高压PECVD技术沉积硅基薄膜过程中硅烷状态的研究 被引量：12

1

作者 侯国付 薛俊明 +6 位作者 孙建 郭群超 张德坤 任慧志 赵颖 耿新华 李乙钢 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期1177-1181,共5页

采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法在不同功率下制备了一系列硅薄膜材料,研究了材料晶化率和生长速度随功率变化的规律,进而研究PECVD方法沉积硅薄膜过程中的硅烷反应状态,并提出可以根据硅烷耗尽程度的不同将硅烷反... 采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法在不同功率下制备了一系列硅薄膜材料,研究了材料晶化率和生长速度随功率变化的规律,进而研究PECVD方法沉积硅薄膜过程中的硅烷反应状态,并提出可以根据硅烷耗尽程度的不同将硅烷反应状态分为未耗尽、耗尽和过耗尽三种.然后,对不同硅烷反应状态下的材料结构、光电性能以及相应的电池进行了研究,并指出适合于太阳电池本征层的高质量微晶硅材料应该沉积在硅烷耗尽状态. 展开更多

关键词 耗尽状态 微晶硅 光发射谱

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相变域硅薄膜材料的光稳定性 被引量：12

2

作者 王岩 韩晓艳 +8 位作者 任慧志 侯国付 郭群超 朱锋 张德坤 孙建 薛俊明 赵颖 耿新华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期947-951,共5页

采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的... 采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定,衰退率较少;高晶化率微晶硅材料性能稳定,基本不存在光衰退;在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退,但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池. 展开更多

关键词 射频等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 Staebler—Wronski(SW)效应 稳定性

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TiO_2/SiO_2双层减反膜在太阳电池上的应用 被引量：8

3

作者 余跃波 孟凡英 +2 位作者 郭群超 江民林 胡宇 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1465-1468,共4页

利用二氧化硅(SiO_2)对太阳电池表面的钝化作用,对传统的二氧化钛(TiO_2)单层减反膜进行了改良。基于理论模拟分析了光反射率随膜层(TiO_2/SiO_2)厚度变化规律,结合实验上SiO_2最佳厚度经验值,制备了晶体硅太阳电池(即TiO_2/SiO_2/Si),... 利用二氧化硅(SiO_2)对太阳电池表面的钝化作用,对传统的二氧化钛(TiO_2)单层减反膜进行了改良。基于理论模拟分析了光反射率随膜层(TiO_2/SiO_2)厚度变化规律,结合实验上SiO_2最佳厚度经验值,制备了晶体硅太阳电池(即TiO_2/SiO_2/Si),并和SiN_x/Si结构的晶体硅太阳电池相比较。分别测试了少子寿命、反射率、电性能参数等,结果表明这种改良后的TiO_2减反膜也可以取得很好的减反效果和钝化效果。镀有TiO_2/SiO_2双层膜与SiN_x减反膜绒面晶体硅片的积分反射率分别为4.9%和3.9%;使用以上两种不同减反膜制备的太阳电池的开路电压均可达到0.62V。可见这种TiO_2/SiO_2双层膜有望在将来的生产中得到具体应用。 展开更多

关键词 TIO2 减反膜 钝化 太阳电池

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催化精馏塔中催化剂装填技术的现状与分析 被引量：4

4

作者 刘国标 郭群超 《石油化工设计》 CAS 2003年第2期10-13,共4页

将催化精馏塔中催化剂的装填方式分为3种形式做了介绍,即催化剂装在板式精馏塔的降液管中,装在塔板上,或与填料结合方式,并对这些装填方式的优缺点进行了总结分析。

关键词 催化精馏 塔板 催化剂 装填技术 现状分析 填料 化学过程

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温度对高速微晶硅薄膜沉积速率及其特性的影响 被引量：7

5

作者 郭群超 孙建 +1 位作者 魏长春 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期659-662,共4页

