杂质离子在EDI中的传质模型 被引量：10

1

作者 闻瑞梅 范伟 +1 位作者 邓守权 张亚峰 《净水技术》 CAS 2003年第1期1-4,共4页

该文介绍了EDI的工作原理,提出了水中杂质离子在EDI中的四个传质过程,即(1)杂质离子从水相到树脂相的传质;(2)杂质离子在树脂相中的传质;(3)杂质离子从水相到离子选择性交换膜的传质;(4)杂质离子在离子选择性交换膜内的电迁移传质。并... 该文介绍了EDI的工作原理,提出了水中杂质离子在EDI中的四个传质过程,即(1)杂质离子从水相到树脂相的传质;(2)杂质离子在树脂相中的传质;(3)杂质离子从水相到离子选择性交换膜的传质;(4)杂质离子在离子选择性交换膜内的电迁移传质。并推导出上述四个过程的传质速率方程,以利于进一步了解EDI的性能,便于EDI的推广应用。 展开更多

关键词 杂质离子 EDI 电去离子 传质模型 水处理

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用185nm UV降解水中二苯甲酮和孔雀石绿 被引量：8

2

作者 闻瑞梅 葛伟伟 《环境科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期587-594,共8页

研究了185nm紫外光降解水中二苯甲酮和孔雀石绿和总有机碳(TOC)的规律.研究了浓度、体积、流速、pH等因素对二苯甲酮的降解效果的影响.通过改变污染物初始浓度、体积、流量、pH值以及添加无机离子来讨论185nm紫外光对孔雀石绿的降解效果... 研究了185nm紫外光降解水中二苯甲酮和孔雀石绿和总有机碳(TOC)的规律.研究了浓度、体积、流速、pH等因素对二苯甲酮的降解效果的影响.通过改变污染物初始浓度、体积、流量、pH值以及添加无机离子来讨论185nm紫外光对孔雀石绿的降解效果,探讨了降解的最佳条件.降解达到了治理水中二苯甲酮和孔雀石绿污染的目的.用这种方法降解水中二苯甲酮和孔雀石绿,去除率能够达到99.9%以上,是一种非常有效的治理污染方法.实验同时验证了185nmUV降解水中的二苯甲酮和孔雀石绿符合准一级动力学规律. 展开更多

关键词 185nm紫外线 降解 二苯甲酮 孔雀石绿

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降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型 被引量：6

3

作者 闻瑞梅 梁骏吾 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1601-1604,共4页

本文提出用 185nm紫外线降低高纯水中总有机碳 (TOC)的能量传递光化学模型 .计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系 ,从而解决了在工程设计中 185nm紫外灯的选择和计算方法 .根据理论计算出的结果和实验十分一... 本文提出用 185nm紫外线降低高纯水中总有机碳 (TOC)的能量传递光化学模型 .计算了水的流量、TOC的浓度、照射腔的尺寸与所需紫外光能量的关系 ,从而解决了在工程设计中 185nm紫外灯的选择和计算方法 .根据理论计算出的结果和实验十分一致 ,证实了本模型的正确性 .使高纯水中的TOC由 4 2 0 0 μg/l降至 0 .3μg/l,是目前国内外高纯水中TOC浓度的最好水平 . 展开更多

关键词 超大规模集成电路 总有机碳 185纳米紫外 光化学

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用电去离子方法去除高纯水中硅的研究 被引量：7

4

作者 闻瑞梅 张亚峰 +1 位作者 邓守权 范伟 《工业水处理》 CAS CSCD 2004年第10期27-29,共3页

研究了电压、pH、流量等因素对EDI去除高纯水中硅的影响,探讨了EDI装置对高纯水中硅的去除机理,并对传统工艺与EDI的除硅效果进行了对比。实验结果表明:在pH、流量等因素不变的情况下,电压的增加有利于EDI对硅的脱除;在电压、流量等因... 研究了电压、pH、流量等因素对EDI去除高纯水中硅的影响,探讨了EDI装置对高纯水中硅的去除机理,并对传统工艺与EDI的除硅效果进行了对比。实验结果表明:在pH、流量等因素不变的情况下,电压的增加有利于EDI对硅的脱除;在电压、流量等因素不变的情况下,EDI对硅的脱除率随着pH的增加先增加,然后有所下降;在电压、pH等因素不变的情况下,流量的增加不利于EDI对硅的脱除。 展开更多

