究 被引量：4

14

作者 杜伟华 杨红伟 +3 位作者 陈宏泰 李雅静 王薇 陈国鹰 《微纳电子技术》 CAS 2008年第8期444-447,共4页

利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了AlGaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱材料,利用该材料制成3mm宽、填充因子20%的半导体激光器阵列(版型100μm/500μm,6个发光单元),通过腔面反射率设计确定了最佳反射率,采用CS载体标准... 利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了AlGaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱材料,利用该材料制成3mm宽、填充因子20%的半导体激光器阵列(版型100μm/500μm,6个发光单元),通过腔面反射率设计确定了最佳反射率,采用CS载体标准封装。在输入电流8A、水冷19℃条件下测试,输出功率达到8.4W,阈值电流为1.8A,斜率效率为1.26W/A,功率转换效率为59.4%,波长为805.7nm,光谱半宽为1.8nm;输入电流12A时,输出功率达到13W,斜率效率为1.22W/A,功率转换效率为58.9%,波长为807.9nm,光谱半宽为2.0nm。 展开更多

关键词 金属有机物化学气相淀积 压应变 半导体激光器 腔面反射率 斜率效率

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高斜率效率隧道结叠层激光器的研制 被引量：4

15

作者 陈宏泰 张世祖 +5 位作者 杨红伟 林琳 王晓燕 花吉珍 刘英斌 安振峰 《微纳电子技术》 CAS 2008年第5期260-263,共4页

隧道结叠层激光器技术具有广泛的应用空间,如高斜率效率、高功率密度、多波长激光器等。采用LP-MOCVD系统生长隧道结材料,CCl4作为p型掺杂源,SiH4作为n型掺杂源,并采用δ掺杂技术,使得n+-GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,隧道结的面... 隧道结叠层激光器技术具有广泛的应用空间,如高斜率效率、高功率密度、多波长激光器等。采用LP-MOCVD系统生长隧道结材料,CCl4作为p型掺杂源,SiH4作为n型掺杂源,并采用δ掺杂技术,使得n+-GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,隧道结的面电阻率小于2×10-4Ω.cm2。设计生长了双叠层、三叠层材料,该材料制作的900nm双叠层激光器在200ns脉宽、20A工作电流下输出功率35W,斜率效率1.8W/A,是单层材料的1.8倍,隧穿结引入的压降约为0.15V;860nm三叠层激光器的斜率效率大于2.7W/A,是单层材料的2.7倍。 展开更多

关键词 半导体激光器 隧道结 高斜率效率 双叠层 三叠层

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900nm三叠层隧道级联激光器的结构优化研究 被引量：4

16

作者 林琳 陈宏泰 +2 位作者 安志民 车相辉 王晶 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第7期397-400,共4页

采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900nm的三叠层隧道级联激光器。针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等问题,分别采用δ掺杂、扩展波导等技术对激光器结构进行了优化,并通过模拟计算对隧道结耗尽区宽度进行了... 采用金属有机化合物气相淀积方法生长了900nm的三叠层隧道级联激光器。针对隧道级联激光器存在工作电压高、材料各层的光场耦合等问题,分别采用δ掺杂、扩展波导等技术对激光器结构进行了优化,并通过模拟计算对隧道结耗尽区宽度进行了优化。通过优化隧道结δ掺杂的生长条件,得到n+GaAs的掺杂浓度大于1×1019/cm3,使工作电压下降1V;通过采用扩展波导,使垂直发散角由常规结构的35°减小到20°。将900nm的三叠层隧道级联激光器制作成条宽300μm、腔长800μm的条形激光器,采用同轴封装形式,在20A的脉冲工作电流下,输出功率达到55W,斜率效率达到2.9W/A,以上指标是普通激光器的3倍。 展开更多

关键词 三叠层 隧道结 半导体激光器 扩展波导 金属有机化合物气相淀积 结构优化 Δ掺杂

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塑封隧道结脉冲半导体激光器的研制 被引量：4

17

作者 花吉珍 陈宏泰 +1 位作者 杨红伟 陈国鹰 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期825-827,共3页

