白光LED用CaWO_4:Eu^(3+)红色荧光粉的制备及发光性能 被引量：17

1

作者 郝敏如 李桂芳 贺文文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1730-1734,共5页

采用固相法制备了白光LED红色荧光粉Ca1–x WO4:xEu3+(x=0.10、0.15、0.20、0.25、0.30)及Ca0.5WO4:0.25Eu3+,0.25M+(M=Li,Na,K),通过X射线衍射(XRD)分析了荧光粉样品的物相,利用荧光分光光度计研究了Eu3+、M+的掺杂量对荧光粉发光性能... 采用固相法制备了白光LED红色荧光粉Ca1–x WO4:xEu3+(x=0.10、0.15、0.20、0.25、0.30)及Ca0.5WO4:0.25Eu3+,0.25M+(M=Li,Na,K),通过X射线衍射(XRD)分析了荧光粉样品的物相,利用荧光分光光度计研究了Eu3+、M+的掺杂量对荧光粉发光性能的影响。结果表明,所合成的Ca1–x WO4:xEu3+及Ca0.5WO4:0.25Eu3+,0.25M+均为白钨矿结构。合成的系列荧光粉均可以被近紫外光(393 nm)和蓝光(464 nm)有效激发,其发射主峰位于615 nm处,归属于Eu3+的5D0→7F2跃迁。Ca1–x WO4:xEu3+荧光粉中Eu3+的最佳掺杂量为25%(摩尔分数),而掺杂作为电荷补偿剂的碱金属离子M+,可以有效的提高Ca0.75WO4:0.25Eu3+发光强度,且Li+的提高作用最为明显。 展开更多

关键词 钨酸钙 白光发光二极管 碱金属离子 固相法

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两种下腹部组织瓣修复四肢大面积皮肤软组织缺损后患者的腹部功能与外形 被引量：4

2

作者 武雷 丁英状 +1 位作者 郝敏如 高祥 《中华烧伤与创面修复杂志》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期959-967,共9页

目的研究用2种下腹部组织瓣修复四肢大面积皮肤软组织缺损后患者的腹部功能与外形。方法采用回顾性临床对照研究方法。2016年6月—2022年10月,山东省文登整骨医院骨手显微外科收治符合入选标准的四肢大面积皮肤软组织缺损患者17例,其中... 目的研究用2种下腹部组织瓣修复四肢大面积皮肤软组织缺损后患者的腹部功能与外形。方法采用回顾性临床对照研究方法。2016年6月—2022年10月,山东省文登整骨医院骨手显微外科收治符合入选标准的四肢大面积皮肤软组织缺损患者17例,其中男2例、女15例,年龄21~60岁,缺损范围为15.0 cm×10.0 cm~23.0 cm×15.0 cm。按照采用的修复方法,将患者分为采用腹壁下动脉穿支(DIEP)皮瓣游离移植修复缺损创面的DIEP皮瓣组(9例)和采用保留部分肌肉的横行腹直肌肌皮瓣游离移植修复缺损创面的保留部分肌肉的横行腹直肌肌皮瓣组(8例)。术后1、3、5、7、14 d,采用自制组织瓣血运评估量表对组织瓣血运进行评价;术后12个月,采用皮瓣疗效满意度评分标准评价患者对组织瓣修复疗效的满意度;术前、术后3个月、术后12个月,采用自制腹壁强度评价量表对腹壁强度进行评价;术后12个月,采用自制腹部外形评价量表对腹部瘢痕情况、腹部对称程度、脐部外形及复位情况、穿衣过程中腹部隆起情况、腹部两侧褶皱形成情况进行评价。对数据行重复测量方差分析、独立样本t检验、配对样本t检验、Fisher确切概率法检验。结果术后1、3、5、7、14 d,2组患者组织瓣血运评分均无明显变化,组间比较差异均无统计学意义(P>0.05)。术后12个月,DIEP皮瓣组患者对组织瓣修复疗效的满意比为8/9,与保留部分肌肉的横行腹直肌肌皮瓣组的7/8相近(P>0.05)。2组患者术前腹壁强度相近(P>0.05),DIEP皮瓣组患者术后3、12个月腹壁强度均明显强于保留部分肌肉的横行腹直肌肌皮瓣组(t值分别为3.09、3.02,P<0.05);与组内术前比较,DIEP皮瓣组患者术后3个月腹壁强度及保留部分肌肉的横行腹直肌肌皮瓣组患者术后3、12个月腹壁强度均明显减弱(t值分别为6.04、9.71、2.91,P<0.05),DIEP皮瓣组患者术后12个月腹壁强度无明显变化(P> 展开更多