关键词 电去离子 硅 高纯水

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用紫外光和双氧水降低工业废水色度的研究 被引量：7

5

作者 闻瑞梅 邓守权 葛伟伟 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1353-1355,共3页

本文研究185nmUV加H2O2去除工业废水中的色度.实验结果表明:185nmUV能使水发生均裂反应,产生·OH、·H和eaq(水合电子)等活性中间体,对废水的色度有一定的去除作用;对185nmUV加H2O2对废水的色度有很好的去除效果,而且H2O2在紫... 本文研究185nmUV加H2O2去除工业废水中的色度.实验结果表明:185nmUV能使水发生均裂反应,产生·OH、·H和eaq(水合电子)等活性中间体,对废水的色度有一定的去除作用;对185nmUV加H2O2对废水的色度有很好的去除效果,而且H2O2在紫外线的作用下也可以生成·OH,与单独使用185nmUV相比,降解速率可以提高10～20倍.因此脱色效果好,脱色速度快,适合多种色料,处理后结果色度均能达到国家一级以上的排放标准.本文研究的185nmUV+H2O2方法,工艺简单、操作方便、脱色快捷效果好,可广泛应用于各种场合的各种色度的脱除. 展开更多

关键词 185nmUV H2O2 废水色度

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兆位电路用高纯水、气和化学试剂的质量控制 被引量：7

6

作者 闻瑞梅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第5期24-30,共7页

本文阐述了高纯水、高纯气和高纯化学试剂的质量对兆位电路的影响,研究了高纯水中颗粒、金属、非金属、细菌以及总有机炭对VLSI性能的影响,研究了半导体器件工艺中氯化氢、氨、氮及硅烷气体中氧、水、二氧化碳、总碳氢化物等杂质对VLSI... 本文阐述了高纯水、高纯气和高纯化学试剂的质量对兆位电路的影响,研究了高纯水中颗粒、金属、非金属、细菌以及总有机炭对VLSI性能的影响,研究了半导体器件工艺中氯化氢、氨、氮及硅烷气体中氧、水、二氧化碳、总碳氢化物等杂质对VLSI工艺的影响;研究了化学试剂中杂质对VLSI工艺的影响。 展开更多

关键词 纯水 纯气 化学试剂 集成电路 工艺

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半导体工业废水、废气中砷、磷、硫、氟、氯及氮氧化物和重金属的综合治理 被引量：6

7

作者 闻瑞梅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期1-3,8,共4页

本文介绍了在半导体工业废水、废气中砷、磷、硫、氟、氯及氮氧化物、重金属及各种酸的综合治理方法、工艺流程和设备 ,用中和絮凝沉降一体化装置 ,利用共生沉淀的原理处理废水 .用椭圆型喷淋吸收塔 ,氧化剂、碱吸收治理半导体工业废气... 本文介绍了在半导体工业废水、废气中砷、磷、硫、氟、氯及氮氧化物、重金属及各种酸的综合治理方法、工艺流程和设备 ,用中和絮凝沉降一体化装置 ,利用共生沉淀的原理处理废水 .用椭圆型喷淋吸收塔 ,氧化剂、碱吸收治理半导体工业废气中砷、磷、硫、氟、氯、氮氧化物及各种酸 . 展开更多

关键词 半导体 废水 废气 环境保护 废物处理

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半导体材料器件生产工艺中废气废水的综合治理方法及设备的研究 被引量：5