报道了一种新型塑料封装隧道结脉冲半导体激光器。采用MOCVD生长了隧道结串联双叠层激光器材料。激光器芯片为标准宽发射区结构。采用塑封结构,在脉冲宽度小于500ns,重复频率小于8kHz工作条件下,其输出光功率斜率效率达到1.7W/A,是标准... 报道了一种新型塑料封装隧道结脉冲半导体激光器。采用MOCVD生长了隧道结串联双叠层激光器材料。激光器芯片为标准宽发射区结构。采用塑封结构,在脉冲宽度小于500ns,重复频率小于8kHz工作条件下,其输出光功率斜率效率达到1.7W/A,是标准单芯片的1.7倍。采用塑封结构,克服了金属封装玻璃光窗在受冲击时易碎的弱点,其抗冲击达到20kg以上,且封装成本低廉。 展开更多

关键词 半导体激光器 隧穿结 塑料封装 脉冲宽度 抗冲击

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InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究 被引量：4

18

作者 刘英斌 林琳 +2 位作者 陈宏泰 赵润 郑晓光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期113-115,120,共4页

研究了InGaAs/InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征。InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌,用原子力显微镜(AFM)观察到了外延层表面原子台阶的聚集现象(step-bunching现象),通过晶体表面的原子台阶密度... 研究了InGaAs/InP材料的MOCVD生长技术和材料的性能特征。InP衬底的晶向偏角能够明显影响外延生长模型以及外延层的表面形貌,用原子力显微镜(AFM)观察到了外延层表面原子台阶的聚集现象(step-bunching现象),通过晶体表面的原子台阶密度和二维生长模型解释了台阶聚集现象的形成。对外延材料进行化学腐蚀,通过双晶X射线衍射(DCXRD)分析发现异质结界面存在应力,用异质结界面岛状InAs富集解释了应力的产生。通过严格控制InGaAs材料的晶格匹配,并优化MOCVD外延生长工艺,制备出厚层InGaAs外延材料,获得了低于1×1015cm-3的背景载流子浓度和良好的晶体质量。 展开更多

关键词 INGAAS 单原子层 台阶聚集 界面 金属有机物化学气相沉积

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EPS隔热夹芯板在建筑中的应用 被引量：5

19

作者 陈宏泰 《福建建筑》 1997年第2期51-53,共3页

本文主要论述了EPS隔热夹芯板的发展情况，主要原材料的组成，主要技术性能，在通过多年工程实践基础上提出EPS隔热夹芯板设计节点处理及与钢筋砼结构比较优点所在，以及EPS隔热夹芯板在国内大中型工程中的应用。

关键词 EPS隔热夹芯板 建筑板材 屋面板 复合材料

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976nm非对称波导结构高效率半导体激光器 被引量：3

20

作者 林琳 陈宏泰 +3 位作者 徐会武 车相辉 王晶 位永平 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第5期281-285,297,共6页

对976 nm激光器的三种非对称波导结构,即非对称直波导结构、非对称渐变波导结构和非对称梯形波导结构进行了基模光场和折射率分布的模拟,通过与对称波导结构的模拟结果进行对比,得到非对称直波导结构和非对称梯形波导结构的量子阱限制... 对976 nm激光器的三种非对称波导结构,即非对称直波导结构、非对称渐变波导结构和非对称梯形波导结构进行了基模光场和折射率分布的模拟,通过与对称波导结构的模拟结果进行对比,得到非对称直波导结构和非对称梯形波导结构的量子阱限制因子ΓQW较小,这样在相同量子阱厚度dQW下,dQW/ΓQW的值较大,可获得较大的光点尺寸,改善出光功率。将四种结构制作成2 mm腔长的1 cm巴条,在25℃室温连续测试和110 A的条件下,其中以非对称直波导结构电压最低为1.45 V,电光转换效率最高达到70%。对非对称直波导结构、非对称渐变波导结构和对称渐变波导结构进行内部参数提取,结果表明内量子效率基本一致,内损耗均小于1 cm-1。 展开更多

关键词 非对称波导 高效率 976nm 半导体激光器 金属有机化学气相沉积(MOCVD)

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