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浮栅和高压栅极共掺在EEPROM中的应用研究
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作者 刘冬华 陈云骢 钱文生 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期363-366,共4页
为简化电可擦除可编程只读存储器(Electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM)的制造工艺以及减少等离子体对隧道氧化层的损害,重点分析了将浮栅多晶硅和高压器件的栅极共同掺杂对存储器件和高压器件的影响,包括不... 为简化电可擦除可编程只读存储器(Electrically-erasable programmable read-only memory, EEPROM)的制造工艺以及减少等离子体对隧道氧化层的损害,重点分析了将浮栅多晶硅和高压器件的栅极共同掺杂对存储器件和高压器件的影响,包括不同掺杂浓度下EEPROM存储单元的擦写速度、读取电流、可靠性以及高压晶体管的电学特性等相关分析,探讨优良器件特性的最优掺杂浓度设计方法,为器件性能优化以及工艺改进提供参考。 展开更多
关键词 EEPROM 浮栅 共掺
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