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Pd掺杂γ-Bi_2O_3第一性原理研究 被引量：2
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作者 李金格 陈召琪 孙瑞民 《山东工业技术》 2018年第17期148-149,共2页
利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法对未掺杂,Pd掺杂γ-Bi_2O_3晶格参数、电荷布居、能带结构、态密度和光吸收系数进行了计算。计算结果表明:Pd掺杂γ-Bi_2O_3后,Pd的4d轨道发生分裂,Bi6p,O2p轨道与Pd4d轨道复合形成导... 利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法对未掺杂,Pd掺杂γ-Bi_2O_3晶格参数、电荷布居、能带结构、态密度和光吸收系数进行了计算。计算结果表明:Pd掺杂γ-Bi_2O_3后,Pd的4d轨道发生分裂,Bi6p,O2p轨道与Pd4d轨道复合形成导带,轨道间发生强烈的作用,使能级发生杂化,禁带宽度减小,光吸收边带发生红移。较好的说明了Pd掺杂提高了γ-Bi_2O_3光催化性能的机理。 展开更多
关键词 γ-Bi2O3 Pd掺杂 可见光催化 第一性原理
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