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数字微镜器件动态红外景象投影技术 被引量：24
1
作者 陈二柱 梁平治 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2003年第4期331-334,共4页
动态红外景象投影技术是硬件闭环仿真(HWIL)和成像系统测试及评估的关键技术,随着数字微镜器件的研制成功,应用动态红外景象技术已备受关注。描述了动态红外景象投影技术在仿真和红外成像系统测试中的应用,具体介绍了数字微镜器件的工... 动态红外景象投影技术是硬件闭环仿真(HWIL)和成像系统测试及评估的关键技术,随着数字微镜器件的研制成功,应用动态红外景象技术已备受关注。描述了动态红外景象投影技术在仿真和红外成像系统测试中的应用,具体介绍了数字微镜器件的工作原理,讨论了动态红外景象投影系统的关键技术和国内外研究现状。 展开更多
关键词 数字微镜器件 红外景象投影 硬件闭环仿真
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DMD动态红外景像投影技术 被引量：10
2
作者 陈二柱 《红外》 CAS 2004年第2期28-35,共8页
动态红外景像投影技术是红外硬件闭环仿真(HWIL)和红外成像系统测试和评估的关键技术,随着数字微镜器件(DMD)的研制开发成功,应用DMD产生动态红外景像技术已受到各国研究人员的普遍关注。本文描述了动态红外景像投影技术在仿真和红外成... 动态红外景像投影技术是红外硬件闭环仿真(HWIL)和红外成像系统测试和评估的关键技术,随着数字微镜器件(DMD)的研制开发成功,应用DMD产生动态红外景像技术已受到各国研究人员的普遍关注。本文描述了动态红外景像投影技术在仿真和红外成像系统测试中的应用,具体介绍了DMD的工作原理和封装形式及动态红外景像投影系统的工作原理、关键技术和国内外研究现状。 展开更多
关键词 数字微镜器件 DMD 红外景像投影显示 数字光处理 分辨率 图像更新控制 灰度等级控制 开关时间 封装技术
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高倍增GaAs光电导开关中的单电荷畴 被引量：3
3
作者 施卫 陈二柱 张显斌 《西安理工大学学报》 CAS 2001年第2期113-116,共4页
给出了高倍增 SI-Ga As光电导开关中在临界光能、电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果 ,进一步讨论了生成畴的光、电阈值条件 ,提出用类似于耿畴的单电荷畴的物理模型来描述高倍增 Ga As光电导开关中的 L ock-on效应。... 给出了高倍增 SI-Ga As光电导开关中在临界光能、电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果 ,进一步讨论了生成畴的光、电阈值条件 ,提出用类似于耿畴的单电荷畴的物理模型来描述高倍增 Ga As光电导开关中的 L ock-on效应。分析了单电荷畴的形成和辐射发光的物理过程 ,并对 L 展开更多
关键词 光电导开关 Lock-on效应 单机电荷畴 砷化镓
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用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究 被引量：4
4
作者 张显斌 施卫 +2 位作者 李琦 陈二柱 赵卫 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期815-818,共4页
　报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mJ的1064nmNd:YAG激光触发开关,在偏置电压分别为3kV和5kV条件下,光电导开关分别工作于线性和非线性... 　报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果。使用单脉冲能量为1.9mJ的1064nmNd:YAG激光触发开关,在偏置电压分别为3kV和5kV条件下,光电导开关分别工作于线性和非线性模式。用900nm半导体激光器和1530nm掺铒光纤激光器分别进行触发实验,得到了重复频率分别为5kHz和20MHz的电脉冲波形。结果表明,半绝缘GaAs光电导开关可以吸收大于本征吸收限波长红外激光脉冲。 展开更多
关键词 光电导开关 半绝缘GAAS EL2能级 非本征吸收 红外激光脉冲 脉冲激光器 光电导体 激光器
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成人高等教育教学改革论 被引量：3
5
作者 王启云 陈二柱 《当代教育论坛》 2013年第1期106-112,共7页
当前成人高教文凭贬值,表面原因是成教学生适应能力不强,深层原因是成人高教教学偏离"实用化"的本质属性。加大教学设备投入,推进"双师型"教师队伍建设,开发实用教学内容,提高学生自学能力,是成人高教教学改革的总... 当前成人高教文凭贬值,表面原因是成教学生适应能力不强,深层原因是成人高教教学偏离"实用化"的本质属性。加大教学设备投入,推进"双师型"教师队伍建设,开发实用教学内容,提高学生自学能力,是成人高教教学改革的总体趋势。 展开更多
关键词 成人高等教育 教学改革 政策文本
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基于CMOS工艺的横向多晶硅p^+p^-n^+结红外微测辐射热计 被引量：3
6
