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Comparative Studies on Degradation of Methyl Orange by Nanostructured Zinc and Zinc Oxide Films
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作者 吴炳俊 常山 +1 位作者 谢斌 李明 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第5期615-620,622,共7页
Nanostructured zinc and zinc oxide films were prepared by magnetron sputtering processes and succeeded air annealing treatments. Comparison of reductive degradation rate of methyl orange (MO) by zinc films and photo... Nanostructured zinc and zinc oxide films were prepared by magnetron sputtering processes and succeeded air annealing treatments. Comparison of reductive degradation rate of methyl orange (MO) by zinc films and photocatalytic degradation rate of MO by zinc oxide films was carried out. Both reductive degradation and photocatalytic degradation process of MO by zinc and zinc oxide films can be described by first order kinetic model. It was found that although MO liquid was most quickly decolorized by metallic zinc films, the mineraliza- tion of MO was not thorough. Observation of extra ultraviolet absorption peaks indicated the formation of aromatic intermediates. On the other hand, although the photocatalytic degradation rate of MO liquid by ZnO films was only as about 1/4 large as the reductive degradation rate by zinc films, no signs of aromatic intermediates were found. Moreover, it was found that partially oxidized zinc oxide film showed higher photocatalytic efficiency than the totally oxidized ZnO films. Synergy effect between zinc and zinc oxide phase in the partially oxidized films was considered to be responsible for the higher photocatalytic efficiency. 展开更多
关键词 Methyl orange ZINC ZnOx ZNO Reductive degradation PHOTOCATALYSIS
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氧化铟锡(ITO)薄膜溅射生长及光电性能调控 被引量:8
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作者 雷沛 束小文 +5 位作者 刘培元 罗俊杰 李佳明 常山 纪建超 张旋 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第8期100-106,共7页
