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热退火对GaAs半导体晶片均匀性的影响
被引量：
1
1
作者
孙良泉
金
能
韫
史常忻
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期147-151,共5页
主要讨论热退火(850℃退火2小时)对GaAs半导体晶片的位错密度和电阻率的影响,阐述了位错密度的分布与电阻率分布之间的关系。通过特殊的实验方法得到的结果证明:适当的退火处理将改善GaAs晶片中缺陷密度、电阻率的大小及分布,从而得到...
主要讨论热退火(850℃退火2小时)对GaAs半导体晶片的位错密度和电阻率的影响,阐述了位错密度的分布与电阻率分布之间的关系。通过特殊的实验方法得到的结果证明:适当的退火处理将改善GaAs晶片中缺陷密度、电阻率的大小及分布,从而得到均匀性较好的GaAs材料。
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关键词
砷化镓
退火
电阻率
半导体
晶片
下载PDF
职称材料
晶格畸变分析及其在半导体量子点结构中的应用(英文)
2
作者
金
能
韫
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2006年第3期190-199,共10页
在适当的成像条件下可以直接从高分辨透射电子像(HRTEM)以接近原子级的分辨率进行晶格畸变分析。本综述介绍晶格畸变分析(LADIA)程序包及其在半导体自组装量子点(QD)系统中的应用。对多层InP小QD系统中畸变分布的分析表明:光致发光(PL)...
在适当的成像条件下可以直接从高分辨透射电子像(HRTEM)以接近原子级的分辨率进行晶格畸变分析。本综述介绍晶格畸变分析(LADIA)程序包及其在半导体自组装量子点(QD)系统中的应用。对多层InP小QD系统中畸变分布的分析表明:光致发光(PL)能量峰位的红移和QD中的应变弛豫直接相关。在慢速生长的InAs大QD系统中应变引起的元素互溶是PL峰位蓝移的主要因素。多层系统中QD的垂直叠合可解释为间隔层厚度低于临界值时生长前沿的横向张应变的作用。研究了生长以后不同条件快速退火对QD稳定性的影响,观测到垂直叠合的InP QD中出现各向异性的退火不稳定性。
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关键词
高分辨透射电子术(HRTEM)
定量高分辨透射电子术
应变像
半导体量子点
光致发光
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职称材料
题名
热退火对GaAs半导体晶片均匀性的影响
被引量：
1
1
作者
孙良泉
金
能
韫
史常忻
机构
上海交通大学材料科学系
上海交通大学微电子技术研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期147-151,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目
文摘
主要讨论热退火(850℃退火2小时)对GaAs半导体晶片的位错密度和电阻率的影响,阐述了位错密度的分布与电阻率分布之间的关系。通过特殊的实验方法得到的结果证明:适当的退火处理将改善GaAs晶片中缺陷密度、电阻率的大小及分布,从而得到均匀性较好的GaAs材料。
关键词
砷化镓
退火
电阻率
半导体
晶片
Keywords
GaAs, Anneal, Dislocation, Resistivity
分类号
TN304.26 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
晶格畸变分析及其在半导体量子点结构中的应用(英文)
2
作者
金
能
韫
机构
Max-Planck-Institut fuer Metallforschung
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2006年第3期190-199,共10页
文摘
在适当的成像条件下可以直接从高分辨透射电子像(HRTEM)以接近原子级的分辨率进行晶格畸变分析。本综述介绍晶格畸变分析(LADIA)程序包及其在半导体自组装量子点(QD)系统中的应用。对多层InP小QD系统中畸变分布的分析表明:光致发光(PL)能量峰位的红移和QD中的应变弛豫直接相关。在慢速生长的InAs大QD系统中应变引起的元素互溶是PL峰位蓝移的主要因素。多层系统中QD的垂直叠合可解释为间隔层厚度低于临界值时生长前沿的横向张应变的作用。研究了生长以后不同条件快速退火对QD稳定性的影响,观测到垂直叠合的InP QD中出现各向异性的退火不稳定性。
关键词
高分辨透射电子术(HRTEM)
定量高分辨透射电子术
应变像
半导体量子点
光致发光
Keywords
high-resolution transmission electron microscopy （HRTEM）
quantitative HRTEM
strain mapping
semiconductor quantum dot
photoluminescence
分类号
O471.1 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
热退火对GaAs半导体晶片均匀性的影响
孙良泉
金
能
韫
史常忻
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1992
1
下载PDF
职称材料
2
晶格畸变分析及其在半导体量子点结构中的应用(英文)
金
能
韫
《电子显微学报》
CAS
CSCD
2006
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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