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氮化硅陶瓷磨削表面残余应力的测试与计算 被引量:13
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作者 祝昌军 高玲 +2 位作者 杨海涛 蒋俊 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期41-43,共3页
利用X射线衍射应力分析的sin2 ψ法测量、计算出氮化硅陶瓷试样的残余应力。分析表明 ,经平面磨磨削后的气压烧结氮化硅陶瓷试样表面存在的残余应力为拉应力 ,而再经过表面抛光处理 ,则可以适当地降低表面残余应力。
关键词 残余应力 气压烧结 氮化硅
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