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单晶硅太阳电池的温度和光强特性 被引量：18
1
作者 金井升 舒碧芬 +2 位作者 沈辉 李军勇 陈美园 《材料研究与应用》 CAS 2008年第4期498-502,共5页
利用闪光式电池测试仪在不同温度和光强条件对单晶硅太阳电池进行了测试．研究发现，当温度在25～65℃时，单晶硅太阳电池光照特性的主要参数随着温度呈线性变化．随着温度的升高，短路电流有小幅度上升。填充因子下降，开路电压的降幅... 利用闪光式电池测试仪在不同温度和光强条件对单晶硅太阳电池进行了测试．研究发现，当温度在25～65℃时，单晶硅太阳电池光照特性的主要参数随着温度呈线性变化．随着温度的升高，短路电流有小幅度上升。填充因子下降，开路电压的降幅达到2．3mV／℃，效率降幅高于0．075％／℃．当光强为340．1～4251．2W／m。时．开路电压随着光强的增加呈指数关系增加，效率随着光强的增加先增加后减小．最大效率值16．67％出现在光强为952．7W／m^2的情况下，填充因子随着光强的增加减小，串联内阻的影响可以解释效率和填充因子下降的现象，在聚光条件下太阳电池的峰值功率得到显著提高． 展开更多
关键词 太阳电池 温度特性 光强特性
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晶体硅太阳电池工艺技术新进展 被引量：8
2
作者 赵汝强 梁宗存 +2 位作者 李军勇 金井升 沈辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期25-29,共5页
晶体硅太阳电池是目前技术最成熟、应用最广泛的太阳电池。以晶体硅太阳电池的生产流程为基础,主要从提高电池转换效率和降低生产成本出发,介绍了晶体硅太阳电池制造技术的最新进展和成果,并对各种制备工艺进行了评价。
关键词 晶体硅太阳电池 制备工艺 最新进展
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中空玻璃式太阳电池组件的热性能研究 被引量：4
3
作者 王响 沈辉 +1 位作者 舒碧芬 金井升 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1049-1053,共5页
对中空玻璃式太阳电池组件的热性能进行了研究,对影响太阳电池温度的各因素进行了分析,建立了一个—维模型对试验结果进行了说明。结果表明,中空玻璃式太阳电池组件的散热性能较差,其内部太阳电池温度高于常规组件。在组件结构方面,影... 对中空玻璃式太阳电池组件的热性能进行了研究,对影响太阳电池温度的各因素进行了分析,建立了一个—维模型对试验结果进行了说明。结果表明,中空玻璃式太阳电池组件的散热性能较差,其内部太阳电池温度高于常规组件。在组件结构方面,影响太阳电池温度的各因素的重要性从高到低依次为:太阳电池与玻璃接触的紧密程度,太阳电池固定的位置,间隔条的宽度,组件所采用的玻璃的厚度。外界环境对太阳电池温度有重要影响,最主要的是风速的影响,其次是地面辐射的影响。 展开更多
关键词 BIPV 太阳电池组件 中空玻璃
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利用正交实验法探究掺硼p型单晶硅PERC电池的电致复原最优条件 被引量：5
4
作者 梁润雄 艾斌 +5 位作者 金井升 叶家兴 张卫民 庞毅聪 何溢懿 沈辉 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期81-89,共9页
为了减小掺硼p型单晶硅PERC电池的光衰,利用正交实验方法对其电注入复原处理条件进行了最优化研究。采用VS-6821M型太阳电池I-V特性测试仪测量PERC电池在复原处理前后及随后12 h光衰过程中效率的变化,以光衰12 h后的效率与复原处理前的... 为了减小掺硼p型单晶硅PERC电池的光衰,利用正交实验方法对其电注入复原处理条件进行了最优化研究。采用VS-6821M型太阳电池I-V特性测试仪测量PERC电池在复原处理前后及随后12 h光衰过程中效率的变化,以光衰12 h后的效率与复原处理前的效率的比值作为衡量复原处理工艺优劣的指标。三水平正交实验结果表明,不论是否考虑交互作用,在所研究的参数范围(10~30 min,140~200℃,6~18 A),电注入复原处理最优条件均为30 min,170℃,18 A。在此基础上,利用五水平正交实验进一步将电注入复原处理的最优条件优化为30 min,175℃,18 A。经最优化条件复原处理的电池相对于复原处理前的初始效率有1%~2%的增益,且电池效率在1 Sun光强、45℃、12 h光衰过程中基本保持稳定,12 h光衰后的效率比初始效率也有约1%的增益。 展开更多
关键词 掺硼直拉单晶硅 PERC电池 光衰 复原 正交实验方法
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晶体硅太阳电池前电极形成机理分析 被引量：2
5
作者 李军勇 梁宗存 +2 位作者 赵汝强 金井升 沈辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第14期8-11,共4页
