多层硅外延中自掺杂现象研究 被引量：6

1

作者 王向武 陆春一 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期267-271,共5页

探讨了多层硅外延中的自掺杂现象，研究了自掺杂的产生机理，分析了工艺条件对自掺杂的影响，提出了减小自掺杂的几种方法。

关键词 硅外延 自掺杂 多层结构

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改进的二步法生长双层、异型硅外延材料 被引量：5

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作者 王向武 陆春一 赵仲镛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期74-79,共6页

在双层、异型硅外延中，通常采用预通掺杂剂二步外延法。本文对掺杂剂预通过程中产生的气一固扩散进行理论及实验研究，分析了预通条件（温度、时间、预通量等）对气一团扩散的影响，提出了减小Ｐ－Ｎ过渡区改进的二步外延法。

关键词 双层 异型 二步法 硅 外延生长

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用于硅双漂移雪崩二极管的n^+/np多层外延材料 被引量：5

3

作者 王向武 赵仲镛 +1 位作者 陆春一 孙景山 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期218-222,共5页

硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延材料的掺杂分布,即每层浓度、厚度的精确控制及过渡区的宽度,而大功率器件又要求外延层缺陷密度尽可能的低。

关键词 雪崩二极管 外延材料 气相生长

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国外政府网站服务功能建设的经验与启示 被引量：3

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作者 陆春一 《商场现代化》 2011年第20期81-82,共2页

本文通过分析国外政府网站的服务功能建设,总结国外政府网站建设的经验,提出提高政府网站服务功能的启示、对策和建议,以切实增强我国电子政务服务功能。

关键词 电子政务 服务功能 政府网站

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硅外延中自稀释现象的研究 被引量：3

5

作者 王向武 陆春一 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期55-60,共6页

本文采用附面层模型,对硅外延中的自稀释现象作了理论分析,分析了生长速率、气体流速及外延生长温度等因素对自稀释的影响.提出了克服自稀释现象的几种方法.

关键词 硅 外延生长 稀释现象

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快速发现关联规则挖掘算法的并行化方法 被引量：1

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作者 陆楠 陆春一 周春光 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2005年第4期334-339,共6页

分析挖掘关联规则主要并行算法及性能.针对算法中负载平衡和时间响应问题,提出一种高效可行的挖掘关联规则的NA(Ntransactionalgorithms)并行算法,给出了NA算法的策略.通过前期实验结果表明,这种快速发现关联规则的并行算法在计算大项... 分析挖掘关联规则主要并行算法及性能.针对算法中负载平衡和时间响应问题,提出一种高效可行的挖掘关联规则的NA(Ntransactionalgorithms)并行算法,给出了NA算法的策略.通过前期实验结果表明,这种快速发现关联规则的并行算法在计算大项集过程中不需要同步和交换数据,在任意情况下,可独立计算局部大项集. 展开更多

关键词 数据挖掘 关联规则 并行算法 概念格 频繁项集 负载平衡

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减小硅外延自掺杂的一种新方法 被引量：1

7

作者 王向武 陆春一 赵仲镛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期57-58,共2页

本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10^(14)～10^(18)/cm^3浓度区域计算,获得了≤0.70μm的过渡区宽度,平坦区浓度≤1.5×10^(13)/cm^3,明显小于利用通常的二步外延工... 本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10^(14)～10^(18)/cm^3浓度区域计算,获得了≤0.70μm的过渡区宽度,平坦区浓度≤1.5×10^(13)/cm^3,明显小于利用通常的二步外延工艺所得结果。 展开更多

关键词 硅 外延层 掺杂 衬底

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Silicon Epitaxial Wafer for X Band Double Read-type DDR IMPATT Diodes by Atmosphere / Low Pressure Growth Technique

8

作者 王向武 陆春一 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1994年第3期211-213,共3页

The silicon epitaxial wafter for X band double Read-type DDR IMPATT diodes has been fabricatedby normal-low pressure growth technique. The hyperabrupt impurity profile and very thin p-layer, n-layerwere achieved.

关键词 Si Epitaxy Multilayer X band DDR IMPATT Low pressure Au-todoping Autodilution

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减小硅外延自掺杂的一种新方法

9

作者 王向武 陆春一 等 《半导体杂志》 1990年第1期9-11,共3页

本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法，采用该方法，在均匀的重掺As衬底上，用SiCl4源外延，以10614-10^18/cm3浓度计算，获得了≤0．54um的过渡区宽度。

关键词 硅 外延掺杂 半导体

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3mm波段硅双漂移崩越二极管外延材料研制

10

作者 王向武 陆春一 +2 位作者 赵仲镛 孙景山 魏广富 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期238-243,共6页

报导了3 mm波段硅双漂移崩越二极管所需PN/N^+多层、亚微米外延材料的常规CVD生长技术,研究了实现这些高要求的多层结构的方法,得到了最佳的外延工艺条件。

关键词 双漂移崩越二极管 亚微米 多层外延

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减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法

11

作者 王向武 陆春一 马利行 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期299-301,共3页

叙述了一种减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法：减压－常压二步法。采用该方法所生长的外延层，其过渡区明显小于常规二步法的结果，和单纯减压方法所得的结果相当，外延层晶格质量明显优于单纯减压外延的结果。

关键词 自掺杂 减压 二步外延 硅 外延生长

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X波段硅里德型双漂移崩越二极管外延材料

12

作者 王向武 陆春一 赵仲镛 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第3期52-56,共5页

采用全外延工艺，研制了Ｘ波段里德型双漂移崩越二极管所需πｐｎγＮ￣＋多层外延材料，分析了各过渡区的形成机理及减小其宽度的方法，实现了陡峭的杂质浓度分布。

关键词 崩越二极管 外延生长 材料 硅

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N^-/P^+异型高阻厚层硅外延材料

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作者 王向武 马利行 +1 位作者 徐红钢 陆春一 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期154-157,共4页

研制了N－／P+异型、高祖、厚层硅外延材料，并对厚层外延及高用异型外延中出现的问题进行了讨论，提出了提高外延材料质量的方法。

关键词 硅外延 异型 高阻 厚层 自掺杂

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毫米波半导体器件与其外延材料的发展

14

作者 王向武 陆春一 《半导体杂志》 1994年第3期20-29,共10页

本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．

关键词 毫米波 异质结 HEMT HBT 崩越二极管 外延材料

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基于遗传理论的复杂网络模糊聚类算法

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作者 陆楠 闫巧 陆春一 《计算机与信息技术》 2011年第12期6-11,共6页

研究基于模糊聚类的遗传算法应用于复杂网络社区挖掘,该算法将聚类融合引入到交叉算子中,利用父个体的聚类信息产生新个体,避免了传统交叉算子单纯交换字符串而忽略聚类内容所带来的问题。该算法采用混沌序列策略进行种群生成,使初始种... 研究基于模糊聚类的遗传算法应用于复杂网络社区挖掘,该算法将聚类融合引入到交叉算子中,利用父个体的聚类信息产生新个体,避免了传统交叉算子单纯交换字符串而忽略聚类内容所带来的问题。该算法采用混沌序列策略进行种群生成,使初始种群中的个体具有一定聚类精度并有较强的多样性,并将局部搜索机制用于变异算子,有效地缩小搜索空间,加快算法收敛速度。该算法与当前具有代表性的社区挖掘算法进行比较,并在仿真网络和现实网络上验证测试,实验结果表明了该算法的可行性和有效性。 展开更多

关键词 社区结构 复杂网络 遗传算法 模糊聚类 混沌序列

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