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题名沉积参数对ITO表面形貌及晶体结构的影响
被引量：1
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作者
邱阳
金杨利
祖成奎
赵华
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机构
中国建筑材料科学研究总院
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出处
《武汉理工大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期5-8,共4页
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基金
国家自然科学基金面上项目(51172221)
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文摘
利用离子辅助电子束蒸发技术在不同沉积工艺参数下制备了ITO薄膜,详细讨论了沉积工艺参数的变化对ITO薄膜表面形貌及晶体结构的影响。结果表明:随基板温度的升高,ITO薄膜的缺陷增多,表面粗糙度增大。高温下沉积的薄膜为多晶结构,并呈现[111]择优取向;随着沉积速率的升高,薄膜表面粗糙度变大,结晶度升高,晶粒尺寸增大,呈现出沿[001]取向择优生长的趋势,并且低速率下沉积的薄膜中包含除立方氧化铟外的其他晶相。
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关键词
ITO薄膜
表面形貌
晶体结构
基板温度
沉积速率
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Keywords
ITO thin film
morphology
crystalline structure
substrate temperature
deposition rate
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分类号
O484.4
[理学—固体物理]
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