采用超高频(VHF)结合高压(HP)的技术路线,在较高SiH4浓度(SC)下实现了微晶硅(μc-Si:H)薄膜的高速沉积,考察了衬底温度在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率以及光电特性的影响。结果表明:薄膜微结构特性随衬底温度变化是导致薄... 采用超高频(VHF)结合高压(HP)的技术路线,在较高SiH4浓度(SC)下实现了微晶硅(μc-Si:H)薄膜的高速沉积,考察了衬底温度在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率以及光电特性的影响。结果表明:薄膜微结构特性随衬底温度变化是导致薄膜电学特性随衬底温度变化的根本原因;HP与低压条件下沉积的μc-Si:H薄膜的特性随温度变化的规律不同,在试验温度范围内,HP高速沉积的μc-Si:H薄膜生长速率不同于低压时随温度升高而下降的趋势,而是先增大后趋于平稳,晶化率随温度升高也不是单调增加,而是先增加后减小。 展开更多

关键词 高速沉积 微晶硅(μc-Si:H) 超高频(VHF) 温度

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气体滞留时间对高速沉积的微晶硅薄膜性能的影响分析 被引量：7

6

作者 郭群超 耿新华 +4 位作者 孙建 魏长春 韩晓艳 张晓丹 赵颖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期2790-2795,共6页

实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,实现了微晶硅硅薄膜的高速沉积,并通过改变气体总流量改变气体滞留时间,考察了气体滞留时间在化学气相沉积(CVD)... 实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,实现了微晶硅硅薄膜的高速沉积,并通过改变气体总流量改变气体滞留时间,考察了气体滞留时间在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率以及光电特性和结构特性的影响.采用沉积速率达到12/s的高速微晶硅工艺制备微晶硅电池,电池效率达到了5.3%. 展开更多

关键词 气体滞留时间 高速沉积 微晶硅 超高频等离子体增强化学气相沉积

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电极结构对硅薄膜生长过程及材料特性的影响 被引量：4

7

作者 侯国付 郭群超 +4 位作者 任慧志 张晓丹 薛俊明 赵颖 耿新华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1353-1358,共6页

在制备硅薄膜材料的PECVD系统中,分别采用普通平行板电极和网状电极,在相同的工艺条件下研究了电极结构对硅薄膜材料均匀性、电学性能以及微结构的影响.发现采用网状电极使薄膜(400～500nm)均匀性得到明显改善,在20cm×20cm内不均... 在制备硅薄膜材料的PECVD系统中,分别采用普通平行板电极和网状电极,在相同的工艺条件下研究了电极结构对硅薄膜材料均匀性、电学性能以及微结构的影响.发现采用网状电极使薄膜(400～500nm)均匀性得到明显改善,在20cm×20cm内不均匀性从±12.6%下降到±2.1%.等离子体发光光谱的测试表明,网状电极可大大提高硅烷的利用率,因而在相同工艺条件下,生长微晶硅材料需要更高的功率密度.文中对实验结果进行了详细的讨论. 展开更多

关键词 网状电极 硅薄膜 均匀性 等离子体的发光光谱

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缓冲层对p-a-Si/n-c-Si异质结太阳电池影响的计算分析 被引量：5

8

作者 白晓宇 郭群超 +3 位作者 柳琴 庞红杰 张滢清 李红波 《中国科学：物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2013年第8期923-929,共7页

采用AFORS-HET和MATLAB从理论上研究了缓冲层对HIT电池性能的影响机理.首先对P层进行优化,发现高掺杂、薄厚度的P层有利于电池效率的提升.缓冲层主要的影响有两方面,一是界面态密度,二是与晶体硅形成能带失配.模拟发现,界面态增大导致... 采用AFORS-HET和MATLAB从理论上研究了缓冲层对HIT电池性能的影响机理.首先对P层进行优化,发现高掺杂、薄厚度的P层有利于电池效率的提升.缓冲层主要的影响有两方面,一是界面态密度,二是与晶体硅形成能带失配.模拟发现,界面态增大导致复合中心密度上升,开路电压下降;能带失配的增大可以降低界面处少子浓度,起到场钝化效果,提高开路电压.短路电流和填充因子受到界面处的影响较小,与P层的工艺条件有比较大的关系. 展开更多

