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Mn掺杂(K_(0.5)Na_(0.5))_(0．96)Sr_(0．02)NbO_3无铅压电陶瓷的研究 被引量：8
1
作者 刘涛 丁爱丽 +3 位作者 何夕云 郑鑫森 仇萍荪 程文秀 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期469-473,共5页
采用常压烧结方法制备了Mn掺杂的(K0．5Na0．5)0．96Sr0．02Nb1-xMnxO3无铅压电陶瓷．研究了Mn含量对该体系材料的相组成、微观结构、介电、压电和热稳定性能的影响．XRD表明随着Mn含量的增加,体系由正交相过渡到赝四方相;而且,富Na的... 采用常压烧结方法制备了Mn掺杂的(K0．5Na0．5)0．96Sr0．02Nb1-xMnxO3无铅压电陶瓷．研究了Mn含量对该体系材料的相组成、微观结构、介电、压电和热稳定性能的影响．XRD表明随着Mn含量的增加,体系由正交相过渡到赝四方相;而且,富Na的第二相消失,得到纯净的钙钛矿相结构．在Mn含量为x=0．03和0．04时,观察到了两个温度(200和390℃)处的介电反常,这和晶格畸变引起的复晶胞结构有关．Mn含量为x=0．02时,得到综合性能优良的压电超声换能器用材料:介电常数ε33 7／ε0=479,压电常数d33=121pC／N,机电耦合系数Kp=41％,机械品质因子Qm=298,介电损耗tanδ=1．6％,居里温度Tc=391℃,谐振频率fr和机电耦合系数Kp随温度的变化率αfr(80℃)和αKp(80℃)分别为-1．85％和1．19％． 展开更多
关键词 无铅 压电陶瓷 介电 换能器
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PLZT陶瓷中的光致伏特效应的研究 被引量：3
2
作者 郑鑫森 郑芝凤 +1 位作者 束慧君 敖海宽 《功能材料》 EI CAS CSCD 1991年第6期351-355,共5页
研究了PLZT陶瓷中的体光伏特效应。采用通氧热压技术制备PLZT陶瓷。试样被切割加工成4.5×3×1mm^3并沿3mm 方向加以极化,在高于居里点的温度下以较低的电压(～250V/mm)极化。在高压球形汞灯的照射下,所研究的PLZT试样呈现较强... 研究了PLZT陶瓷中的体光伏特效应。采用通氧热压技术制备PLZT陶瓷。试样被切割加工成4.5×3×1mm^3并沿3mm 方向加以极化,在高于居里点的温度下以较低的电压(～250V/mm)极化。在高压球形汞灯的照射下,所研究的PLZT试样呈现较强的光致伏特效应。在4/56/44PLZT陶瓷中,其光伏电压和电流输出分别为1.2kV/cm(开路态)和0.9μA/cm^2(闭路态)。实验表明 PLZT 的光伏电流与光照强度有关而与外接电阻负载无关(在0～10~8Ω范围内);外加偏置场对极化前后的4/56/44PLZT陶瓷的光伏特性的影响的实验表明:受光照射后产生的光致激发载流子在一有效驱动电场的作用下作定向运动,从而对外表现出光伏效应的行为特征,这一有效场为材料的剩余极化场;外加偏置电场可诱发或加强材料的光伏电压和电流的输出。 展开更多
关键词 PLZT陶瓷 光致伏特效应 电场 性能
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镝掺杂锆钛酸铅镧透明陶瓷的结构和电光性能 被引量：4
3
作者 何夕云 张勇 +1 位作者 郑鑫森 仇萍荪 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1601-1604,共4页
针对锆钛酸铅镧(PLZT)电光陶瓷在光调制器应用中存在工作电压偏高、场致滞后明显等不足,以镧系镝(Dy)元素对锆钛酸铅镧(Pb0.88 La0.12)(Zr0.4 Ti0.6)0.96 O3 [PLZT(12/40/60)]线性电光材料进行掺杂改性。采用热压技术研制镝掺杂锆钛酸铅... 针对锆钛酸铅镧(PLZT)电光陶瓷在光调制器应用中存在工作电压偏高、场致滞后明显等不足,以镧系镝(Dy)元素对锆钛酸铅镧(Pb0.88 La0.12)(Zr0.4 Ti0.6)0.96 O3 [PLZT(12/40/60)]线性电光材料进行掺杂改性。采用热压技术研制镝掺杂锆钛酸铅镧[Pb0.088I (La1-xDyx)0.12](Zr0.40 Ti0.60)0.96 O3](PLDZT)(x-0.1～0.5)透明电光陶瓷。系统考察了PLDZT透明陶瓷的光学性能和电光特性及其与材料结构的相关性。研究表明,Dy掺杂导致材料晶格畸变,微量Dy掺杂有效提高了PLZT(12/40/60)透明陶瓷的光学透过率,并且使典型的线性电光材料呈现二次电光效应特征,二次电光系数R约为5.59×10-16 m2/V2;同时掺杂改性的PLDZT(x=0.1)透明陶瓷的驱动电压较未改性PLZT材料明显降低。 展开更多
