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空间用GaInP/GaAs/In_(0.3)Ga_(0.7)As(1 eV)倒装三结太阳电池研制 被引量：6
1
作者 张永 单智发 +5 位作者 蔡建九 吴洪清 李俊承 陈凯轩 林志伟 王向武 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第15期563-567,共5页
采用阶变缓冲层技术(step-graded)外延生长了具有更优带隙组合的倒装GaInP/GaAs/In0.3Ga0.7As(1.0eV)三结太阳电池材料,TEM和HRXRD测试表明晶格失配度为2%的In0.3Ga0.7As底电池具有较低的穿透位错密度和较高的晶体质量,达到太阳电池的... 采用阶变缓冲层技术(step-graded)外延生长了具有更优带隙组合的倒装GaInP/GaAs/In0.3Ga0.7As(1.0eV)三结太阳电池材料,TEM和HRXRD测试表明晶格失配度为2%的In0.3Ga0.7As底电池具有较低的穿透位错密度和较高的晶体质量,达到太阳电池的制备要求.通过键合、剥离等工艺制备了太阳电池芯片.面积为10.922cm2的太阳电池芯片在空间光谱条件下转换效率达到32.64%(AM0,25C),比传统晶格匹配的GaInP/GaAs/Ge(0.67eV)三结太阳电池的转换效率提高3个百分点. 展开更多
关键词 太阳电池 三结 倒装结构
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高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池研究 被引量：3
2
作者 蔡建九 单智发 +3 位作者 张永 陈凯轩 林志伟 王向武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期241-247,共7页
在综述高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池的研究现状与发展趋势的基础上,对高倍聚光太阳电池的关键技术、性能提升方法和可靠性进行了研究。指出提高隧穿电流和降低串联电阻是高倍聚光三结太阳电池的关键技术,并提出了相应的解决方... 在综述高倍聚光GaInP/InGaAs/Ge三结太阳电池的研究现状与发展趋势的基础上,对高倍聚光太阳电池的关键技术、性能提升方法和可靠性进行了研究。指出提高隧穿电流和降低串联电阻是高倍聚光三结太阳电池的关键技术,并提出了相应的解决方法。采用多异质结构隧穿结提高了隧穿电流,减小横向扩展电阻和栅线电阻降低了总的串联损耗。此外,通过分别提高GaInP顶电池和底电池禁带宽度、降低InGaAs中电池禁带宽度可进一步提高太阳电池的转换效率。最后探讨了高倍聚光太阳电池的可靠性测试标准。 展开更多
关键词 聚光光伏 三结太阳电池 隧穿电流 串联电阻 可靠性
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湿法表面粗化提高倒装AlGaInP LED外量子效率 被引量：3
3
作者 白继锋 高欣 +3 位作者 薄报学 黄尊祥 陈凯轩 马祥柱 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期188-190,193,共4页
介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同Al组分(AlxGa1-x)0.5In0.5P的选择性腐蚀特性对倒装AlGaInP红光LED进行表面粗化的方法。通过向粗化层GaInP加入适量的Al,在Al组分为0.4时,利用体积比为1∶10的HCl∶H3PO4可以得到横向尺寸约为60nm... 介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同Al组分(AlxGa1-x)0.5In0.5P的选择性腐蚀特性对倒装AlGaInP红光LED进行表面粗化的方法。通过向粗化层GaInP加入适量的Al,在Al组分为0.4时,利用体积比为1∶10的HCl∶H3PO4可以得到横向尺寸约为60nm,纵向尺寸约为150nm的最有利于出光的类三角圆锥型表面结构。器件测试结果表明,在20mA注入电流下,器件外量子效率比粗化前提高了80%。 展开更多
关键词 ALGAINP 选择性腐蚀 湿法腐蚀 表面粗化 外量子效率
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具有ODR结构的高压倒装氮化镓基发光二极管 被引量：1
4
作者 周弘毅 魏振东 +3 位作者 刘英策 吴奇隆 李俊贤 陈凯轩 《半导体光电》 CAS 北大核心 2018年第6期793-797,共5页
通过在传统ITO+DBR膜系结构基础上令电极金属与DBR层形成ODR(全角反射镜)膜系结构的方法,设计并制备了具有ODR结构的高压倒装氮化镓基发光二极管,有效提高了LED芯片的光效。ODR结构由DBR(分布布拉格反射镜)层上联接芯粒的电极金属和DBR... 通过在传统ITO+DBR膜系结构基础上令电极金属与DBR层形成ODR(全角反射镜)膜系结构的方法,设计并制备了具有ODR结构的高压倒装氮化镓基发光二极管,有效提高了LED芯片的光效。ODR结构由DBR(分布布拉格反射镜)层上联接芯粒的电极金属和DBR层组成,经过理论分析和计算,与传统ITO+DBR结构器件相比,在400～550nm波长范围、全角度入射时平均反射率Rave从86.25%提升到了96.71%。实验制备了传统ITO+DBR结构和ODR结构的3颗芯粒串联的高压倒装氮化镓基LED器件,尺寸为0.2mm×0.66mm,ODR结构器件的有效反射结构面积增加了4.8%,饱和电流增加了12mA,用3030支架封装后在30mA的测试电流下,电压降低了0.163V,辐射功率提升了3.78%,在显色指数均为71时光效提升了5.42%。 展开更多
