分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究 被引量：3

1

作者 阎春辉 郑海群 +5 位作者 范缇文 孔梅影 曾一平 黄运衡 朱世荣 孙殿照 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第10期665-669,共5页

本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合... 本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配作用随温度升高而降低．利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明采用组分阶变的过渡层有效地抑制了界面位错向体层的延伸，可以获得较高晶体质量的外延层． 展开更多

关键词 分子束外延 半导体材料 砷化镓 界面失配 GAASSB

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InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究 被引量：2

2

作者 孙殿照 王晓亮 +8 位作者 李晓兵 国红熙 阎春辉 李建平 朱世荣 李灵霄 曾一平 孔梅影 侯洵 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期725-729,共5页

在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长... 在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品进行了测试和分析．结果表明，我们在国产第一台ＣＢＥ设备上用ＧＳＭＢＥ技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好． 展开更多

关键词 INGAAS 磷化铟 超晶格材料 GSMBE生长

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气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料 被引量：1

3

作者 袁瑞霞 阎春辉 +5 位作者 国红熙 李晓兵 朱世荣 曾一平 李灵霄 孔梅影 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期6-10,共5页

本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的Ｉｎ... 本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的． 展开更多

关键词 磷化铟 砷化铟 分子束外延 气态源 化合物材料

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气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP／AlInP多量子阱材料 被引量：1

4

作者 袁瑞霞 阎春辉 +5 位作者 国红熙 李晓兵 朱世荣 李灵肖 曾一平 孔梅影 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期312-316,共5页

我们用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统，采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａｌｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料．对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ），阴... 我们用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统，采用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）技术研制了与ＧａＡｓ匹配的，性能良好的（ＡｌＧａ）ＩｎＰ材料和ＧａｌｎＰ／ＡｌＩｎＰ多量子阱材料．对这些材料进行了霍耳，光致发光（ＰＬ），阴极荧光（ＣＬ）以及Ｘ射线双晶衍射（ＸＲＤ）等测量分析． 展开更多

关键词 可见光激光器 分子束外延 气态源

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化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料 被引量：1

5

作者 孙殿照 阎春辉 +4 位作者 国红熙 朱世荣 黄运衡 曾一平 孔梅影 《半导体情报》 1991年第6期46-48,共3页

在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10^(15)cm^(-3),μ_(300K)=280cm^2/V·s,μ_(77K)=5000cm^2/v·s,基本没有表面椭... 在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10^(15)cm^(-3),μ_(300K)=280cm^2/V·s,μ_(77K)=5000cm^2/v·s,基本没有表面椭圆缺陷,InGaAs/GaAs多量子阱的x光双晶衍射有10个卫星峰,光吸收谱有明显子带吸收。 展开更多

关键词 化合物半导体 量子阱 外延生长

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GaAs／AlxGa_（1－x）As量子阱电极／非水溶液界面性能的研究 被引量：1

6

作者 刘尧 肖绪瑞 +3 位作者 曾一平 孙殿照 阎春辉 郑海群 《电化学》 CAS CSCD 1995年第2期136-140,共5页

用阻抗谱研究了晶格匹配型单、多量子阱ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ电极在二茂铁乙腈溶液中的界面性能．得到了空间电荷层电容及表面态电容与电极电位的依赖关系．空间电荷电容与量子阱电极的结构有关，而表面态电容则决定... 用阻抗谱研究了晶格匹配型单、多量子阱ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ电极在二茂铁乙腈溶液中的界面性能．得到了空间电荷层电容及表面态电容与电极电位的依赖关系．空间电荷电容与量子阱电极的结构有关，而表面态电容则决定于电极的表面性质如表面氧化层及二茂铁的吸附．分析和讨论了表面态的能级，密度的分布，来源和作用． 展开更多

关键词 量子阱电极 阻抗谱 表面态 界面性能

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实现SOI结构的ELO方法中SiO_2上Si多晶核的形成与抑制 被引量：1

7

作者 阎春辉 刘明登 +3 位作者 全宝富 朱袁正 张旭光 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第9期561-565,T001,共6页

本文从分析Si在SiO_2上成核的一般过程出发,利用新的成核理论,分析出影响成核的重要因素是氢吸附;并着重针对ELO过程的特点,通过大量实验研究了各种条件对成核的影响,找到了既能完全抑制多晶成核又能实现侧向生长的最佳工艺条件.根据实... 本文从分析Si在SiO_2上成核的一般过程出发,利用新的成核理论,分析出影响成核的重要因素是氢吸附;并着重针对ELO过程的特点,通过大量实验研究了各种条件对成核的影响,找到了既能完全抑制多晶成核又能实现侧向生长的最佳工艺条件.根据实验中测得的临界成核时间及沉积自由区宽度,采用间歇生长技术在20μm宽的SiO_2条上完全抑制了多晶成核,而加入 Br_2的生长/腐蚀循环工艺则在 30μm宽的SiO_2上完全抑制了多晶成核,为获得高质量的SOI材料打下了良好的基础. 展开更多

关键词 SOI结构 ELO法 二氧化硅 SI 晶核

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Photoelectrochemical Behavior of the Lattice-matched Single Quantum Well GaAs/Al_xGa_1-xAs Electrodes

8

作者 刘尧 肖绪瑞 +5 位作者 李学萍 阎春辉 曾一平 孙殿照 郑海群 国红熙 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1994年第21期1795-1800,共6页

Recently, the superlattice (quantum well) material as a new kind of photoelectrode has drawn much attention in the field of photoelectrochemistry.Due to the energy quantization,the superlattices (quantum well) have a ... Recently, the superlattice (quantum well) material as a new kind of photoelectrode has drawn much attention in the field of photoelectrochemistry.Due to the energy quantization,the superlattices (quantum well) have a number of new 展开更多

关键词 superlattice (quantum well) single-quantum WELL (SQW) photocurrent SPECTRA PHOTOVOLTAGE spectra.