目的选取影响氧化铟锡(ITO)薄膜生长关键的3种参数,即薄膜生长的氧气流量、薄膜厚度和热处理退火,系统研究其对ITO薄膜光学和电学性能的影响规律。方法采用直流溅射法,在氩气和氧气混合气氛中溅射陶瓷靶材制备ITO薄膜样品。利用真空热... 目的选取影响氧化铟锡(ITO)薄膜生长关键的3种参数,即薄膜生长的氧气流量、薄膜厚度和热处理退火,系统研究其对ITO薄膜光学和电学性能的影响规律。方法采用直流溅射法,在氩气和氧气混合气氛中溅射陶瓷靶材制备ITO薄膜样品。利用真空热处理技术对所制备的ITO薄膜进行真空退火处理。通过表面轮廓仪测试厚度、X-射线衍射仪(XRD)表征结构、X-射线光电子能谱仪(XPS)分析元素含量、分光光度计测试透过率和四探针测试薄膜方块电阻,分别评价薄膜厚度、光学性能和电学性能,并对比研究热处理对薄膜结构和光电性能的影响规律。结果电阻率随氧气流量的增加呈现出先缓慢后急剧升高的规律,在氩气和氧气流量比为150∶8时,可得到400 nm厚、电阻率为8.0×10^(-4)Ω·cm的ITO薄膜。厚度增加可降低薄膜电阻率,氧气流量的增加可明显改善薄膜透光性。通过真空热处理可提高室温沉积ITO薄膜的结晶性能,较大程度地降低电阻率。在真空热处理条件下增大薄膜厚度可降低薄膜电阻率,氧气流量增加不利于ITO薄膜电阻率的降低。在氩气和氧气流量为150∶6条件下制备的ITO薄膜,经500℃真空热处理后电阻率可达到最低值(2.7×10^(-4)Ω·cm)。结论通过调控氧气流量和厚度来优化ITO薄膜的结构和氧空位含量,低温下利用磁控溅射法可制备光电性能优异的ITO薄膜;真空热处理可提高薄膜结晶性能,通过氧气流量、厚度和热处理温度3种参数调控可获得最低电阻率的晶态ITO薄膜(2.7×10^(-4)Ω·cm),满足科技和工程领域的需求。 展开更多
关键词 氧化铟锡薄膜 磁控溅射法 薄膜结构 热处理 光电性能
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在PMMA上低温沉积TiO_(2)薄膜的光学性能及显微结构
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作者 纪建超 颜悦 +3 位作者 陈宇宏 哈恩华 常山 雷沛 《中国塑料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期7-12,共6页
采用直流脉冲磁控溅射的方法,在有机玻璃(聚甲基丙烯酸甲酯,PMMA)上沉积了TiO_(2)薄膜。研究了氧气比例、真空度等参数对TiO_(2)薄膜的结构及光学性能的影响。借助椭圆偏振光测试仪、X射线衍射(XRD)仪、分光光度计、原子力显微镜(AFM)... 采用直流脉冲磁控溅射的方法,在有机玻璃(聚甲基丙烯酸甲酯,PMMA)上沉积了TiO_(2)薄膜。研究了氧气比例、真空度等参数对TiO_(2)薄膜的结构及光学性能的影响。借助椭圆偏振光测试仪、X射线衍射(XRD)仪、分光光度计、原子力显微镜(AFM)等表征手段,分析了薄膜的光学特性、元素组成、结晶性能、及显微结构。结果表明,随氧气比例的增加,薄膜的沉积速率降低,沉积的薄膜的粒径变大,薄膜趋于疏松;在光学性能方面表现为随氧气比例的增加,折射率递减,但可见光透过率增加,反射率谱线出现红移;根据折射率计算的薄膜堆积密度分别为0.95、0.93、0.87、0.88、0.78,与氧气比例反向变化;根据光谱计算的薄膜禁带宽度在3.12~3.14 eV之间,与氧气比例反向变化;随工作真空度的降低,薄膜的沉积速率先升后降,薄膜趋于疏松,折射率下降,根据折射率计算的薄膜堆积密度为0.96、0.95、0.90、0.89、0.88、0.88、0.87,真空度对薄膜可见光透过率具有正向影响,对薄膜的禁带宽度有反向影响,禁带宽度在3.13~3.16 eV之间;本文沉积的TiO_(2)薄膜为无定形态,氧气比例与真空度的变化对其结晶性基本无影响。 展开更多
关键词 聚甲基丙烯酸甲酯 二氧化钛 薄膜 磁控溅射 光学性能 显微结构
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非晶透明导电氧化物薄膜研究进展 被引量:4
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作者 张晓锋 颜悦 +3 位作者 陈牧 刘宏燕 常山 张官理 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期1-16,共16页
随着有机/聚合物衬底的广泛使用,非晶透明导电氧化物薄膜由于兼具优异的透明与导电性、性能稳定、表面平整光滑、易于刻蚀和大面积制备、兼容现有工艺、无须后续退火处理进而简化工艺流程等优点,已应用于薄膜晶体管、有机/聚合物太阳能... 随着有机/聚合物衬底的广泛使用,非晶透明导电氧化物薄膜由于兼具优异的透明与导电性、性能稳定、表面平整光滑、易于刻蚀和大面积制备、兼容现有工艺、无须后续退火处理进而简化工艺流程等优点,已应用于薄膜晶体管、有机/聚合物太阳能电池、电致变色、电磁屏蔽等诸多领域。尽管非晶态透明导电氧化物的原理与结晶态的基本相同,但其不是简单的结晶态透明氧化物的非晶态,而是特定组元在特定条件下制备获得的。