关键词 创伤和损伤 外科皮瓣 四肢 病人满意度 腹壁下动脉穿支皮瓣 保留部分肌肉的横行腹直肌肌皮瓣 腹部功能 创面修复

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白光LED用Ca_(0.5-y)WO_4:Eu_(0.25)^(3+),Li_(0.25)^+,Sm)y^(3+)红色荧光粉的合成及发光特性 被引量：7

3

作者 郝敏如 胡辉勇 +3 位作者 李桂芳 廖晨光 赵小红 贺文文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期476-481,共6页

采用固相法制备了白光LED红色荧光粉Ca_(0.71)WO_4:Sm_(0.04)^(3+)Li_(0.250)^+和Ca_(0.5-y)WO_4:Eu_(0.25)^(3+),Li_(0.25)^+,Sm_y^(3+)(y=0.00,0.02,0.04,0.06),通过X射线衍射(XRD)、荧光分光光度计以及稳态/瞬态荧光光谱仪研究了荧... 采用固相法制备了白光LED红色荧光粉Ca_(0.71)WO_4:Sm_(0.04)^(3+)Li_(0.250)^+和Ca_(0.5-y)WO_4:Eu_(0.25)^(3+),Li_(0.25)^+,Sm_y^(3+)(y=0.00,0.02,0.04,0.06),通过X射线衍射(XRD)、荧光分光光度计以及稳态/瞬态荧光光谱仪研究了荧光粉样品的物相、Sm^(3+)的掺杂量对荧光粉发光性能以及荧光寿命的影响。XRD分析表明,合成的样品均为白钨矿结构。荧光光谱表明,所合成的系列荧光粉均可以被近紫外光(393 nm)和蓝光(464 nm)有效激发,其发射主峰位于615 nm处,归属于Eu^(3+)的~5D_0→~7F_2跃迁。发光衰减曲线表明,Sm^(3+)的掺杂对荧光粉Ca_(0.5)WO_4:Eu_(0.25)^(3+),Li_(0.25)^+荧光寿命没有影响。实验结果表明,在系列Ca_(0.5-y)WO_4:Eu_(0.25)^(3+),Li_(0.25)^+,Sm^(3+)荧光粉中Sm^(3+)的最佳掺杂量为4%(摩尔分数)。 展开更多

关键词 钨酸钙 白光发光二极管 钐离子 固相法

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三维CTA下游离足底内侧穿支皮瓣修复指掌侧组织缺损 被引量：1

4

作者 王建国 王燕 +2 位作者 郑广程 郝敏如 武雷 《中华手外科杂志》 CSCD 北大核心 2022年第5期430-432,共3页

目的探讨3D-CTA技术下游离足底内侧穿支皮瓣修复手指掌侧组织缺损的临床疗效。方法自2016年2月至2020年5月我科采用游离足底内侧穿支皮瓣修复手指掌侧软组织缺损患者40例,分为A、B两组,A组采用3D-CTA检查确定穿支位置20例,B组采用传统... 目的探讨3D-CTA技术下游离足底内侧穿支皮瓣修复手指掌侧组织缺损的临床疗效。方法自2016年2月至2020年5月我科采用游离足底内侧穿支皮瓣修复手指掌侧软组织缺损患者40例,分为A、B两组,A组采用3D-CTA检查确定穿支位置20例,B组采用传统超声多普勒确定穿支位置20例。比较两组术前穿支血管标记准确率、皮瓣切取时间、供区无效损伤。比较术前3D-CTA检查拟切取的足底内侧穿支血管管径、穿支穿出位置与术中实际测量值是否一致。末次随访依照中华医学会手外科分会上肢部分功能评定试用标准评价手指功能。结果 A组的穿支准确率、皮瓣切取时间、供区无效损伤均优于B组。A组术前3D-CTA测量的穿支血管管径为(0.85±0.12) mm,与术中测量的(0.87±0.13) mm相近(P=0.62);术前3D-CTA测量的舟骨粗隆到穿支起始处横向距离为(8.2±1.7) mm,舟骨粗隆到穿支起始处纵向距离为(12.6±3.5) mm,与术中测量的(7.9±1.5)、(12.3±3.2) mm相近(P=0.56、0.78)。末次随访手指功能评价A组优良率为90%,B组为85%,均获得满意疗效(P=0.63)。结论足底内侧穿支皮瓣是修复手指掌侧缺损的理想皮瓣之一,术前3D-CTA可明确供区血管解剖结构,指导手术设计及实施,缩短了手术时间,降低了供区的无效损伤。 展开更多

