期刊文献+

二次检索

题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

年份

学科

共找到11篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨 被引量:14
1
作者 王玉林 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期448-452,共5页
介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积(PECVD)氮化硅薄膜工艺技术,可调控氮化硅薄膜的应力,从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的氮化硅薄膜的折射率和腐蚀速率没有明显变... 介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积(PECVD)氮化硅薄膜工艺技术,可调控氮化硅薄膜的应力,从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的氮化硅薄膜的折射率和腐蚀速率没有明显变化,对器件,尤其是对砷化镓异质结器件几乎没有应力损伤。 展开更多
关键词 异质结器件 氮化硅薄膜 工艺 PECVD
下载PDF
AMR语音编码算法研究及复杂度剖析 被引量:3
2
作者 刘春 +2 位作者 陆诚 匡镜明 赵胜辉 《电讯技术》 北大核心 2003年第1期92-96,共5页
作为 3GPPWCDMA的语音编码 (SpeechCoding)候选方案 ,自适应多速率 (AMR)语音编码是一种多模式集成的ACELP类语音编码方案。本文根据该编码方案的标准 ,分析了其方案实现中的关键算法 :高性能码本设计、高效码本搜索算法、多级矢量量化... 作为 3GPPWCDMA的语音编码 (SpeechCoding)候选方案 ,自适应多速率 (AMR)语音编码是一种多模式集成的ACELP类语音编码方案。本文根据该编码方案的标准 ,分析了其方案实现中的关键算法 :高性能码本设计、高效码本搜索算法、多级矢量量化技术、预处理算法的简化等。最后 ,设计了定点ANSI 展开更多
关键词 AMR 第三代移动通信 语音编码 自适应多速率 码激励线性预测 计算复杂度
下载PDF
AlGaAs/InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果 被引量:4
3
作者 陈效建 刘军 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 1995年第2期133-141,共9页
借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、... 借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 展开更多
关键词 功率PHEMT CAD 异质结 双平面掺杂
下载PDF
X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器 被引量:3
4
作者 乔宝文 陈效建 +3 位作者 刘军 王军贤 郝西萍 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期107-112,共6页
报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计,设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中,开展了关键工艺的专题研究。研究结果为:单级单片放大器在10:5-11.6GHz... 报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计,设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中,开展了关键工艺的专题研究。研究结果为:单级单片放大器在10:5-11.6GHz范围内,NF≤1.82dB,G≥7.72dB;在11.7-12.2GHz范围内,NF≤1.80dB,G≥6.8dB;双级放大器在10.4-11.1GHz范围内,NF≤1.96dB,G≥15.3dB,最低噪声系数为1.63dB,最高增益为16.07dB。 展开更多
关键词 PHEMT 微波单片IC 低噪声放大器 微波集成电路
下载PDF
氧化铋负载聚丙烯腈复合球体对溶液中碘的吸附性能研究 被引量:1
5
作者 刘淑娟 鲁舒凡 +4 位作者 欧阳金秀 陈昌婷 孟佳 李翠珍 《东华理工大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第2期193-200,共8页
采用水热法和相转移法合成了易于实现固液分离的氧化铋负载聚丙烯腈复合球体,将其用于溶液中碘离子的吸附性能研究,详细探讨了氧化铋和聚丙烯腈的物质的量比、体系酸度、碘离子初始浓度等因素对碘离子吸附性能的影响。结果表明,当氧化... 采用水热法和相转移法合成了易于实现固液分离的氧化铋负载聚丙烯腈复合球体,将其用于溶液中碘离子的吸附性能研究,详细探讨了氧化铋和聚丙烯腈的物质的量比、体系酸度、碘离子初始浓度等因素对碘离子吸附性能的影响。结果表明,当氧化铋和聚丙烯腈的物质的量比为2∶1时,合成的吸附剂吸附效果最佳,溶液pH为7.0时,吸附剂对碘离子的吸附在210 min可达吸附平衡,最大实验吸附容量为122.3 mg/g。Langmuir和准二级动力学模型可以较好地拟合该吸附过程,Langmuir拟合计算得到的理论吸附容量为135.7 mg/g,动力学拟合表明该吸附以化学过程为主,颗粒内扩散会对吸附速率产生较大影响。采用氯化钾溶液可以洗脱被吸附的碘离子,吸附洗脱实验结果表明氧化铋负载聚丙烯腈复合球体的重复使用性良好。 展开更多
关键词 氧化铋 聚丙烯腈 复合球体 吸附性能
下载PDF
四苯基甲烷共价有机框架材料对气态碘的吸附
6
作者 马建国 方然杰 +4 位作者 吴志能 魏玮 李翠珍 刘淑娟 《东华理工大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第4期391-400,共10页