关键词 p-a-Si n-c-Si异质结太阳电池 缓冲层 界面态密度 能带失配

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催化蒸馏塔中催化剂装填技术研究进展 被引量：3

9

作者 刘国标 王树楹 郭群超 《石油化工设备》 CAS 2003年第6期37-40,共4页

介绍了催化蒸馏塔中催化剂的装填结构 ,即催化剂装在板式蒸馏塔降液管中、装在板式塔塔板上、与散装填料相结合及与规整填料相结合 。

关键词 催化蒸馏塔 催化剂 塔板 填料 装填技术

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PECVD法生长晶化硅薄膜的机理 被引量：4

10

作者 白晓宇 郭群超 +3 位作者 柳琴 庞宏杰 张滢清 李红波 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期361-364,435,共5页

硅薄膜在太阳电池中有非常重要的应用,薄膜的晶化对硅薄膜的性质和太阳电池效率都有很大影响,研究薄膜晶化理论具有重要意义。选择刻蚀模型认为H原子会轰击薄膜生长表面,打断吸附较弱的化学键,促使形成强的Si-Si键,使薄膜发生晶化。通过... 硅薄膜在太阳电池中有非常重要的应用,薄膜的晶化对硅薄膜的性质和太阳电池效率都有很大影响,研究薄膜晶化理论具有重要意义。选择刻蚀模型认为H原子会轰击薄膜生长表面,打断吸附较弱的化学键,促使形成强的Si-Si键,使薄膜发生晶化。通过Monte Carlo法对具体的生长晶化过程进行了模拟计算,发现薄膜晶相的转变发生在生长温度350K(77℃)以上,并且在低温(T<550K)下,晶化的过程主要发生在氢稀释度90%以上。结果与实验数据在高氢稀释下基本吻合,低氢稀释下有偏差。认为低氢稀释下晶化反应所需中间产物产量少,模型中未被考虑的其他基团影响了它们的相对数量,造成模拟结果的偏差。模型对硅薄膜晶化过程的理论解释有一定的合理性。 展开更多

关键词 硅薄膜 晶化 选择刻蚀模型

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并流喷射式填料塔板在催化精馏中的应用 被引量：2

11

作者 刘国标 蓝仁水 +1 位作者 郭群超 王树楹 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期218-220,共3页

介绍了并流喷射式填料塔板(JCPT 塔板)的结构和特点以及在催化精馏中的应用状况,进行了干气与苯制备乙苯的模拟试验,试验结果为乙烯转化率95％以上,乙苯选择性95％以上。试验证明这种催化精馏塔催化剂装填量大、寿命长、装卸方便,塔板... 介绍了并流喷射式填料塔板(JCPT 塔板)的结构和特点以及在催化精馏中的应用状况,进行了干气与苯制备乙苯的模拟试验,试验结果为乙烯转化率95％以上,乙苯选择性95％以上。试验证明这种催化精馏塔催化剂装填量大、寿命长、装卸方便,塔板压降小,反应转化率高、效率高。 展开更多

关键词 催化精馏 塔板 催化剂构件 填料

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高速沉积μc-Si：H薄膜生长机制及其微结构的研究 被引量：2

12

作者 韩晓艳 耿新华 +10 位作者 郭群超 袁育杰 候国付 魏长春 张晓丹 孙建 薛俊明 赵颖 蔡宁 任慧志 张德坤 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期54-57,共4页

采用高压高功率的超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,在腐蚀后的7059玻璃、低晶化和高晶化的微晶硅(μc-Si:H)p型材料3种衬底上,通过改变沉积时间的方法,高速(沉积速率约为1nm/s)沉积了不同厚度的μc-Si:H薄膜材料。测试... 采用高压高功率的超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,在腐蚀后的7059玻璃、低晶化和高晶化的微晶硅(μc-Si:H)p型材料3种衬底上,通过改变沉积时间的方法,高速(沉积速率约为1nm/s)沉积了不同厚度的μc-Si:H薄膜材料。测试其表面形貌及晶化率,比较了不同衬底上高速生长的μc-Si:H薄膜生长机制及微结构的差异,最后得到适于高速沉积pinμc-Si:H太阳电池的μc-Si:Hp型材料应具备的条件。 展开更多

关键词 微晶硅薄膜(μc-Si:H) 微结构 纵向均匀性 衬底形貌

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硅表面钝化及对异质结太阳电池特性的影响 被引量：3

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作者 柳琴 刘成 +3 位作者 叶晓军 郭群超 李红波 陈鸣波 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期40-45,共6页