原文传递

晶格匹配型单量子阱GaAs/AI_xGa_(1-x)As半导体电极的光电化学行为

9

作者 刘尧 肖绪瑞 +5 位作者 李学萍 阎春辉 曾一平 孙殿照 郑海群 国红熙 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第16期1493-1496,共4页

近年来,在半导体光电化学领域中,半导体超晶格(量子阱)材料作为一种新型的光电极的研究已引起人们广泛的注意和重视.由于半导体超晶格(量子阱)能带的量子化,因此具有许多完全不同于体材料的新特性,如其量子阱中的激子受到阱宽的限制不... 近年来,在半导体光电化学领域中,半导体超晶格(量子阱)材料作为一种新型的光电极的研究已引起人们广泛的注意和重视.由于半导体超晶格(量子阱)能带的量子化,因此具有许多完全不同于体材料的新特性,如其量子阱中的激子受到阱宽的限制不仅寿命长于相应的体材料,而且有较强的光吸收性能;量子阱中光生热载流子的能量驰豫明显慢于体材料,具有较长的热载流子寿命,大大增强了热载流子效应以及其载流子迁移率大于体材料等.这些特性都有利于提高光能的转换效率.本文研究了晶格匹配型单量子阱GaAs/Al_xGa_(1-x) 展开更多

关键词 光电极 砷化镓 铝镓砷 半导体

原文传递

晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极光电转换性能的研究

10

作者 刘尧 肖绪瑞 +3 位作者 曾一平 阎春辉 郑海群 孙殿照 《中国科学（A辑）》 CSCD 1997年第3期270-274,共5页

研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_1_xAs超晶格量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极。

关键词 量子阱 半导体电极 砷化镓 光电转换性能

原文传递

用于HEMT的调制掺杂材料的研制

11

作者 郑海群 孙殿照 +3 位作者 阎春辉 梁基本 曾一平 孔梅影 《半导体情报》 1991年第6期13-15,共3页

本文介绍了AlGaAs/GaAs系列HEMT用的调制掺杂(MD)材料的研制工作,并且给出了用该材料研制的器件结果。

关键词 三元化合物 半导体材料 HEMT 掺杂

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国内首台化学束外延(CBE)系统的设计考虑及外延结果

12

作者 孙殿照 孔梅影 +13 位作者 韩汝水 朱世荣 阎春辉 国红熙 付首清 周增圻 张晓秋 黄运衡 谢琪 刘世闯 雷震林 张利强 余文斌 乔金梁 《半导体情报》 1991年第6期79-80,共2页

研制了国内首台化学束外延(CBE)系统。半导体所用此系统进行了CBE实验,获得质量良好的半导体材料。本文给出该系统的设计考虑及CBE实验结果。

关键词 化学束外延 设备 半导材料 设计

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金属有机源分子束外延设备的研制

13

作者 谢琪 刘世闯 +8 位作者 雷震霖 张利强 余文斌 乔金梁 孔梅影 孙殿照 韩汝水 朱世莱 阎春辉 《半导体情报》 1991年第6期80-82,共3页

本文报道了金属有机源分子束外廷设备的设计方案和技术特点。该设备最大样品尺寸为3英寸,3室结构,空气闭锁换样,6条气路。

关键词 金属 有机化合物 分子束外延 设备

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金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs

14

作者 阎春辉 孙殿照 +5 位作者 国红熙 朱世荣 黄运衡 李晓兵 曾一平 孔梅影 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1992年第6期12-16,共5页

关键词 分子束 外延 半导体 砷化镓

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分子束外延反射式高能电子衍射的强度振荡采集系统及其应用

15

作者 张晓秋 朱战萍 +4 位作者 孙殿照 孔梅影 曾一平 郑海群 阎春辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第3期205-207,共3页

在分子束外延(MBE)设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料时观察了RHEED强度振荡现象。并“在位”得到GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料的生长速率和Al_xGa_(1-x)As... 在分子束外延(MBE)设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料时观察了RHEED强度振荡现象。并“在位”得到GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料的生长速率和Al_xGa_(1-x)As材料的AlAs摩尔分数,即x值。 展开更多

关键词 高能电子衍射 分子束外延 采集系统 反射式 振荡现象 外延层 采集记录 摩尔分数 杂散光 超晶格

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MBE生长的GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs系中缺陷的研究

16

作者 范缇文 阎春辉 +3 位作者 郑海群 孔梅影 田连地 周玉清 《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期193-193,共1页

GaAs_(1-x)Sb_x作为有前途的长波长光电材料已受到了广泛的重视。但是由于GaAs_(1-x)Sb_x在GaAs衬底上进行外延生长时存在过大的晶格失配度(约7.5％)而遇到了较大的困难。为了提高材料的质量,对于GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs体系异质结界面失... GaAs_(1-x)Sb_x作为有前途的长波长光电材料已受到了广泛的重视。但是由于GaAs_(1-x)Sb_x在GaAs衬底上进行外延生长时存在过大的晶格失配度(约7.5％)而遇到了较大的困难。为了提高材料的质量,对于GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs体系异质结界面失配位错的分析已成为了有兴趣的研究课题。本文对用分子束外延(MBE)生长的GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs系材料的界面缺陷进行了横断面透射电子显微镜和高分辩电子显微镜的研究,目的在于了解界面的缺陷行为并探讨改进材料质量的途径。 展开更多

关键词 MBE GaAs-Sb/GaAs 缺陷 半导体材料

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