8

作者 闻瑞梅 杜国栋 《中国工程科学》 2001年第2期71-78,共8页

针对半导体材料、器件生产工艺中的废气和废水的治理 ,介绍了三种不同的方法和相关设备。①利用碘盐、铜盐和锰盐以及多级逆向喷淋的设备对实验室MOVPE工艺尾气及砷化镓材料制备中砷烷、磷烷污染的治理。②生产规模的半导体材料砷化镓 ... 针对半导体材料、器件生产工艺中的废气和废水的治理 ,介绍了三种不同的方法和相关设备。①利用碘盐、铜盐和锰盐以及多级逆向喷淋的设备对实验室MOVPE工艺尾气及砷化镓材料制备中砷烷、磷烷污染的治理。②生产规模的半导体材料砷化镓 ,磷化姻 ,重掺砷硅单晶材料及器件的工艺中 ,腐蚀间排放的废气中砷、磷、硫、氟、氯及氮氧化物酸根离子的治理。用椭圆隔板式喷淋吸收塔或双塔式喷淋吸收设备 ,用氧化剂及碱液吸收的治理方法。③治理半导体工艺废水中砷、总磷、各种酸及重金属等的污染。用碳酸钙中和后 ,加铁盐经絮凝沉降一体化装置治理废水。经治理后的废气、废水经环保部门检测均达到国家排放标准[1～ 3] 展开更多

关键词 废水 废气 砷烷 磷烷 半导体材料器件 生产工艺 综合治理 设备

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电去离子过程中膜堆电阻的研究 被引量：3

9

作者 闻瑞梅 张亚峰 +1 位作者 邓守权 范伟 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期22-24,28,共4页

研究了电去离子(EDI)过程膜堆电阻的组成,考察了电压、进水电导率及进水流量等因素对膜堆电阻的影响,探讨了EDI膜堆电阻的表达式.

关键词 电去离子 膜堆电阻 电压 进水电导率 进水流量 高纯水

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反渗透膜在超纯水生产中的应用 被引量：4

10

作者 闻瑞梅 岩堀博 +1 位作者 桂常敦 高岷 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第4期271-274,共4页

介绍了ＮＴＲ－７５９反渗透膜的结构及其脱除性能。将反渗透（ＲＯ）膜与醋酸纤维（ＣＡ）膜进行了比较。着重叙述了ＮＴＲ－７５９在双级ＲＯ中用作中间和精处理时对低浓度的盐和ＴＯＣ的脱除特性。实际应用表明，ＮＴＲ－７５９是一... 介绍了ＮＴＲ－７５９反渗透膜的结构及其脱除性能。将反渗透（ＲＯ）膜与醋酸纤维（ＣＡ）膜进行了比较。着重叙述了ＮＴＲ－７５９在双级ＲＯ中用作中间和精处理时对低浓度的盐和ＴＯＣ的脱除特性。实际应用表明，ＮＴＲ－７５９是一种性能良好的反渗透复合膜，可广泛应用于高纯水的制备。 展开更多

关键词 水处理 超纯水 反渗透

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EDI对于去除太空用水中弱电解质——氨的研究 被引量：3

11

作者 闻瑞梅 范伟 +1 位作者 邓守权 张亚峰 《膜科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期10-13,共4页

研究了太空站水的总循环开发中EDI膜堆电流、进水的总氨浓度、进水流量等因素对EDI去除氨的影响,并对各影响因素进行了解释.实验结果显示:在氨进水质量浓度高达208.3mg/L的情况下,出水总氨的质量浓度为0.072mg/L,EDI对氨的去除率为99.97%.