关键词 光学材料 电光陶瓷 热压技术 锆钛酸铅镧 电光特性
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PLZT陶瓷的晶界现象 被引量：3
4
作者 祝炳和 赵梅瑜 +3 位作者 姚尧 郑鑫森 敖海宽 殷之文 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第5期13-16,共4页
利用显微技术，研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片， 利用十字形电极， 观察在电场作用下， 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象，如： 晶界平滑区， 晶界区... 利用显微技术，研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片， 利用十字形电极， 观察在电场作用下， 电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象，如： 晶界平滑区， 晶界区的电光性， “壳－芯”结构， 析出物在晶界区的沉积， 电畴在该区的成核和生长， 空间电荷在该区的积累等等。认为存在高应变能的晶界区， 展开更多
关键词 功能陶瓷 晶界 电畴 PLZT
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PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷的制备及性能研究
5
作者 仇萍荪 郑鑫森 +2 位作者 程文秀 何夕云 丁爱丽 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1522-1524,共3页
采用热压通氧烧结工艺制备PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷材料,系统地研究了不同的La含量(x=0.08～0.10)对PLZT陶瓷透过率的影响,当x=10时,材料的透过率达到68%.测试了不同的La含量下的PLZT透明陶瓷材料的电滞回线.用法拉第磁光调制法测量... 采用热压通氧烧结工艺制备PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷材料,系统地研究了不同的La含量(x=0.08～0.10)对PLZT陶瓷透过率的影响,当x=10时,材料的透过率达到68%.测试了不同的La含量下的PLZT透明陶瓷材料的电滞回线.用法拉第磁光调制法测量了不同的La含量的PLZT(x/65/35)透明铁电材料在电场下的双折射△n,△n随La含量的增加而下降. 展开更多
关键词 PLZT透明陶瓷 铁电性 透过率 电光系数
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SrTiO3衬底上溅射法外延生长PLZT薄膜
6
作者 仇萍荪 程文秀 +2 位作者 何夕云 郑鑫森 丁爱丽 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1142-1144,1147,共4页
用射频磁控溅射法在SrTiO3衬底上外延生长PLZT薄膜,研究了不同的溅射工艺对薄膜生长速率的影响,探讨了不同的后期热处理条件与薄膜取向度的关系.在SrTiO3衬底上成功制备出外延生长的、厚度达1.5μm的PLZT薄膜.
关键词 SrTiO3衬底 PLZT膜 溅射条件 外延生长
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Growth of Zinc Oxide Thornballs by a Novel Method
7
作者 邓国初 丁爱丽 +2 位作者 郑鑫森 程文秀 仇萍荪 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2005年第7期1739-1741,共3页
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