电导数测试用于大功率半导体激光器的快速筛选 被引量：10

1

作者 李红岩 石家纬 +5 位作者 金恩顺 齐丽云 李正庭 高鼎三 肖建伟 刘宗顺 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期507-510,共4页

对氧化物条型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出ｍ，ｈ，ｂ参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是大功率半导体激光器快速筛选的新方法。

关键词 半导体激光器 可靠性 筛选 测试

原文传递

微腔有机发光二极管 被引量：4

2

作者 刘明大 石家纬 +4 位作者 李永军 陆羽 杨洪军 缪同群 金恩顺 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期166-168,共3页

设计了由分布布拉格反射镜 (DBR)和金属反射镜面形成的微腔结构。利用 8-羟基喹啉铝 (Alq3)作为电子传输层兼作发光层 ,TPD作为空穴传导层 ,制成了有机发光二极管(OLED)和微腔有机发光二极管 (MOLED)。发现MOLED的光谱半宽比OLED的窄得... 设计了由分布布拉格反射镜 (DBR)和金属反射镜面形成的微腔结构。利用 8-羟基喹啉铝 (Alq3)作为电子传输层兼作发光层 ,TPD作为空穴传导层 ,制成了有机发光二极管(OLED)和微腔有机发光二极管 (MOLED)。发现MOLED的光谱半宽比OLED的窄得多 ,而光密度则得到了增强。对腔长进行调节 ,MOLED光谱峰出现移动。实验结果与理论计算基本符合。 展开更多

关键词 有机发光二极管 微腔 电致发光 MOLED

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一个检测半导体激光器质量的有效方法 被引量：6

3

作者 石家纬 金恩顺 +5 位作者 李红岩 李正庭 郭树旭 高鼎三 余金中 郭良 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期595-600,共6页

对一百支ＰＢＣ结构的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的检测表明，通过变温的电导数及热阻测试给出的参数及参数随温度的变化可对半导体激光器有效地进行质量评价和可靠性筛选．

关键词 半导体激光器 质量检测 INGAASP INP 激光器

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半导体激光器的低频电噪声谱密度和器件的可靠性 被引量：6

4

作者 石家纬 金恩顺 +2 位作者 马靖 戴逸松 张新发 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第10期729-732,共4页

本文给出了半导体激光器的低频电噪声谱密度和器件可靠性关系的实验结果。

关键词 激光器 噪声 可靠性 半导体激光器

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用电导数技术筛选可见光半导体激光器 被引量：5

5

作者 李红岩 石家纬 +3 位作者 金恩顺 齐丽云 李正庭 高鼎三 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期115-117,共3页

对 6 0只 6 70nm可见光量子阱激光器进行电导数测试 ,讨论了电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的关系 ,指出用m、h、b参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是可见光半导体激光器快速筛选的好方法。

关键词 半导体激光器 电导数 筛选 可见光

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半导体激光器的可靠性 被引量：2

6

作者 石家纬 金恩顺 +2 位作者 郭建新 马靖 高鼎三 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期1-5,共5页

本文总结了关于半导体激光器可靠性研究的主要结果,讨论了主要退化模式,对实现高可靠性器件需要把握的主要因素进行了阐述。

关键词 半导体激光器 可靠性 退化模式

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SiO高效减反射膜的蒸镀和监控 被引量：3

7

作者 刘明大 石家纬 金恩顺 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期172-174,184,共4页

报道了使用 IL400膜厚速率控制仪监控 SiO 减反射膜的蒸镀,通过对1.3μm 激光器前端面蒸镀 SiO 减反射膜而制成了超辐射发光二极管。

关键词 发光二极管 蒸镀 控制 高增透膜

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1．3μm　InGaAsP／InP超辐射发光二极管的低频光、电噪声研究 被引量：3

8

作者 马东阁 石家纬 +3 位作者 金恩顺 刘明大 李淑文 高鼎三 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第9期785-790,共6页

给出了研制的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声及其相关性的实验结果。结合电导数、光导数及光谱测试进行了分析和讨论。结果表明．超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声有相关性．其噪声大小与... 给出了研制的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声及其相关性的实验结果。结合电导数、光导数及光谱测试进行了分析和讨论。结果表明．超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声有相关性．其噪声大小与器件材料质量、结构参数及工作条件密切相关。 展开更多

关键词 发光二极管 光噪声 电噪声 INGAASP/INP

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半导体激光器光输出噪声测量及与电噪声的相关性 被引量：3

9

作者 戴逸松 徐建生 +2 位作者 张新发 石家伟 金恩顺 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期248-252,共5页

采用互谱估计方法测量了半导体激光器的微弱电噪声谱及光噪声谱。结果表明两者在超辐射区有较强的相关性。对光噪声的形成机理分析证明由载流子起伏形成的光噪声与电噪声完全相关，而由外量子效率起伏引起的光噪声与电噪声是不相关的。

关键词 半导体激光器 电噪声 噪声测量

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并四苯晶体的物理气相沉积 被引量：1

10

作者 刘建军 李永军 +5 位作者 刘明大 石家纬 葛翔 纪平 郭树旭 金恩顺 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期437-439,442,共4页