关键词 ODR结构 高压倒装 双绝缘层 发光二极管
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具有渐变式折射率分布布拉格反射层的发光二极管 被引量：1
5
作者 陈凯轩 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期355-358,共4页
对具有渐变式折射率分布布拉格反射层(GRIN-DBR)的发光二极管进行了研究。研究发现,在传统分布布拉格反射层(C-DBR)的AlAs/Al0.45Ga0.55As的界面处插入5nm厚的折射率渐变层,可以使DBR的反射带宽从82nm增加到103nm。在20mA注入电流下,具... 对具有渐变式折射率分布布拉格反射层(GRIN-DBR)的发光二极管进行了研究。研究发现,在传统分布布拉格反射层(C-DBR)的AlAs/Al0.45Ga0.55As的界面处插入5nm厚的折射率渐变层,可以使DBR的反射带宽从82nm增加到103nm。在20mA注入电流下,具有GRIN-DBR的发光二极管与具有C-DBR的发光二极管的正向电压没有明显区别,而其光通量比具有C-DBR的发光二极管高8%。 展开更多
关键词 渐变式折射率 分布布拉格反射层 发光二极管 金属有机化学气相外延
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采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850nm红外发光二极管
6
作者 陈凯轩 《半导体光电》 CAS 北大核心 2018年第1期6-9,共4页
对采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850nm红外发光二极管进行了研究。研究发现,采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层有助于改善外延层表面形貌和后续外延层的晶体质量,从而减小850nm红外发光二极管的漏电流及串联电阻... 对采用多级变速法生长AlGaAs电流扩展层的850nm红外发光二极管进行了研究。研究发现,采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层有助于改善外延层表面形貌和后续外延层的晶体质量,从而减小850nm红外发光二极管的漏电流及串联电阻。此外,采用多级变速法生长n型Al0.25Ga0.75As电流扩展层还可以避免在多量子阱(MQW)有源区中形成非辐射复合中心,从而提高850nm红外发光二极管的亮度和寿命。 展开更多
关键词 多级变速法 电流扩展层 发光二极管 金属有机化学气相外延
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多场调控化合物半导体量子结构关键技术及其固态光源应用
7
作者 康俊勇 陈凯轩 +7 位作者 林丞 林伟 卓祥景 黄兆武 高娜 李金钗 蔡端俊 黄凯 《中国科技成果》 2019年第8期60-61,共2页
半导体固态光源光效高、寿命长、环境友好,已成为高新产业增长点。以氮化物为代表的化合物半导体量子结构是实现半导体固态光源的核心。本项目在半导体量子结构关键技术开发中,率先联合调控化学势场、光场、极化场以及电场等,取得重大突... 半导体固态光源光效高、寿命长、环境友好,已成为高新产业增长点。以氮化物为代表的化合物半导体量子结构是实现半导体固态光源的核心。本项目在半导体量子结构关键技术开发中,率先联合调控化学势场、光场、极化场以及电场等,取得重大突破,形成四大创新技术。主要成果和项目创新点:(1)化学势场调控创新开发了分层生长技术,调控晶体生长表面的化学势场,解决了氮化物MOVPE非平衡生长过程中预反应强、原子表面迁移率低、材料二维生长难于精准控制等难题,率先实现单分子层量级量子阱的外延。 展开更多
关键词 半导体量子结构 固态光源 技术开发 化合物 调控 应用 创新开发 MOVPE
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火力发电厂压力管道焊接质量控制
8
作者 陈凯轩 《装备维修技术》 2021年第2期351-351,共1页
火力发电厂压力管道的正常工作对发电厂的日常运行及维护产生着相当重要的作用。在火力发电厂的压力管道焊接工程目前面临诸多问题,我们需要采取有效的管理和控制措施,用来确保压力管道的焊接质量。文章主要对火电厂的压力管道的焊接质... 火力发电厂压力管道的正常工作对发电厂的日常运行及维护产生着相当重要的作用。在火力发电厂的压力管道焊接工程目前面临诸多问题,我们需要采取有效的管理和控制措施,用来确保压力管道的焊接质量。文章主要对火电厂的压力管道的焊接质量控制进行分析。 展开更多
关键词 焊接工艺 焊接过程 无损探伤
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