研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响。发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT... 研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响。发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT太阳电池的开路电压。对电池制备工艺综合优化后,得到了基于n型晶体硅的光电转换效率为16.75%(Voc=0.596V,Jsc=41.605mA/cm2,FF=0.676,AM1.5,25℃)的HIT太阳电池。 展开更多

关键词 晶体硅/非晶硅异质结(HIT) 太阳电池 表面钝化 少子寿命

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流量对高速沉积的微晶硅电池性能的影响 被引量：1

14

作者 郭群超 韩晓艳 +6 位作者 孙建 魏长春 王辉 陈飞 张晓丹 赵颖 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1017-1021,共5页

采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术研究微晶硅(μc-Si)薄膜的高速沉积过程发现:分别采用100和500sccm流量制备本征μc-Si材料,将其应用在μc-Si电池i层,电池的电流-电压(I-V)特性有明显的差异。通过微区Raman、原子力... 采用超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术研究微晶硅(μc-Si)薄膜的高速沉积过程发现:分别采用100和500sccm流量制备本征μc-Si材料,将其应用在μc-Si电池i层,电池的电流-电压(I-V)特性有明显的差异。通过微区Raman、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)测试发现:尽管μc-Si薄膜的晶化率相似,但是小流量情况下制备的薄膜具有较厚的非晶孵化层,晶粒尺寸不一;大流量下制备的材料沿生长方向的纵向均匀性相对较好,晶粒尺寸较小、分布均匀,而且具有〈220〉晶相峰强度高于〈111〉和〈311〉晶相峰强度的特点。因此得出:在高压高速沉积μc-Si薄膜过程中,反应气体流量对μc-Si的纵向结构有很大影响,选择适合的反应气流量能够调节适宜的气体滞留时间,从而减小薄膜的纵向不均匀性。 展开更多

关键词 反应气体流量 高速沉积 微晶硅(μc-Si)太阳电池 超高频

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非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响 被引量：1

15

作者 韩晓艳 张晓丹 +8 位作者 侯国付 郭群超 袁育杰 董培 魏长春 孙建 薛俊明 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期915-919,共5页

采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性... 采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性能却有明显差异。通过对微晶硅电池的光、暗态J-V,量子效率(QE)和微区拉曼(Raman)测试发现,微晶硅薄膜中非晶孵化层厚度的不同是引起电池性能差异的主要原因。反应气体总流量较低时沉积的微晶硅薄膜具有较厚的非晶孵化层,阻碍了载流子的输运,使电池的长波光谱响应下降,从而降低了电池的短路电流密度与填充因子;而增加总气体流量,有效减小了微晶硅薄膜中的非晶孵化层的厚度。从而使电池性能得到改善。最后在总气体流量为500sccm时,制备得到沉积速率为1nm/s,效率为7.3%的单结微晶硅太阳电池。 展开更多

关键词 高速沉积 非晶孵化层 微晶硅太阳电池

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高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料(英文)

16

作者 侯国付 郭群超 +7 位作者 王岩 薛俊明 任慧志 宋建 张晓丹 赵颖 耿新华 李以钢 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期999-1005,共7页

本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果。实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变。通过工艺参数的优化和纯化器的使... 本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果。实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变。通过工艺参数的优化和纯化器的使用,有效地控制了氧的掺杂,在较高的生长速度下得到了器件质量级的本征微晶硅材料。将实验得到的微晶硅作为太阳电池光吸收层,在没有ZnO背电极和没有优化窗口层材料以及p/i界面时,电池的效率达到5.22%,这进一步表明本征微晶硅材料的良好性能。 展开更多

关键词 微晶硅 太阳电池 高压 氧施主掺杂

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基于弛豫型铁电三元共聚物聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氯代偏氟乙烯)热释电性能的能量采集研究（英文）

17

作者 朱红英 王相虎 +2 位作者 王致杰 王珺 郭群超 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期538-542,共5页