为获得高效稳定的气态碘吸附材料,以四苯基甲烷作为醛基单体,分别与4,4’-二氨基三联苯和2,6-二氨基蒽在水热条件下合成了共价有机框架材料(COFs)DpTp-COF和AnTp-COF,合成的材料能够在400℃保持结构稳定,DpTp-COF和AnTp-COF的比表面积... 为获得高效稳定的气态碘吸附材料,以四苯基甲烷作为醛基单体,分别与4,4’-二氨基三联苯和2,6-二氨基蒽在水热条件下合成了共价有机框架材料(COFs)DpTp-COF和AnTp-COF,合成的材料能够在400℃保持结构稳定,DpTp-COF和AnTp-COF的比表面积分别达到了955 m^(2)/g和786 m^(2)/g。实验条件下DpTp-COF和AnTp-COF对气态碘的最大吸附容量分别为4.75 g/g和4.95 g/g,吸附过程符合准二级动力学方程。吸附碘的COFs材料可以用乙醇实现碘的脱附,经过四次吸附-脱附循环后DpTp-COF和AnTp-COF的最大吸附容量分别降低了19.36%和24.85%。对吸附碘的DpTp-COF和AnTp-COF进行拉曼光谱和X射线光电子能谱表征,发现碘主要以I_(3)^(-)和I_(5)^(-)形式存在于两种材料上,表明COFs材料和碘分子之间发生了电荷转移。 展开更多
关键词 四苯基甲烷 共价有机框架材料 气态碘 吸附
下载PDF
Ka波段功率PHEMT的设计与研制 被引量:1
7
作者 陈效建 +1 位作者 高建峰 王军贤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期266-273,共8页
报道了Ka 波段功率PHEMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs/InGaAsPHEMT材料,采用0.2 μm 的T型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率PHEMT的初步测试结果为:Idss:365 m A/m m... 报道了Ka 波段功率PHEMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs/InGaAsPHEMT材料,采用0.2 μm 的T型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率PHEMT的初步测试结果为:Idss:365 m A/m m ;gm 0:320 m S/m m ;Vp:- 1.0~- 2.0 V。总栅宽为750 μm 的功率器件在频率为33 GHz时,输出功率大于280 m W,功率密度达到380 m W/m m ,增益大于6 dB。 展开更多
关键词 场效应晶体管 PHEMT 异质结 毫米波 设计
下载PDF
12GHz 0.68dB的InGaAs/AlGaAs赝配HEMT 被引量:1
8
作者 陈效建 刘军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第1期14-17,共4页
报道了微波低噪声异质结赝配HEMT的研究结果。以半绝缘GaAs为衬底,用MBE方法生长异质结材料。采用低应力、低损伤工艺程序,以AuGeNi/Au形成源漏欧姆接触,Al形成栅肖特基势垒接触,聚酰亚胺介质为钝化膜,制成了InGaAs/AlGaAs赝配HEMT。其... 报道了微波低噪声异质结赝配HEMT的研究结果。以半绝缘GaAs为衬底,用MBE方法生长异质结材料。采用低应力、低损伤工艺程序,以AuGeNi/Au形成源漏欧姆接触,Al形成栅肖特基势垒接触,聚酰亚胺介质为钝化膜,制成了InGaAs/AlGaAs赝配HEMT。其直流跨导为280mS/mm,在12GHz下,器件最小噪声系数为0.68dB,相关增益为7.0dB。 展开更多
关键词 低噪声 迁移率 双极晶体管
下载PDF
双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT
9
作者 陈效建 刘军 +2 位作者 李拂晓 华培忠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期289-290,共2页
双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT陈效建,刘军,李拂晓,郑雪帆,华培忠(南京电子器件研究所,210016)Double-planar-dopedAlGaAs/InGaAsPowerPHEMT¥Chen... 双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT陈效建,刘军,李拂晓,郑雪帆,华培忠(南京电子器件研究所,210016)Double-planar-dopedAlGaAs/InGaAsPowerPHEMT¥ChenXiaojian;LiuJun;L... 展开更多
关键词 异质结器件 掺杂 镓铅砷 PHEMT
下载PDF
InGaAs/AlGaAs PM-HEMT的实验研制
10
作者 陈效建 刘军 +2 位作者 王树珠 孙晓鹏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期78-78,共1页
高电子迁移率晶体管(HEMT)在近十年的发展中,已成为微波、毫米波及高速数字领域中最重要的新型半导体器件之一,并正进入实用化与商品化.HEMI的许多优异性能与器件内部异质结界面附近的二维电子气(2DEG)的性质(如高漂移速度、高电子浓度... 高电子迁移率晶体管(HEMT)在近十年的发展中,已成为微波、毫米波及高速数字领域中最重要的新型半导体器件之一,并正进入实用化与商品化.HEMI的许多优异性能与器件内部异质结界面附近的二维电子气(2DEG)的性质(如高漂移速度、高电子浓度)有关,因而随着对新的异质结构材料中2DEG特性研究的深入,采用新的材料研制HEMT,已成为器件发展中的一个最重要的方向. 展开更多
关键词 晶体管 PM-HEMT 半导体器件
下载PDF
8mm高电子迁移率功率晶体管芯片
11
作者 陈新宇 高建峰 +2 位作者 王军贤 陈效建 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期239-239,共1页
南京电子器件研究所研制的8mm高电子迁移率功率晶体管芯片是国内首次通过设计定型的8mm波段PHEMT功率器件,具有频率特性好、增益高、输出功率大、使用方便等优点。为更好地发挥异质结材料的性能,采用CAD技术,对以Al... 南京电子器件研究所研制的8mm高电子迁移率功率晶体管芯片是国内首次通过设计定型的8mm波段PHEMT功率器件,具有频率特性好、增益高、输出功率大、使用方便等优点。为更好地发挥异质结材料的性能,采用CAD技术,对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础... 展开更多
关键词 功率晶体管 芯片 电子迁移率
全文增补中
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部