关键词 外科皮瓣 指损伤 三维CT血管造影 修复

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γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响 被引量：2

5

作者 郝敏如 胡辉勇 +5 位作者 廖晨光 王斌 赵小红 康海燕 苏汉 张鹤鸣 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期361-369,共9页

基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照... 基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照条件下的栅隧穿电流模型,应用Matlab对该模型进行了数值模拟仿真,探究了总剂量、器件几何结构参数、材料物理参数等对栅隧穿电流的影响.此外,通过实验进行对比,该模型仿真结果和总剂量辐照实验测试结果基本符合,从而验证了模型的可行性.本文所建模型为研究纳米级单轴应变Si NMOSFET应变集成器件可靠性及电路的应用提供了有价值的理论指导与实践基础. 展开更多

关键词 单轴应变Si 纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管 总剂量 栅隧穿电流

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Ku波段五位数字移相器设计与仿真 被引量：1

6

作者 郝敏如 廖晨光 《数学的实践与认识》 北大核心 2016年第7期154-161,共8页

介绍了一种Ku波段五位数字移相器,采用PIN二极管作为开关原件,描述了:PIN二极管的开关原理,并给出了电路设计方案及仿真结果.五位移相器由11.25°,22.5°,45°,90°及180°五个移相单元构成,其中11.25°,22.5&#... 介绍了一种Ku波段五位数字移相器,采用PIN二极管作为开关原件,描述了:PIN二极管的开关原理,并给出了电路设计方案及仿真结果.五位移相器由11.25°,22.5°,45°,90°及180°五个移相单元构成,其中11.25°,22.5°,45°采用改进的加载线型结构,90°,180°采用改进的开关型结构,同时还研究了调节支路引入前后对电路性能的影响.移相器频率范围为13.2-14.8GHz,频宽为1.6GHz,驻波比小于1.72,插入损耗小于1.55dB,回波损耗优于12dB,仿真结果表明,各项指标达到设计要求. 展开更多

关键词 KU波段 数字移相器 相控阵雷达 PIN二极管

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单轴应变Si纳米NMOSFET电特性优化 被引量：1

7

作者 廖晨光 郝敏如 《电子科技》 2018年第7期46-50,共5页

针对小尺寸器件二级物理效应对集成电路正常工作的影响,同时为了进一步提高集成电路的性能,本文提出了利用Sentaurus TCAD软件仿真进行小尺寸单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)器件参数优化的方法。首先利用Sentauru... 针对小尺寸器件二级物理效应对集成电路正常工作的影响,同时为了进一步提高集成电路的性能,本文提出了利用Sentaurus TCAD软件仿真进行小尺寸单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)器件参数优化的方法。首先利用Sentaurus TCAD软件,对氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源、栅、漏上淀积氮化硅薄膜(SiN)来分析沟道中应力的变化得出沟道中产生应力的必要条件是沟道上方具有一层薄栅氧化层,其次进行了单轴应变Si NMOSFET的电性能随沟道应力以及沟道长度的变化仿真分析,接着利用软件仿真分析栅氧化层厚度、SiN膜淀积次数和厚度等因素对沟道应力的影响得出优化参数,最后利用优化后的参数对小尺寸单轴应变Si NMOSFET与常规器件的驱动电流进行了对比,结果显示模拟90 nm、65 nm、45 nm单轴应变Si NMOS器件相对常规器件分别提升了26.8%、27.8%和29.9%。因此利用Sentaurus TCAD软件仿真的方法为小尺寸单轴应变Si NMOSFET器件制造工艺提供了有效参考。 展开更多