在简要介绍透明与导电及两者间的耦合关系的基础上,重点介绍了更为一般的非晶半导体氧化物的研究历程及其特点,并与结晶态透明导电氧化物薄膜对比,指出N型非晶透明导电氧化物的电子结构特征是其金属阳离子结构为(n-1)d10ns0,由于s电子轨道呈球对称,且相邻重叠积分较大,迁移率较高,结构容错性较强,因此可以稳定保持其结晶态时的中近程结构及优异的特性,并详细介绍了表征其近程结构的中程有序、因缺乏衡量周期的量子数而使用更为一般的态密度以及非晶结构的亚稳特性。在此基础上,详细举例介绍了N型和P型非晶透明导电氧化物体系的性质和特点,特别介绍了铟系非晶透明导电氧化物的种类和特点,其中又以氧化铟锌的性能最为优异。由于目前的非晶透明导电氧化物体系主要是针对N型导电的,故P型非晶透明导电氧化物的例子较少。最后结合产业动态简要介绍了非晶透明导电氧化物薄膜的应用领域,并结合当前研究现状和发展趋势指出了今后三个可能的研究发展方向:(1)非铟系透明导电氧化物的研究与开发有待进一步加强;(2)另辟蹊径开发P型透明导电氧化物的基本原理和材料;(3)充分发挥非晶透明导电氧化物的优势,拓展其在部分半导体领域的应用。 展开更多
关键词 薄膜 非晶 透明导电氧化物 稳定性 氧化铟
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工艺参数对磁控溅射制备ZnO:Al薄膜性能的影响及分析 被引量:2
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作者 吴炳俊 常山 +1 位作者 李明 谢斌 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期991-998,共8页
采用Al2O3质量分数为2.7%的ZnO:Al(简称AZO)陶瓷靶在RAS-1100C大型中频孪生靶磁控溅射镀膜设备上溅射制备了电阻率在10-3Ω·cm量级、可见光透过率>85%的AZO透明导电薄膜.分析了烘烤温度、氩气流速和溅射功率对薄膜电学性能的影... 采用Al2O3质量分数为2.7%的ZnO:Al(简称AZO)陶瓷靶在RAS-1100C大型中频孪生靶磁控溅射镀膜设备上溅射制备了电阻率在10-3Ω·cm量级、可见光透过率>85%的AZO透明导电薄膜.分析了烘烤温度、氩气流速和溅射功率对薄膜电学性能的影响,同时还对固定在靶材前方不同区域处的衬底上沉积得到的AZO薄膜的电阻率差异进行了研究.实验发现靶材刻蚀沟道正前方处沉积的AZO薄膜的电阻率在10-2Ω·cm量级,而两块靶材中间非溅射区域正前方处所沉积的AZO薄膜的电阻率则在5×10-4Ω·cm左右.此研究结果表明沉积在RAS夹具圆筒上的AZO薄膜的性能是靶前各区域溅射沉积薄膜的性能的混合平均.进一步提高RAS溅射制备的AZO薄膜的性能的关键在于抑制高能氧负离子的轰击注入效应以及提高薄膜的结晶性能. 展开更多
关键词 AZO薄膜 磁控溅射 氧负离子轰击 注入效应 结晶性能
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退火气氛对ZnO∶Al薄膜光学、电学和微结构的影响 被引量:1
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作者 常山 彭晶晶 +4 位作者 雷沛 钟艳莉 张旋 纪建超 霍钟祺 《航空材料学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期134-140,共7页
研究退火气氛对ZnO∶Al(Al掺杂的ZnO,AZO)薄膜电学、光学、微结构和缺陷的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测试仪、紫外可见分光光度计、拉曼振动以及光致发光谱表征不同状态ZnO∶Al薄膜的晶体结构、微观形... 研究退火气氛对ZnO∶Al(Al掺杂的ZnO,AZO)薄膜电学、光学、微结构和缺陷的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测试仪、紫外可见分光光度计、拉曼振动以及光致发光谱表征不同状态ZnO∶Al薄膜的晶体结构、微观形貌、电阻率、透射率、拉曼振动和光致发光特性。结果表明:空气退火后,AZO薄膜的载流子浓度从1.63×10^(20)cm^(−3)降低至7.1×10^(18)cm^(−3),光学禁带宽度从3.51 eV降低为3.37 eV,近红外透射率增加以及光致发光谱的带边发光峰位从3.49 eV红移至3.34 eV。氢气退火后AZO薄膜的载流子浓度升高至5.3×10^(20)cm^(−3),光学禁带宽度增加为3.78 eV,近红外透射率下降以及光致发光谱的带边发光峰强度增加了10倍,且发光峰的峰位蓝移至3.57 eV。此外,空气退火的ZnO∶Al薄膜观察到4级的拉曼多声子振动。 展开更多
关键词 ZnO∶Al薄膜 退火 载流子浓度 禁带宽度
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