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面向AOSFET增益单元的存储系统功耗分析研究
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作者 李伟 陈龙 +2 位作者 杨业成 王少昊 《电子制作》 2024年第14期36-39,10,共5页
近年来,数据密集型应用对存储器的存储密度和功耗等性能提出了更高的要求。传统的嵌入式缓存采用6T-SRAM和1T1C-eDRAM技术难以提升存储密度,且存在较高的背景功率。其中,6T-SRAM的背景功率主要来自晶体管的高泄漏电流,1T1C-eDRAM则主要... 近年来,数据密集型应用对存储器的存储密度和功耗等性能提出了更高的要求。传统的嵌入式缓存采用6T-SRAM和1T1C-eDRAM技术难以提升存储密度,且存在较高的背景功率。其中,6T-SRAM的背景功率主要来自晶体管的高泄漏电流,1T1C-eDRAM则主要来自刷新功耗。非晶氧化物半导体(AOSFET)因其极低的泄漏电流和三维集成潜力备受关注。(AOSFET)2T0C-eDRAM是下一代嵌入式缓存技术的有力竞争者。针对当前缺乏功耗分析方法的现状,本文建立了2T0C-eDRAM的读写功耗、刷新功率和泄漏功率模型,并将其集成到定制化NVSim模块中,实现了对AOSFET 2T0C-eDRAM存储系统的功耗分析。仿真结果表明,在大容量存储阵列中,AOSFET 2T0C-eDRAM的读写功耗会略低于6T-SRAM、1T1C-eDRAM和硅基 2T0C-eDRAM,其背景功率(刷新功率和泄漏功率)仅为6T-SRAM的1/6,1T1C-eDRAM的1/10,硅基 2T0C-eDRAM的1/10。 展开更多
关键词 AOSFET 2T0C GC-eDRAM 存储系统 仿真方法 功耗
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中华优秀传统文化融入中职思政教育的探索——以广西二轻技师学院为例
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作者 杨琪 《中文科技期刊数据库(全文版)教育科学》 2023年第10期13-16,共4页
中华优秀传统文化是中华民族上下五千多年悠久历史的宝贵文化产物,是中国人民和中华民族的智慧结晶,蕴含着十分丰富的育人资源。中职学生学习中华优秀传统文化的重要阵地,在于学校开设思政教育课堂,将中华优秀传统文化灵活、生动而有效... 中华优秀传统文化是中华民族上下五千多年悠久历史的宝贵文化产物,是中国人民和中华民族的智慧结晶,蕴含着十分丰富的育人资源。中职学生学习中华优秀传统文化的重要阵地,在于学校开设思政教育课堂,将中华优秀传统文化灵活、生动而有效地融入中职思政教育,从而促进中职学生全面健康成长、增强思政育人效果。然而,目前在关于中华优秀传统文化融入中职思政教育的研究现状,一些研究学者在相关的研究中虽取得了一定的成绩,但仍存欠缺。文章以广西二轻技师学院为例,在分析该校中职生道德发展现状的基础上,基于中华优秀传统文化融入中职思政教育策略的实践调查研究,分析融入策略,发现存在的问题,探索解决方法,以期促进将中华优秀传统文化融入思政教育路径的科学发展。 展开更多
关键词 中华优秀传统文化 中职 思政教育
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