关键词 应变SI NMOSFET 氮化硅薄膜(SiN) 沟道应力 参数优化

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应变Si纳米NMOSFET单粒子效应 被引量：1

8

作者 廖晨光 郝敏如 《电子科技》 2018年第8期38-41,共4页

针对辐照条件下应变集成器件及电路的应用越来越多的问题,文中为了分析研究辐照特性对应变集成器件的影响,主要通过计算机模拟仿真(TCAD)的方法验证了漏斗模型的正确性,分别对单轴应变Si纳米NMOSFET器件在不同漏极偏置电压,不同沟道长... 针对辐照条件下应变集成器件及电路的应用越来越多的问题,文中为了分析研究辐照特性对应变集成器件的影响,主要通过计算机模拟仿真(TCAD)的方法验证了漏斗模型的正确性,分别对单轴应变Si纳米NMOSFET器件在不同漏极偏置电压,不同沟道长度以及不同注入位置的单粒子效应进行了分析。通过TCAD模拟仿真了单粒子瞬态电流随着注入位置的电场变化。结果表明:单粒子瞬态电流随着漏极偏置电压的增大而增大,随着沟道长度的减小而增大;不同注入位置下的单粒子效应,此处的漏极瞬态电流大小与对应位置的电场强度成正比关系。该仿真结果为研究纳米级单轴应变Si NMOSFET应变集成器件可靠性及电路的应用提供了参考。 展开更多

关键词 单粒子瞬态 漏极偏置 栅长 注入位置

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应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响

9

作者 张倩 郝敏如 《电子科技》 2019年第6期22-25,30,共5页

针对应变SiNMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50nm应变SiNMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至态(Vds=1V)的NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。实验结果表明... 针对应变SiNMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50nm应变SiNMOS器件的TCAD仿真模型,并使用该模型研究处于截至态(Vds=1V)的NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。实验结果表明,总剂量辐照引入的氧化层陷阱正电荷使得体区电势升高,加剧了NMOS器件的单粒子效应。在2kGy总剂量辐照下,漏极瞬态电流增加4.88%,而漏极收集电荷增量高达29.15%,表明总剂量辐射对单粒子效应的影响主要体现在漏极收集电荷的大幅增加方面。 展开更多

关键词 应变SI NMOS器件 总剂量辐射 单粒子效应 漏极瞬态电流 漏极收集电荷

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应变Si NMOSFET总剂量效应

10

作者 廖晨光 郝敏如 《电子科技》 2018年第9期1-3,17,共4页

文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电流的影响。结果表明:在总剂量辐照下,阈值电压随着源/漏结深的... 文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数等对阈值电压、隧穿栅电流以及热载流子栅电流的影响。结果表明:在总剂量辐照下,阈值电压随着源/漏结深的增加以及沟道长度的减小而减小,隧穿栅电流随着栅氧化层厚度的增大及栅介电常数的减小而增大,热载流子栅电流随着沟道中掺杂浓度的减小以及栅电压的增大而增大。同时,模拟仿真了器件沟道中应力和载流子的分布。 展开更多

关键词 总剂量 阈值电压 隧穿 热载流子 栅电流

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白光LED用Ca_(0.5-x)WO_4∶Eu_(0.25)^(3+)Li_(0.25)^+Sr_x^(2+)红色荧光粉的合成及发光性能研究

11

作者 贺文文 李桂芳 +1 位作者 高硕 郝敏如 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2780-2785,2810,共7页

采用溶胶-凝胶燃烧法合成了不同Sr2+掺杂浓度的Ca0.5-xWO4∶Eu3+0.25Li+0.25Sr2+x(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25)红色荧光粉,分别采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光分光光度计对荧光粉的结构、微观形貌和发光特性进行表征。结... 采用溶胶-凝胶燃烧法合成了不同Sr2+掺杂浓度的Ca0.5-xWO4∶Eu3+0.25Li+0.25Sr2+x(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25)红色荧光粉,分别采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光分光光度计对荧光粉的结构、微观形貌和发光特性进行表征。结果表明,在500℃低温下煅烧4 h可得到纯白钨矿结构的Ca0.5WO4∶Eu3+0.25Li+0.25荧光粉,且荧光粉的颗粒随着煅烧温度的升高而增大,800℃合成的晶粒尺寸比较均匀,平均粒径在1~2μm左右。Ca0.5-x WO4∶Eu3+0.25Li+0.25Sr2+x系列荧光粉均可以被393 nm和464 nm有效激发,其发射主峰值位于615 nm,属于Eu3+的5D0→7F2跃迁。同时还系统研究了Sr2+的不同掺杂浓度对荧光粉发光性能的影响。Ca0.5-xWO4∶Eu3+0.25Li+0.25Sr2+x荧光粉中Sr2+的最佳掺杂浓度为x取0.15。 展开更多

关键词 Ca0.5-xWO4∶Eu3+0.25Li+0.25Sr2+x 溶胶-凝胶燃烧法 发光性能

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