目前市场上85%以上的晶体硅太阳电池采用丝网印刷技术制备前、背电极。为了了解前电极的Ag-Si接触形成机理以及电流传输机制,对前电极烧结工艺以及Ag-Si接触的形成机理进行了分析,提出了4种Ag-Si界面的接触形式。根据不同的界面接触形式... 目前市场上85%以上的晶体硅太阳电池采用丝网印刷技术制备前、背电极。为了了解前电极的Ag-Si接触形成机理以及电流传输机制,对前电极烧结工艺以及Ag-Si接触的形成机理进行了分析,提出了4种Ag-Si界面的接触形式。根据不同的界面接触形式,指出两步隧道效应和多步隧道效应电流传输机制是最主要的电流传输方式。 展开更多
关键词 太阳电池 前电极 烧结 Ag—Si接触
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多晶硅太阳电池双层SiNx镀膜工艺研究 被引量：2
6
作者 周艺 欧衍聪 +4 位作者 郭长春 肖斌 何文红 黄岳文 金井升 《材料导报》 CSCD 北大核心 2012年第8期14-16,共3页
采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析。结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多... 采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析。结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34%。 展开更多
关键词 多晶硅太阳电池 PECVD 双层SiNx膜
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电势诱导衰退和湿热衰退P-PERC太阳能电池的修复与增效
7
作者 洪伦 杜汇伟 +6 位作者 李明远 王疆瑛 张景基 宗泉 张昕宇 张彼克 金井升 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第8期1378-1386,共9页
针对P型钝化发射极背面接触(PERC)太阳能电池在服役期间受到电势衰退和湿热诱导衰退影响而引起光电转换效率降低的问题,本文通过光电注入和热退火工艺对已衰退电池进行修复并研究其增效机制。实验结果表明:在光照强度为3倍标准太阳光、... 针对P型钝化发射极背面接触(PERC)太阳能电池在服役期间受到电势衰退和湿热诱导衰退影响而引起光电转换效率降低的问题,本文通过光电注入和热退火工艺对已衰退电池进行修复并研究其增效机制。实验结果表明:在光照强度为3倍标准太阳光、电注入电流为10 A、退火温度为150℃、工艺50 min实验条件下,对180片已衰退电池进行修复实验,其中94.32%的已衰退电池的光电转换效率得到修复,实验后电池光电转换效率平均提升8.96%。光致发光光谱和量子效率分析表明,光电注入和热退火工艺可有效减少电池因电势诱导衰退和湿热衰退形成的内部缺陷和背表面缺陷,提升衰退电池片的光电转换效率。 展开更多
关键词 光电注入 P-PERC太阳能电池 氢钝化 转换效率 性能衰退 电势诱导衰退 湿热衰退
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多晶硅太阳电池低温变温扩散工艺的优化
8
作者 周艺 肖斌 +3 位作者 金井升 黄燕 郭长春 欧衍聪 《可再生能源》 CAS 北大核心 2012年第4期15-17,20,共4页
采用少子寿命测试仪对扩散前后的硅片少子寿命进行了分析,当扩散后的方块电阻控制在55～65Ω时,低温变温扩散工艺处理的硅片少子寿命最高达到12.18μs,低温恒温扩散工艺处理的硅片少子寿命为10.67μs,高温恒温扩散工艺处理的硅片少子寿... 采用少子寿命测试仪对扩散前后的硅片少子寿命进行了分析,当扩散后的方块电阻控制在55～65Ω时,低温变温扩散工艺处理的硅片少子寿命最高达到12.18μs,低温恒温扩散工艺处理的硅片少子寿命为10.67μs,高温恒温扩散工艺处理的硅片少子寿命为8.20μs。低温变温扩散工艺处理的太阳电池分别比传统的低温恒温扩散工艺处理和高温恒温扩散工艺处理的太阳电池转换效率提高0.79%和0.42%。 展开更多
关键词 太阳电池 低温变温扩散 恒温扩散 少子寿命
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多晶硅扩散氧化层对太阳电池性能的影响
9
作者 周艺 肖斌 +3 位作者 黄燕 金井升 郭长春 欧衍聪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第16期35-37,46,共4页
重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究。采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60～70Ω/□时,扩散... 重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究。采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60～70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Ω和8522mA,光电转换效率也由16.69%(干氧流量2000sccm)提高到了16.83%。此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释。 展开更多
关键词 扩散 氧化层 少子寿命 太阳电池 多晶硅
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