关键词 EDI 弱电解质 用水 质量浓度 进水流量 太空站 氨浓度 去除率

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半导体工艺用高纯水中硅、硼的去除 被引量：4

12

作者 闻瑞梅 邓守权 +1 位作者 张亚峰 葛伟伟 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期197-199,共3页

本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硅、硼的脱除方法 .通过对电压、进水电导率 (淡室、浓室 )、流量 (淡室、浓室、极室 )、pH值等因素的研究 ,得出EDI最佳脱硅、硼条件 .EDI进水SiO_2 浓度为 10 0 0 μg/L ,最佳出水硅... 本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硅、硼的脱除方法 .通过对电压、进水电导率 (淡室、浓室 )、流量 (淡室、浓室、极室 )、pH值等因素的研究 ,得出EDI最佳脱硅、硼条件 .EDI进水SiO_2 浓度为 10 0 0 μg/L ,最佳出水硅为 2 .6 6 μg/L ,为目前国内最好水平 .EDI进水硼浓度为 5 0 μg/L ,最佳出水中硼含量为 <1μg/L .满足了大规模集成电路用水中硅、硼的要求 (对于兆位电路硅要求 <3μg/L ,硼要求 <1μg/L) . 展开更多

关键词 电脱盐 EDI(Electrodeioniation)硅 硼 高纯水

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四种阻垢剂与Mg^(2+)之间的配位化学作用研究 被引量：3

13

作者 闻瑞梅 邓守权 +2 位作者 朱志良 范伟 张亚峰 《水处理技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期255-258,共4页

本文采用酸碱电位滴定分析方法,运用先进的数据处理程序-BEST程序,通过建立恰当的配位化学模式,研究了水溶液中四种阻垢剂:氨基三甲叉磷酸(ATMP)、2-磷基-1,4-丁三酸(PBTCA)、聚丙烯酸(PAA,MW=2000)、马丙共聚物(PMAAA,MW =3000)自身的... 本文采用酸碱电位滴定分析方法,运用先进的数据处理程序-BEST程序,通过建立恰当的配位化学模式,研究了水溶液中四种阻垢剂:氨基三甲叉磷酸(ATMP)、2-磷基-1,4-丁三酸(PBTCA)、聚丙烯酸(PAA,MW=2000)、马丙共聚物(PMAAA,MW =3000)自身的解离以及与Mg2+离子间的配位化学作用,得到相应的配合物稳定常数,作出各种配合物在不同pH值下形态分布图,并对阻垢机理的解释提供一定的理论基础。 展开更多

关键词 阻垢剂 PBTCA 阻垢机理 ATMP 配位化学 磷酸 共聚物 配合物 稳定常数 解离

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MOVPE生产用高纯水中硅的去除 被引量：3

14

作者 闻瑞梅 徐志彪 +1 位作者 孟广祯 吴坚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期721-723,共3页

本文介绍了硅对砷化镓材料生长及有机金属化合物气相淀积 (MOVPE)工艺中的影响和电脱盐 (EDI)技术以及用EDI降低高纯水中硅浓度的机理和方法 ,通过大量实验比较不同制水设备脱硅效果 ,得出用EDI技术严格控制pH(8～ 11)时脱硅效果最好 ,... 本文介绍了硅对砷化镓材料生长及有机金属化合物气相淀积 (MOVPE)工艺中的影响和电脱盐 (EDI)技术以及用EDI降低高纯水中硅浓度的机理和方法 ,通过大量实验比较不同制水设备脱硅效果 ,得出用EDI技术严格控制pH(8～ 11)时脱硅效果最好 ,能使高纯水中Si的浓度 <0 5 μg/L ,满足了MO源生产及MOVPE工艺用水中Si浓度 <3μg/L的需要 . 展开更多

关键词 有机金属气相淀积 硅 连续电脱盐 超大规模集成电路

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半导体材料与器件生产工艺尾气中砷、磷、硫的治理及检测 被引量：4

15

作者 闻瑞梅 梁骏吾 +1 位作者 邓礼生 彭永清 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期188-194,共7页

本文研究了化合物半导体材料、器件生产工艺过程中排出的有毒物质砷、磷、硫及其化合物的治理方法．还研究了这些有毒物质的低温富集取样及快速、灵敏的分析监测方法，并与其它经典的方法作了对比．

关键词 生产工艺 尾气 砷 磷 硫 治理 检测 半导体材料

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控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究 被引量：3