研究了利用弛豫型铁电三元聚合物薄膜P(VDF-TrF E-CFE)的热释电性质,以温度波动作为初始能量形式进行热电能量的采集。由于该聚合物薄膜在发生由温度变化诱导的纳米极性区极化机制转换时,介电常数表现出明显的非线性变化,所以可以结合Er... 研究了利用弛豫型铁电三元聚合物薄膜P(VDF-TrF E-CFE)的热释电性质,以温度波动作为初始能量形式进行热电能量的采集。由于该聚合物薄膜在发生由温度变化诱导的纳米极性区极化机制转换时,介电常数表现出明显的非线性变化,所以可以结合Ericsson循环实现热电能量采集。实验结果显示,最佳能量采集温度区间为20^-20℃,利用不同温度下的单极性电滞回线进行Ericsson循环模拟,两种模拟方式分别实现能量采集最大值和最小值,并从微观角度给出了两种模式的解释。同时研究了温度波动和外加电场对能量采集的影响。在外加电场100 kV·mm-1、温度波动为40℃的情况下,能量采集值达到3 483 mJ·cm-3。与单晶材料相比,能量采集值提高了10倍。当工作温度降低至室温时,材料具有柔性,在能量采集方面具有应用潜力。 展开更多

关键词 能量采集 热释电效应 三元聚合物 聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氯代偏氟乙烯) 温度波动

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本征缓冲层厚度对纳米硅/晶体硅异质结太阳电池的影响

18

作者 郭群超 刘阳 《上海电机学院学报》 2019年第6期315-320,共6页

采用纳米硅和晶体硅材料设计了一种纳米硅(nc-Si:H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池,并利用wxAMPS软件对该电池的基本性能进行了模拟。仿真发现,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,它对电池的填充因子和开路电压影响非常明显。如果在电... 采用纳米硅和晶体硅材料设计了一种纳米硅(nc-Si:H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池,并利用wxAMPS软件对该电池的基本性能进行了模拟。仿真发现,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,它对电池的填充因子和开路电压影响非常明显。如果在电池的纳米硅与晶体硅交界处插入1 nm厚的纳米本征缓冲层,可以降低缺陷态密度的消极影响,提高光伏电池的光电转换效率。 展开更多

关键词 纳米硅 异质结 界面态 能带补偿

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纳米技术在晶体硅太阳能电池中的应用 被引量：1

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作者 张愿成 庞宏杰 +2 位作者 郭群超 王凌云 张滢清 《新材料产业》 2011年第12期49-52,共4页

随着人类社会可持续发展问题的日益凸显，低碳经济正成为实现可持续发展的重要手段，新能源必将引领下一次产业革命、投资革命和科技革命。以太阳能电池发展为核心和主导的新能源革命，则将成为改变中国和全球能源、环境问题的根本手段... 随着人类社会可持续发展问题的日益凸显，低碳经济正成为实现可持续发展的重要手段，新能源必将引领下一次产业革命、投资革命和科技革命。以太阳能电池发展为核心和主导的新能源革命，则将成为改变中国和全球能源、环境问题的根本手段和有效途径。太阳能发电技术的地面应用研究已经历了近30年之久， 展开更多

关键词 晶体硅太阳能电池 地面应用 纳米技术 可持续发展问题 太阳能发电技术 人类社会 科技革命 能源革命

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PECVD技术在未来高效太阳能电池中的应用 被引量：1

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作者 庞宏杰 柳琴 +1 位作者 郭群超 张愿成 《新材料产业》 2014年第6期50-55,共6页

随着社会经济的发展，能源危机和环境污染问题已成为人类面临的最迫切需要解决的问题。太阳能清洁、无污染、取之不尽用之不竭，太阳能发电技术可以将太阳光的辐射能直接转换为电能，是目前可再生能源技术领域中发展最快、最有前途的技... 随着社会经济的发展，能源危机和环境污染问题已成为人类面临的最迫切需要解决的问题。太阳能清洁、无污染、取之不尽用之不竭，太阳能发电技术可以将太阳光的辐射能直接转换为电能，是目前可再生能源技术领域中发展最快、最有前途的技术之一。目前80%以上的太阳能电池由晶体硅材料制备而成，制备高效率、低成本的晶体硅太阳能电池对于大规模利用太阳能发电有着十分重要的意义，其中，等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）是制备高效晶体硅太阳能电池的关键设备，本文将集中对PECVD技术进行介绍。 展开更多

关键词 PECVD技术 高效太阳能电池 晶体硅太阳能电池 等离子体增强化学气相沉积 太阳能发电技术 可再生能源技术 应用 环境污染问题

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