作者 陈二柱 梁平治 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期227-230,共4页
基于多晶硅pn结正向压降的温度特性,应用标准CMOS工艺,结合体硅微机械加工技术,研制成功非制冷红外微测辐射热计.本文详细分析了横向多晶硅p+p-n+结的温度特性,给出了正向压降温度变化率的理论表达式和实验测量值;并描述了微测辐射热计... 基于多晶硅pn结正向压降的温度特性,应用标准CMOS工艺,结合体硅微机械加工技术,研制成功非制冷红外微测辐射热计.本文详细分析了横向多晶硅p+p-n+结的温度特性,给出了正向压降温度变化率的理论表达式和实验测量值;并描述了微测辐射热计的设计思路和制作工艺.实验结果表明:在室温(284～253K)附近,横向多晶硅p+p-n+结正向压降的温度变化率为1.5mV/K;在3～5μm红外波段,微测辐射热计的电压响应率为5.7×103V/W,黑体探测率D为1.2×108cm.Hz1/2.W-1. 展开更多
关键词 横向多晶硅p^+p^-n^+结 温度变化率 CMOS工艺 红外微测辐射热计
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国内外成教学生创新能力培养模式的比较 被引量：2
7
作者 王启云 陈二柱 《当代教育理论与实践》 2010年第6期99-101,共3页
选取美国、英国、德国、法国、韩国和台湾的成教特色办学机构,从培养目标、培养制度、培养内容、教师队伍和培养评价5个方面,比较分析其创新能力培养模式,旨在借鉴经验,完善我国成教学生创新能力培养模式。
关键词 成教 创新能力 培养模式 国际比较
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成教学生创新能力培养模式的实践建构 被引量：1
8
作者 王启云 陈二柱 《湘潮（理论版）》 2010年第5期61-62,60,共3页
传统培养模式是导致成教学生创新能力弱的根本原因:培养目标普教化限制了学生适应迁移能力的发展:培养制度刚性阻碍了学生信息素养的提;成教教师能力结构的单一抑制了学生自我效能感的增强;培养内容脱离现实引致了学生价值取向的偏离;... 传统培养模式是导致成教学生创新能力弱的根本原因:培养目标普教化限制了学生适应迁移能力的发展:培养制度刚性阻碍了学生信息素养的提;成教教师能力结构的单一抑制了学生自我效能感的增强;培养内容脱离现实引致了学生价值取向的偏离;教学方法的"以师为本"忽略了学生元学习能力和信息素养的培养;培养评价单一既降低了学生自我效能感又扭曲了价值取向。 展开更多
关键词 适应迁移能力 信息素养 元学习能力 价值取向 自我效能感
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横向多晶硅p^＋P^-n^＋结非致冷红外焦平面
9
作者 陈二柱 唐成伟 +1 位作者 江美玲 梁平治 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2005年第B03期12-15,共4页
应用标准CMOS工艺，同时结合体硅微机械加工技术，研制成功横向多晶硅p^+P^-n^+微测辐射热计单元；基于研制成功的微测辐射热计，设计了规模为128×128面阵的非致冷红外焦平面。采用标准CMOS工艺制作横向多晶硅p^+P^-n^+结热敏响应... 应用标准CMOS工艺，同时结合体硅微机械加工技术，研制成功横向多晶硅p^+P^-n^+微测辐射热计单元；基于研制成功的微测辐射热计，设计了规模为128×128面阵的非致冷红外焦平面。采用标准CMOS工艺制作横向多晶硅p^+P^-n^+结热敏响应元和读出电路；在CMOS工艺完成后，辅以与CMOS工艺兼容的体硅微机械加工工艺，制备微桥形式的热绝缘结构，从而方便地实现了CMOS读出电路与探测器阵列的单片集成。在3～5μm红外波段，微测辐射热计的电压响应率为5．7×10^3V／W，黑体探测率D^*为1．2×10^8cm·Hz^1/2·W。焦平面采用行读出模式的结构，信号读出采用栅调制积分电路，输出级采用外接负载电阻的源极跟随电路，将探测器单元产生的信号按顺序串行单端输出。 展开更多
关键词 多晶硅p^+P^-n^+结 非致冷红外焦平面 读出电路 CMOS工艺
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CMOS工艺制作的横向多晶硅p^+p^-n^+结的温度特性及其应用
10
作者 陈二柱 梁平治 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期219-222,共4页
应用标准CMOS工艺制作了横向多晶硅p+p-n+结,对其正向电流电压的温度特性进行了理论分析和实验研究。实验结果表明:横向多晶硅p+p-n+结的理想因子为1.89;在室温附近(T=27℃),恒定的正向偏置电流(1μA)工作条件下,横向多晶硅p+p-n+结正... 应用标准CMOS工艺制作了横向多晶硅p+p-n+结,对其正向电流电压的温度特性进行了理论分析和实验研究。实验结果表明:横向多晶硅p+p-n+结的理想因子为1.89;在室温附近(T=27℃),恒定的正向偏置电流(1μA)工作条件下,横向多晶硅p+p-n+结正向压降的温度变化率约为-1.5mV/K,与理论计算值相吻合;并且应用横向多晶硅p+p-n+结正向压降的温度特性,研制成功非致冷红外微测辐射热计,其黑体响应率Rbb(1000K,10Hz)=4.3×103V/W。 展开更多
关键词 横向多晶硅p^+p^-n^+结 CMOS工艺 微测辐射热计
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