16

作者 闻瑞梅 陈胜利 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1009-1012,共4页

本文介绍了溶解氧 (DO)以及总有机碳 (TOC)对超大规模集成电路 (ULSI)用水的污染 ,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据 .研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较 ,本文设计了用脱氧膜接触器 ,降低高纯水... 本文介绍了溶解氧 (DO)以及总有机碳 (TOC)对超大规模集成电路 (ULSI)用水的污染 ,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据 .研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较 ,本文设计了用脱氧膜接触器 ,降低高纯水中的溶解氧 .结合用双级反渗透 (RO)及电脱盐 (EDI) [1～ 3 ] 再加上 185nm紫外光照射高纯水 ,使高纯水中的溶解氧和TOC分别降至 0 6 μg/L和 0 7μg/L,并用键能理论解释了 展开更多

关键词 超大规模集成电路 溶解氧 总有机碳

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大规模集成电路对所用化学试剂和高纯水的要求 被引量：4

17

作者 闻瑞梅 《化学试剂》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期20-24,35,共6页

介绍了大规模集成电路对所用化学试剂和高纯水的要求。如快扩散杂质、碱金属、细菌、二氧化硅、总有机碳及颗粒等。对高纯水和化学试剂中不同的杂质在集成电路中的影响进行了讨论,并给出了高纯水的国家标准和国外对256K 至4M DRAM 用水... 介绍了大规模集成电路对所用化学试剂和高纯水的要求。如快扩散杂质、碱金属、细菌、二氧化硅、总有机碳及颗粒等。对高纯水和化学试剂中不同的杂质在集成电路中的影响进行了讨论,并给出了高纯水的国家标准和国外对256K 至4M DRAM 用水质量的规格。 展开更多

关键词 化学试剂 高纯水 LSIC

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一种分析磷及其磷化物的新方法 被引量：3

18

作者 闻瑞梅 陈朗星 《分析测试技术与仪器》 1995年第3期8-11,共4页

测定固、液相样品中磷及其化合物的新方法是将待测样品中的磷及其化合物分解并被原子氢还原为ＰＨ３，再用气相色谱仪测定。该方法不需化学预处理，快速、灵敏、可靠，测定结果与分光光度法基本一致。

关键词 磷 气相色谱

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现代高纯水 被引量：3

19

作者 闻瑞梅 《中国工程科学》 2000年第1期68-72,共5页

论述了超大规模集成电路与高纯水的关系以及对水质的要求;研究了高纯水制备的几个关键新技术及提高高纯水质量的方法,该方法能有效地降低高纯水中的总有机碳、细菌、细菌内毒素、溶解氧等;讨论了高纯水常用各种管材的污染,并列举了大量... 论述了超大规模集成电路与高纯水的关系以及对水质的要求;研究了高纯水制备的几个关键新技术及提高高纯水质量的方法,该方法能有效地降低高纯水中的总有机碳、细菌、细菌内毒素、溶解氧等;讨论了高纯水常用各种管材的污染,并列举了大量数据和应用实例。 展开更多

关键词 高纯水 总有机碳 细菌 ULSI 溶解氧 制备 质量

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用气相色谱法测定半导体工艺中固、液、气相砷、磷及化合物的新方法 被引量：3

20

作者 闻瑞梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期64-69,共6页

本文研究了一种快速、灵敏、可靠的高温氢还原—气相色谱分析方法，样品不需预处理，使气相色谱仪能直接测定固、液、气相样品中砷、磷及其化合物的含量．砷、磷的检测限分别为0．01mg／L和0．003mg／L．相对偏差分别为6．2％和8．6％... 本文研究了一种快速、灵敏、可靠的高温氢还原—气相色谱分析方法，样品不需预处理，使气相色谱仪能直接测定固、液、气相样品中砷、磷及其化合物的含量．砷、磷的检测限分别为0．01mg／L和0．003mg／L．相对偏差分别为6．2％和8．6％，测定范围为10－5～10－11．并与经典方法进行对比，结果一致． 展开更多

关键词 半导体工艺 气相色谱法 测定

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