设计了水平沉积系统 ,物理气相生长了并四苯晶体。仅用 10～ 30mg的源 ,得到了面积达 2 0mm2 的片状晶体。报道了可重复性的晶体生长条件。测试表明 ,晶体表面光滑 。

关键词 并四苯 有机晶体 物理气相沉积

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半导体激光器和光晶体管组合双稳的研究

11

作者 金恩顺 石家纬 奚军华 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1990年第1期59-64,共6页

利用光晶体管的饱和特性和雪崩负阻特性实现了半导体激光器和光晶体管的组合双稳,并对影响其工作状态及特性的条件进行了讨论。

关键词 激光器 半导体 光晶体管 双稳器件

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有机半导体电注入激光器

12

作者 郭树旭 李永军 +3 位作者 刘明大 石家纬 刘建军 金恩顺 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期313-315,337,共4页

有机半导体激光器实现了从光泵浦到电泵浦。回顾了有机半导体激光器从光泵浦到电注入的发展过程。概述了有机半导体材料产生激光的特性 ,介绍了贝尔实验室第一个有机固态电注入型激光器的工作原理。提出了在器件结构上的一些新设想。

关键词 激光器 有机半导体 半导体激光器

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半导体激光器的电导数测试和可靠性分析

13

作者 金恩顺 石家纬 +2 位作者 马靖 李正庭 高鼎三 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第2期51-54,共4页

采用电导数测量技术,测量了质子轰击型GaAs/GaAlAs激光器的器件参数,探讨了这些参数与半导体激光器可靠性的关系.

关键词 半导体激光器 器件参数 可靠性

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1．3μmInGaAsP／InP涂层结构超辐射发光二极管输出特性的理论和实验 被引量：1

14

作者 马东阁 石家纬 +3 位作者 刘明大 金恩顺 李淑文 高鼎三 《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第1期36-42,共7页

本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程，对减反射涂层结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的输出特性进行了计算，给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的... 本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程，对减反射涂层结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管的输出特性进行了计算，给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的变化。计算结果与我们制备的该结构超辐射发光二极管测试结果有较好的符合。 展开更多

关键词 超辐射 发光二极管 涂层 INGAASP/INP 输出特性

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GaAlAs超发光二极管 被引量：1

15

作者 刘明大 石家纬 +1 位作者 金恩顺 李淑文 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期23-25,共3页

本文报导在 GaAlAs 双异质结激光器腔面上,蒸镀 ZrO_2减反射涂层,制成了 GaAlAs 超发光二极管。室温连续输出最大功率为9.1mW,光谱带宽为155 。

关键词 超发光二极管 GAALAS 异质结 激光器腔面

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组合光双稳半导体激光器的光逻辑门

16

作者 石家纬 金恩顺 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期245-247,共3页

用半导体激光器和光晶体管组成了组合光双稳激光器,以不同的电路结构实现了与、或、非、与非、或非光逻辑门.特别是利用光可并行输入输出特性实现了光异或门.

关键词 半导体激光器 双稳激光器

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快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管

17

作者 赵蔚 张玉书 +2 位作者 石家纬 金恩顺 高鼎三 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第8期590-593,共4页

本文介绍了快速1.3μm InGaAsP/InP台面边发光二极管(ELED)的研制过程,通过有源区重掺Zn杂质和引进台面结构,提高了器件的调制频率,使-3dB调制带宽达500MHz,70mA电流下输出功率为130μW。

关键词 发光二极管 台面型 INGAASP/INP

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高精度半导体激光器恒温仪的研制及控温特性

18

作者 李正庭 石家纬 +1 位作者 金恩顺 邓永芳 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1989年第4期63-66,共4页

采用PID校正网络研制了温度可调节的高精度半导体激光器恒温仪,测试结果表明,稳定度可达±2.0×10^(-3)C,并讨论了其控温特性。

关键词 半导体激光器 恒温仪 控温

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光逻辑门

19

作者 金恩顺 石家纬 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1990年第4期61-63,共3页

用半导体激光器和雪崩光晶体管组合光双稳器件的不同电路形式实现了与、或、非以及与非、或非等逻辑门。特别是利用光可并行输入、输出特性实现了异或逻辑门(光学半加器)。这种光逻辑电路有结构简单、高光增益、响应速度快和便于单片集... 用半导体激光器和雪崩光晶体管组合光双稳器件的不同电路形式实现了与、或、非以及与非、或非等逻辑门。特别是利用光可并行输入、输出特性实现了异或逻辑门(光学半加器)。这种光逻辑电路有结构简单、高光增益、响应速度快和便于单片集成等特点,因此。 展开更多

关键词 逻辑门 光双稳器件 光逻辑

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半导体激光器结电压饱和特性及其与器件可靠性的关系

20

作者 石家纬 金恩顺 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1993年第1期53-56,共4页

本文讨论了半导体激光器的结电压饱和特性,并给出了其可靠性和结电压饱和特性关系的实验结果.

关键词 结电压饱和 可靠性 半导体激光器

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